Fig. 7 showed the optical propertie

Fig. 7 showed the optical properties for films coated with as-prepared VO2 nanopowder. The tested films were prepared through coating nano-sized VO2 powders on the high transpar ency Teflon tape.The average amount of VO2 nanopowder coated on one square metre tape was about (0.15710%) g, which was calculated by weighting the change of the quantity of Teflon tape before and after coating. Fig. 7(a) was a typical SEM image for one of these films and the transmittance spectra corresponding to 20 C and 80 C for samples with different doping amount of tungsten were illustrated at Fig. 7(b). Table 2 listed the optical properties for films coated by VO2 powders with different doping amount of tungsten. The comprehensive properties of our powder and film were very nice. It reached a sufficiently high luminous transmittance (45–60%) and keeping the thermochromic effect in the infrared area very well. VO2 powders with such high quality had not been reported until now. Generally, its optical properties are comparable with high quality single layer VO2 film deposited by PVD. Slightly doping with tungsten did not decrease the optical properties while highly doped samples showed lower thermochromic effect in the infrared area. According to the model of Tang et al. [49], the incorporation of W atoms leads to the loss of V4þ–V4þ pairs, which are essential for the crystal structure of the semiconducting VO2 phase [3,50]. Elements doping destabilize the semiconducting phase and consequently lower the semicon-ductor–metal phase transition temperature. At the same time, doping with W atoms increase the concentration of free electrons and the switching property will deteriorate with high doping content. Given the relatively lower starting point of tungsten doping for decreasing the tc of VO2, our prepared powders can approach the practicable temperature by slightly doping of tungsten without deteriorating the thermochromic properties, which made this powder very suitable for practical application.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มะเดื่อ 7 พบว่าคุณสมบัติทางแสงสำหรับภาพยนตร์เคลือบด้วยเช่นเตรียม VO2 nanopowder ภาพยนตร์ที่ได้รับการทดสอบถูกจัดเตรียมผ่านการเคลือบขนาดนาโน VO2 แปสูงโปร่งใสจำนวน ency เทฟลอนเฉลี่ย tape.the ของ VO2 nanopowder เคลือบบนเทปหนึ่งเมตรตารางประมาณ (0.15710%) กรัมซึ่งได้รับการคำนวณโดยการถ่วงน้ำหนักการเปลี่ยนแปลงของปริมาณ ของเทปเทฟลอนก่อนและหลังการเคลือบ มะเดื่อ7 () เป็นภาพ SEM ปกติสำหรับหนึ่งในภาพยนตร์เหล่านี้และสเปกตรัมการส่งผ่านที่สอดคล้องกับ 20 C และ 80 C สำหรับตัวอย่างที่มีจำนวนแตกต่างกันของยาสลบทังสเตนได้รับการแสดงที่มะเดื่อ 7 (ข) ตารางที่ 2 แสดงคุณสมบัติของเลนส์สำหรับภาพยนตร์เคลือบด้วยผง VO2 กับจำนวนเงินที่แตกต่างกันของยาสลบทังสเตน คุณสมบัติที่ครอบคลุมของผงและภาพยนตร์ของพวกเราดีมากมันก็มาถึงการส่งผ่านแสงสูงพอสมควร (45-60%) และการรักษาผล thermochromic ในพื้นที่อินฟราเรดได้เป็นอย่างดี VO2 ผงที่มีคุณภาพสูงดังกล่าวยังไม่ได้รับรายงานจนถึงขณะนี้ โดยทั่วไปคุณสมบัติของเลนส์ที่มีคุณภาพเทียบเคียงกับฟิล์มชั้นเดียวสูง VO2 โดยฝาก PVDเล็กน้อยยาสลบกับทังสเตนไม่ได้ลดคุณสมบัติของเลนส์ในขณะที่กลุ่มตัวอย่างเจือสูงแสดงให้เห็นผลกระทบ thermochromic ที่ลดลงในพื้นที่อินฟราเรด ตามรูปแบบของอัล Tang et [49], การรวมตัวกันของอะตอม w นำไปสู่​​การสูญเสียของv4þ-v4þคู่ซึ่งมีความจำเป็นสำหรับโครงสร้างผลึกของสารกึ่งตัวนำ VO2 เฟส [3,50]องค์ประกอบยาสลบมั่นคงในระยะกึ่งตัวนำและจึงลด SEMICON-ductor โลหะอุณหภูมิช่วงหัวเลี้ยวหัวต่อ ในเวลาเดียวกัน, ยาสลบกับอะตอม w เพิ่มความเข้มข้นของอิเล็กตรอนอิสระและคุณสมบัติการเปลี่ยนจะเสื่อมที่มีเนื้อหายาสลบสูง กำหนดจุดเริ่มต้นที่ค่อนข้างต่ำของการเติมทังสเตนสำหรับ TC ลดลงจาก VO2,ผงที่เตรียมของเราสามารถเข้าใกล้อุณหภูมิทำได้โดยเล็กน้อยยาสลบของทังสเตนโดยไม่ต้องทวีความรุนแรงขึ้นคุณสมบัติ thermochromic ซึ่งทำให้ผงนี้มากเหมาะสำหรับการใช้งานจริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

7 Fig. ที่แสดงให้เห็นว่าคุณสมบัติแสงของฟิล์มที่เคลือบ ด้วย nanopowder VO2 เตรียมเป็น ฟิล์มทดสอบได้เตรียมผ่านเคลือบขนาดนาโน VO2 ผงบน transpar สูง ency เทปเทฟลอนกำลังเฉลี่ยของ VO2 nanopowder เคลือบบนเทปหนึ่งตารางเมตร (0.15710%) g ซึ่งมีคำนวณ โดยน้ำหนักเปลี่ยนแปลงปริมาณของเทฟลอนเทปก่อน และ หลังการเคลือบ ฟิก 7(a) มีรูป SEM โดยทั่วไปสำหรับภาพยนตร์เหล่านี้อย่างใดอย่างหนึ่ง และแรมสเป็คตรา transmittance ที่สอดคล้องกับ 20 C และ C 80 ตัวอย่างมีจำนวน doping อื่นทังสเตนได้แสดงที่ Fig. 7(b) ตารางที่ 2 แสดงคุณสมบัติของออพติคอลฟิล์มที่เคลือบ ด้วยผง VO2 กับเงินอื่น doping ทังสเตน คุณสมบัติของผงและฟิล์มของเราครอบคลุมมากขึ้น มาถึง transmittance ลูมินัสสูงเพียงพอ (45–60%) และการรักษาผล thermochromic ในอินฟราเรดดี ผง VO2 มีคุณภาพดังกล่าวก็ไม่ได้รายงานจนถึงขณะนี้ ทั่วไป คุณสมบัติของแสงได้เทียบเท่ากับชั้นเดียวคุณภาพฟิล์ม VO2 ฝาก ด้วย PVD เล็กน้อยโดปปิงค์กับทังสเตนไม่ไม่ลดคุณสมบัติแสงในขณะที่ตัวอย่างสูง doped พบผล thermochromic ล่างตั้งอินฟราเรด ตามรูปแบบของถัง et al. [49], รวมตัวกันของอะตอม W นำไปสู่การสูญเสียของคู่ V4þ–V4þ ซึ่งเป็นสิ่งจำเป็นสำหรับโครงสร้างผลึกของตัว VO2 ระยะ [3.50] องค์ประกอบที่โดปปิงค์เสถียรภาพระยะตัว และจึง ลดอุณหภูมิเปลี่ยนระยะ semicon ductor–metal ในเวลาเดียวกัน โดปปิงค์กับ W อะตอมเพิ่มความเข้มข้นของอิเล็กตรอนอิสระ และคุณสมบัติสลับจะเสื่อม มีเนื้อหา doping สูง กำหนดจุดเริ่มต้นค่อนข้างต่ำของทังสเตนโดปปิงค์สำหรับลด tc ของ VO2 ผงเตรียมไว้ของเราสามารถเข้า practicable อุณหภูมิ โดยเล็กน้อยโดปปิงค์ทังสเตนโดยคุณสมบัติ thermochromic ที่ทำผงนี้เหมาะมากสำหรับภาคที่เสื่อมสภาพ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูป. 7 แสดงให้เห็นถึงคุณสมบัติของออปติคอลไดรฟ์สำหรับ ภาพยนตร์ เคลือบด้วย nanopowder VO 2 ที่เตรียมไว้ ภาพยนตร์ ที่ได้รับการทดสอบได้เตรียมความพร้อมโดยการเคลือบนาโนไดมอนด์ขนาดกลาง VO 2 ปนเปื้อนบนที่สูง transpar ency ( Teflon tape )รอบๆ.โดยเฉลี่ยของปีก่อนที่มีจำนวน VO 2 nanopowder เคลือบบนหนึ่งตารางเมตรเทปเป็นเรื่อง( 0.15710% ) g ซึ่งจะคำนวณโดยขานชื่อให้เปลี่ยนของปริมาณของ( Teflon tape )รอบๆก่อนและหลังการเคลือบด้วย. รูป.7 ( a )เป็นความหมายอย่างไรต่อ ภาพ ตามแบบอย่างของหนึ่งในนี้และ ภาพยนตร์ ที่ transmittance Spectra ที่เกี่ยวข้องกับ 20 C และ 80 C สำหรับตัวอย่างมีความแตกต่างกันตามจำนวนของ doping ทังสเตนก็มี ภาพ ประกอบที่รูป. 7 ( B ) ตารางที่ 2 ในรายการคุณสมบัติของออปติคอลไดรฟ์ออกสำหรับ ภาพยนตร์ เคลือบโดยเจ้า VO 2 พร้อมด้วยจำนวนเงิน doping แตกต่างกันของทังสเตน คุณสมบัติที่ครอบคลุมของ ภาพยนตร์ และผงของเราเป็นที่สวยงามเป็นอย่างมากจะถึงระดับสูงพอสว่างสดใส transmittance ( 45-60 45-60 45-60% )และการรักษาไว้ซึ่งมีผลในตัวที่ไวต่อความร้อนที่มีอยู่ในพื้นที่อินฟราเรดได้เป็นอย่างดีเป็นอย่างมาก ปนเปื้อน VO 2 พร้อมด้วย คุณภาพ สูงนั้นไม่มีการรายงานว่าจนถึงบัดนี้ โดยทั่วไปแล้วคุณสมบัติของออปติคอลไดรฟ์ของบริษัทมีเท่ากันพร้อมด้วย ภาพยนตร์ แบบ Single Layer VO 2 คุณภาพ สูงมอบไว้โดย pvd.doping เล็กน้อยพร้อมด้วยทังสเตนก็ไม่ได้ลดลงคุณสมบัติของออปติคอลไดรฟ์ออกในขณะที่ตัวอย่าง doped สูงแสดงให้เห็นผลในตัวที่ไวต่อความร้อนต่ำกว่าในพื้นที่อินฟราเรด ตามรุ่นของราชวงศ์ Tang et al . [ 49 ]รวมของอะตอม W นำไปสู่การสูญเสียของ V 4 þ - V 4 þคู่ซึ่งมีความสำคัญอย่างยิ่งสำหรับโครงสร้างคริสตัลของขั้นตอน VO 2 semiconducting [ 3,50 ]doping องค์ประกอบบ่อนทำลายขั้นตอน semiconducting ที่ต่ำกว่าและผลการเปลี่ยนแปลง อุณหภูมิ semicon - ductor - โลหะขั้นตอนที่ ในช่วงเวลาเดียวกันที่อะตอม doping กับ W เพิ่มความเข้มข้นของอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอแบบไม่เสียค่าบริการและที่พักการสลับใช้ได้จะยิ่งเลวร้ายลงด้วยเนื้อหา doping สูง ให้จุดเริ่มต่ำของ doping ทังสเตนลดลง TC ของ VO 2ปนเปื้อนเตรียมความพร้อมของเราสามารถเข้าถึงระดับ อุณหภูมิ ที่สามารถปฏิบัติได้โดยเล็กน้อย doping ของทังสเตนโดยไม่ทำให้เสื่อม สภาพ ซึ่งคุณสมบัติในตัวที่ไวต่อความร้อนซึ่งทำให้ผงแห่งนี้เหมาะสมเป็นอย่างมากสำหรับแอปพลิเคชัน: