A texturedsiliconseedlayeronaglasss

A texturedsiliconseedlayeronaglasssubstratewasgrown
from anAl–Si eutecticmeltlayerat725 °C viae-beamevaporation.
A smooth,thin,and flexibleglasswitharelativelyelevatedglass
transition temperaturewasusedasthesubstratematerialforthis
investigation.Priorto film deposition,theglasssubstrateswere
cleaned bythestandardRCAprocedureanddippedina2%HF-
solution for30s(GORKA).Aluminumpellets(99.999%inpurity,
KurtJLesker)andsiliconpellets(99.999%inpurity,KurtJLesker)
wereusedasthethermalevaporatorande-beamevaporator
materialsources,respectively.Usingathermalevaporator,Allay-
ers varyingfrom30to100nminthicknessweredepositedonto
glass substratesundermoderatevacuumconditionsof10
5 Torr.
The samplewasremovedfromthethermalevaporator,placedinto
the electronbeamevaporatorandtakentobasevacuumlevelsof
10
7 Torr.ASi film of200nmthickwassubsequentlydeposited
onto theAlbaselayerwhilethesubstratewasheldat725 °C. The
deposition rateofSiwasheldconstantat6nm/min.Thicknesses
weretakenfromaquartzcrystalmicrobalance(QCM)reading

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Texturedsiliconseedlayeronaglasssubstratewasgrown การจากทางทวารหนัก – ศรี eutecticmeltlayerat725 ° C viae-beamevaporationเรียบ บาง และ flexibleglasswitharelativelyelevatedglassเปลี่ยน temperaturewasusedasthesubstratematerialforthisตรวจสอบ Priorto ฟิล์มสะสม theglasssubstrateswereทำความสะอาด bythestandardRCAprocedureanddippedina2% HF-for30s(GORKA) แก้ปัญหา Aluminumpellets (inpurity 99.999%KurtJLesker)andsiliconpellets(99.999%inpurity,KurtJLesker)wereusedasthethermalevaporatorande-beamevaporatormaterialsources ตามลำดับ Usingathermalevaporator, Allay-สกู๊ป varyingfrom30to100nminthicknessweredepositedontosubstratesundermoderatevacuumconditionsof10 แก้วธอร์ 5Samplewasremovedfromthethermalevaporator, placedintoelectronbeamevaporatorandtakentobasevacuumlevelsofOf200nmthickwassubsequentlydeposited ฟิล์ม Torr.ASi 10 7บน theAlbaselayerwhilethesubstratewasheldat725 องศาเซลเซียส ที่สะสม rateofSiwasheldconstantat6nm/min ความหนาweretakenfromaquartzcrystalmicrobalance (QCM) อ่าน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

texturedsiliconseedlayeronaglasssubstratewasgrown
จากทางทวารหนักศรี eutecticmeltlayerat725 ° C-viae beamevaporation.
เรียบบางและ flexibleglasswitharelativelyelevatedglass
การเปลี่ยนแปลง temperaturewasusedasthesubstratematerialforthis
การสะสมภาพยนตร์ investigation.Priorto, theglasssubstrateswere
ทำความสะอาด bythestandardRCAprocedureanddippedina2% HF-
การแก้ปัญหา varyingfrom30to100nminthicknessweredepositedonto substratesundermoderatevacuumconditionsof10 แก้ว 5 Torr. samplewasremovedfromthethermalevaporator, placedinto electronbeamevaporatorandtakentobasevacuumlevelsof 10 7 ภาพยนตร์ Torr.ASi of200nmthickwassubsequentlydeposited บน theAlbaselayerwhilethesubstratewasheldat725 ° C การสะสม rateofSiwasheldconstantat6nm / min.Thicknesses weretakenfromaquartzcrystalmicrobalance (QCM) การอ่าน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็น texturedsiliconseedlayeronaglasssubstratewasgrown
จากทวารหนัก–ศรี eutecticmeltlayerat725 ° C viae beamevaporation .
เรียบบางและการสะสมภาพยนตร์ investigation.priorto temperaturewasusedasthesubstratematerialforthis flexibleglasswitharelativelyelevatedglass


theglasssubstrateswere ทำความสะอาด bythestandardrcaprocedureanddippedina2 % HF -
โซลูชั่น for30s ( กอร์ ) aluminumpellets ( 99999 % inpurity
kurtjlesker ) , andsiliconpellets ( inpurity 99.999 % , wereusedasthethermalevaporatorande beamevaporator kurtjlesker )

materialsources ตามลำดับ usingathermalevaporator บรรเทา - , varyingfrom30to100nminthicknessweredepositedonto

ERS แก้ว substratesundermoderatevacuumconditionsof10
5 ทอร์ samplewasremovedfromthethermalevaporator placedinto

,การ electronbeamevaporatorandtakentobasevacuumlevelsof
10
7 torr.asi ภาพยนตร์ of200nmthickwassubsequentlydeposited

ลง thealbaselayerwhilethesubstratewasheldat725 องศา การ rateofsiwasheldconstantat6nm / min.thicknesses
weretakenfromaquartzcrystalmicrobalance ( QCM ) อ่าน