Training Solutions Inc.Junction Def

Training Solutions Inc.
Junction Defect Detection (cont.)-
Fig.2 depicts the sensitivity of the EBIC technique.
The EBIC image reveals the location of EOS
damage on an input protection diode. A closer look
of the image reveals a replica of crystallographic
damage, which occurred during thermal runaway. A
current filament formed in the high ohmic P- silicon,
and current spreading at the transition point of the
low ohmic N+ substrate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฝึกโซลูชั่น อิงค์ตรวจหาข้อบกพร่องทาง (cont) -Fig.2 แสดงให้เห็นระดับความสำคัญของเทคนิค EBICรูป EBIC เปิดเผยตำแหน่งของ EOSความเสียหายบนตัวไดโอดป้องกันอินพุต มองใกล้ของรูปแบบจำลองของ crystallographic เปิดเผยความเสียหาย ที่เกิดขึ้นในระหว่างรันอเวย์ร้อน Aเกิดขึ้นในสูงแบบโอห์มมิค P-ซิลิคอน ใยปัจจุบันและปัจจุบันแพร่กระจายจุดเปลี่ยนของการต่ำแบบโอห์มมิค N + พื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การฝึกอบรมโซลูชั่นอิงค์
Junction การตรวจสอบข้อบกพร่อง (ต่อ.) -
รูปที่ 2 แสดงให้เห็นถึงความไวของเทคนิคที่ EBIC.
ภาพ EBIC เผยให้เห็นตำแหน่งของ EOS
ความเสียหายในไดโอดป้องกันการป้อนข้อมูล มองใกล้ของภาพที่แสดงให้เห็นแบบจำลองของ crystallographic ความเสียหายที่เกิดขึ้นในระหว่างการหลบหนีความร้อน เส้นใยปัจจุบันเกิดขึ้นในซิลิกอน P- ohmic สูงในปัจจุบันและการแพร่กระจายที่จุดการเปลี่ยนแปลงของโอห์มมิกต่ำN + พื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การฝึกอบรมโซลูชั่นอิงค์
ตรวจจับข้อบกพร่องชุมทาง ( ต่อ ) -
fig.2 แสดงความไวของเทคนิค ebic .
ภาพ ebic แสดงตำแหน่งของกล้อง
ความเสียหายในการป้อนข้อมูลการไดโอด มองใกล้
ของภาพแสดงแบบจําลองความเสียหายทาง
ซึ่งเกิดขึ้นระหว่างความร้อนที่หนีไป เป็นกระแสที่เกิดขึ้นในเส้นใยสูง

ค่า P - ซิลิคอนและปัจจุบันการแพร่กระจายจุดการเปลี่ยนแปลงของค่า n

ต่ำ ทนทาน