At very large currents, usually mor

At very large currents, usually more than 100 A, the varistor characteristics are
dominated by the low value bulk resistance Rbulk of the device. Usually, varistors
are fabricated in the form of discs and hence have large parasitic capacitance values
in the range of 0.2–10 nF. Including the inductance of the varistor leads will complete
the equivalent circuit of the varistor, which is shown in Figure 5.11.
Varistors are fast acting devices with response times less than 0.5 ns, if parasitic
inductance due to leads can be avoided. The performance of varistors is affected by
temperature. Excessive leakage currents can raise the temperature of the varistor.
Because the varistor has a negative temperature coefficient, the current will increase
as it become hotter, which will increase the current even further, resulting finally in
a thermal runaway. Varistors are usually used in protecting electronic systems from
transient overvoltages that propagate on the mains. There are various varistor
models that have been developed in the recent past that are being used for various
applications and depend upon the type of varistor used.
Energy absorbed in the ceramic of a varistor is distributed throughout the ceramic at
numerous grain boundaries rather than a single junction as in other semiconductor
voltage clamping devices. Varistors can withstand single pulse transients up to
150 per cent of their rated current, but may fail at multipulse transients at 75 per
cent of peak rated current. When energized at power system operating voltage, they
could only withstand 40 per cent of the rated current in a multipulse environment [26].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่กระแสมาก มักจะมีมากกว่า 100 A ลักษณะวาริสเตอร์ได้ครอบงำ โดยความต้านทานจำนวนมากมูลค่าต่ำ Rbulk ของอุปกรณ์ วาริสเตอร์มักจะมีประดิษฐ์ในรูปแบบของดิสก์ และจึง มีค่าความจุปรสิตที่มีขนาดใหญ่ในช่วง 0.2-10 nF รวมทั้งการเหนี่ยวนำของวาริสเตอร์ลูกค้าเป้าหมายจะเสร็จสมบูรณ์วงจรเทียบเท่าของวาริสเตอร์ ซึ่งจะแสดงในรูปที่ 5.11วาริสเตอร์เป็นอุปกรณ์ทำหน้าที่อย่างรวดเร็ว ด้วยเวลาการตอบสนองน้อยกว่า 0.5 ns ถ้าปรสิตการเหนี่ยวนำเนื่องจากลูกค้าเป้าหมายสามารถหลีกเลี่ยง ประสิทธิภาพการทำงานของวาริสเตอร์ได้รับผลกระทบโดยอุณหภูมิ กระแสรั่วไหลมากเกินไปสามารถเพิ่มอุณหภูมิของวาริสเตอร์เนื่องจากวาริสเตอร์มีสัมประสิทธิ์อุณหภูมิติดลบ ปัจจุบันจะเพิ่มขึ้นมันกลายเป็นร้อน ซึ่งจะเพิ่มขึ้นในปัจจุบันได้อีก ผลสุดท้ายในความร้อนหนี วาริสเตอร์มักจะใช้ในการปกป้องระบบอิเล็กทรอนิกส์overvoltages ชั่วคราวที่เผยแพร่บนไฟ มี varistor ต่าง ๆมีการใช้รูปแบบที่ได้รับการพัฒนาในอดีตที่ล่าต่าง ๆการใช้งาน และขึ้นอยู่กับชนิดของวาริสเตอร์ที่ใช้พลังงานที่ดูดซึมในเซรามิกของวาริสเตอร์เป็นกระจายทั่วเซรามิคที่ขอบเขตของเกรนมากมายแทนที่เป็นแยกเดียวในสารกึ่งตัวนำอื่น ๆแรงดันไฟฟ้าหนีบอุปกรณ์ วาริสเตอร์สามารถทนต่อทรานชีพจรเดียวถึง150% ของพิกัดกระแสของพวกเขา แต่อาจล้มเหลวในทราน multipulse 75 ต่อร้อยละของช่วงคะแนนปัจจุบัน เมื่อมีพลังงานในระบบไฟฟ้ากำลังไฟฟ้า พวกเขาเท่านั้นสามารถทนต่อ 40 เปอร์เซ็นต์ของพิกัดกระแสในสภาพแวดล้อม multipulse [26]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในกระแสที่มีขนาดใหญ่มากมักจะมากกว่า 100 ลักษณะวาริสเตอร์จะถูก
ครอบงำโดยค่าต่ำต้านทานกลุ่ม Rbulk ของอุปกรณ์ โดยปกติวาริสเตอร์
จะถูกประดิษฐ์ในรูปแบบของแผ่นและด้วยเหตุนี้มีขนาดใหญ่ความจุค่าปรสิต
ในช่วง 0.2-10 nF รวมทั้งนำไปสู่การเหนี่ยวนำของวาริสเตอร์ที่จะเสร็จสิ้น
วงจรสมมูลของวาริสเตอร์ซึ่งเป็นที่แสดงในรูปที่ 5.11.
วาริสเตอร์เป็นอุปกรณ์ที่ทำหน้าที่ได้อย่างรวดเร็วด้วยเวลาการตอบสนองน้อยกว่า 0.5 NS ถ้าพยาธิ
เหนี่ยวนำเนื่องจากโอกาสในการขายสามารถหลีกเลี่ยงได้ ประสิทธิภาพการทำงานของวาริสเตอร์ได้รับผลกระทบจาก
อุณหภูมิ การรั่วไหลของกระแสมากเกินไปอาจเพิ่มอุณหภูมิของวาริสเตอร์ได้.
เพราะวาริสเตอร์มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิติดลบในปัจจุบันจะเพิ่มขึ้น
ในขณะที่มันกลายเป็นร้อนซึ่งจะเพิ่มขึ้นในปัจจุบันให้ดียิ่งขึ้นส่งผลให้ในที่สุด
หนีความร้อน วาริสเตอร์มักจะใช้ในการปกป้องระบบอิเล็กทรอนิกส์จาก
overvoltages ชั่วคราวที่เผยแพร่บนไฟ มีวาริสเตอร์ต่างๆที่มี
รูปแบบที่ได้รับการพัฒนาในอดีตที่ผ่านมาที่มีการใช้ต่าง ๆ
การใช้งานและขึ้นอยู่กับชนิดของวาริสเตอร์ใช้.
พลังงานดูดซึมในเซรามิกของวาริสเตอร์จะถูกกระจายไปทั่วเซรามิกที่
ข้าวเขตแดนมากมายมากกว่าเดียว แยกเป็นในสารกึ่งตัวนำอื่น ๆ
อุปกรณ์ป้องกันไฟกระโชก วาริสเตอร์สามารถทนต่อการเต้นของชีพจรชั่วคราวเดียวถึง
ร้อยละจัดอันดับในปัจจุบันของพวกเขาต่อ 150 แต่อาจล้มเหลวที่ชั่วคราว multipulse ที่ 75 ต่อ
ร้อยละของยอดจัดอันดับในปัจจุบัน เมื่อพลังที่แรงดันไฟฟ้าปฏิบัติการระบบไฟฟ้าที่พวกเขา
จะสามารถทนต่อร้อยละของการจัดอันดับในปัจจุบันละ 40 ในสภาพแวดล้อมที่ multipulse [26]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ที่กระแสขนาดใหญ่มากมักจะมากกว่า 100 , บารอมิเตอร์ลักษณะมีการปกครองโดยกลุ่ม rbulk มูลค่าต่ำความต้านทานของอุปกรณ์ วาริสเตอร์มีปกติถูกสร้างในรูปแบบของแผ่นดิสก์และด้วยเหตุนี้มีความจุปรสิตขนาดใหญ่ค่าในช่วง 0.2 - 10 นาโนฟารัด . รวมทั้งการเหนี่ยวนำของวาริสเตอร์จะสมบูรณ์นักจากวงจรสมมูลของ Varistor ซึ่งแสดงในรูปที่ 5.11 .วาริสเตอร์มีอุปกรณ์กับเวลาการตอบสนองที่รวดเร็วแสดงน้อยกว่า 0.5 NS ถ้าพยาธิการเหนี่ยวนำเนื่องจากทำให้สามารถหลีกเลี่ยงได้ ประสิทธิภาพของวาริสเตอร์มีได้รับผลกระทบโดยอุณหภูมิ การรั่วไหลของกระแสมากเกินไป สามารถเพิ่มอุณหภูมิของบารอมิเตอร์ .เพราะสมดุลมีสัมประสิทธิ์อุณหภูมิเป็นลบ ปัจจุบันจะเพิ่มขึ้นมันกลายเป็นร้อน ซึ่งจะเพิ่มปัจจุบันยิ่งขึ้น ซึ่งสุดท้ายในหนีความร้อน วาริสเตอร์มีมักจะใช้ในการปกป้องระบบอิเล็กทรอนิกส์จากชั่วคราว overvoltages ที่เผยแพร่บนไฟ . มี สมดุลต่าง ๆรุ่นที่ได้รับการพัฒนาในอดีตที่ผ่านมานั้นมีการใช้หลากหลายการใช้งานและขึ้นอยู่กับชนิดของบารอมิเตอร์ใช้ .พลังงานดูดซึมในเซรามิกของวาริสเตอร์มีกระจายทั่วเซรามิคหลายรอยเม็ดมากกว่าแยกเดี่ยวในสารกึ่งตัวนำอื่น ๆที่หนีบไฟฟ้าอุปกรณ์ วาริสเตอร์มีสามารถทนต่อชั่วคราวชีพจรเดียวขึ้น150 เปอร์เซ็นต์ของพวกเขาอยู่ในปัจจุบัน แต่อาจล้มเหลวใน multipulse ชั่วคราวอยู่ที่ 75 บาทร้อยละของคะแนนสูงสุดในปัจจุบัน เมื่อพลังงานในระบบพลังงานไฟฟ้า พวกเขาสามารถทนต่อ 40 ร้อยละของพิกัดกระแสในสภาพแวดล้อม multipulse [ 26 ]