The device physics of the BSWCNT-ba

The device physics of the BSWCNT-based power diodes is unique because the BSWCNT-based power diode has a wide lightly doped layer in addition to a bridged p-n junction with p-type BSWCNT in order to support high reverse breakdown voltage and fast reverse recovery, among others. This layer significantly lowers the ohmic-resistance during the diode's forward conduction state, and stores the electronic charge. In addition, BSWCNT-based-power diode introduces recombination centers in the device to achieve short reverse recovery time, soft recovery, high breakdown voltage and a
low forward voltage drop at the rated forward current.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิสิกส์ของอุปกรณ์ไดโอดอำนาจ BSWCNT ตามเป็นพิเศษเพราะไดโอดอำนาจตาม BSWCNT มีชั้นกว้างเจือเบา ๆ นอกเหนือไปจากทางแยกสะพาน PN กับ BSWCNT ชนิดพีเพื่อรองรับแรงดันไฟฟ้าเสียสูงย้อนกลับและการกู้คืนได้อย่างรวดเร็วกลับ ท่ามกลางคนอื่น ๆ ชั้นนี้อย่างมีนัยสำคัญช่วยลดความต้านทานโอห์มมิกระหว่างรัฐการนำไปข้างหน้าของไดโอดและเก็บประจุ นอกจากนี้ BSWCNT ตามพลังงานไดโอดแนะนำศูนย์รวมตัวกันอีกในเครื่องเพื่อให้บรรลุเวลาการกู้คืนกลับสั้น, การกู้คืนความอ่อนนุ่มและแรงดันไฟฟ้าเสียสูงและ
แรงดันไปข้างหน้าในระดับต่ำที่ปัจจุบันจัดอันดับไปข้างหน้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุปกรณ์ทางฟิสิกส์ของ bswcnt อำนาจตามไดโอดเป็นเอกลักษณ์เพราะ bswcnt ใช้เพาเวอร์ไดโอดมีกว้างเบาๆเจือชั้น นอกจากจะเป็นสะพานที่ทอด p-n แยก bswcnt พี เพื่อรองรับแรงดันสูงและกู้คืนรายละเอียดย้อนกลับย้อนกลับอย่างรวดเร็วในหมู่คนอื่น ๆ ชั้นนี้อย่างมีนัยสำคัญช่วยลดความต้านทานค่าระหว่างไดโอดไปข้างหน้าของการรัฐและเก็บประจุไฟฟ้า นอกจากนี้ bswcnt อำนาจตามศูนย์ recombination ไดโอดตัวในอุปกรณ์เพื่อให้บรรลุสั้นเวลาการกู้คืนการกู้คืนกลับนุ่ม แรงดันรายละเอียดสูงและต่ำไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้า
ที่จัดอันดับเป็นอย่างยิ่งในปัจจุบัน