The depth at which the ions are imp

The depth at which the ions are implanted is mainly determined by the energy and the atomic number of the ions, as well as the atomic number of the substrate material. This can be easily understood because, as an impinging ion penetrates the semiconductor, it undergoes collisions with atoms and electrical repulsion with the surrounding electrons. The distance traveled between collisions and the amount of energy lost per collision are
determined by a random process. Hence, even though all the ions are of the same type and have the same incident energy, they do not necessarily yield the same implantation depth. Instead, there is a distribution of depths represented by a standard deviation, called the straggle ΔRp. Using Fig. 2.20, the impurity concentration at a given depth x can be found if the acceleration energy EA is known:

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ความลึกที่ไอออนที่มีการปลูกจะถูกกำหนดโดยส่วนใหญ่พลังงานและเลขอะตอมของไอออนที่เป็นเลขอะตอมของวัสดุที่พื้นผิว นี้สามารถเข้าใจได้ง่ายเพราะเป็นไอออนกระทบแทรกซึมเซมิคอนดักเตอร์ที่มันผ่านการชนกับอะตอมและเขม่นไฟฟ้าที่มีอิเล็กตรอนที่อยู่โดยรอบระยะทางที่เดินทางระหว่างการชนกันและปริมาณของพลังงานที่สูญเสียต่อการปะทะกันเป็น
กำหนดโดยกระบวนการสุ่ม ด้วยเหตุนี้แม้ว่าไอออนทั้งหมดเป็นชนิดเดียวกันและมีพลังงานเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นเหมือนกัน แต่ก็ไม่จำเป็นต้องให้ความลึกฝังเดียวกัน แทนที่จะมีการกระจายตัวของความลึกที่แสดงโดยส่วนเบี่ยงเบนมาตรฐานที่เรียกว่าΔrpเรี่ยราด ใช้มะเดื่อ 2.20,ความเข้มข้นของการปนเปื้อนที่ระดับความลึก x ที่กำหนดสามารถพบได้ถ้าอีพลังงานเร่งเป็นที่รู้จักกัน:

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ส่วนใหญ่มีกำหนดความลึกที่ implanted ประจุ โดยพลังงาน และจำนวนอะตอมประจุ เป็นเลขอะตอมของวัสดุพื้นผิว ซึ่งสามารถจะเข้าใจเนื่องจาก เป็นไอออน impinging การแทรกซึมในสารกึ่งตัวนำ ทนี้ไม่เกิดการชนกับอะตอมและ repulsion ไฟฟ้า ด้วยอิเล็กตรอนรอบ ๆ ระยะทางที่เดินทางระหว่างตาม และมีจำนวนของพลังงานที่สูญเสียต่อชน
กำหนดโดยกระบวนการสุ่ม ผลดังนั้น แม้ประจุทั้งหมดเป็นชนิดเดียวกัน และมีพลังงานในเหตุการณ์เดียวกัน พวกเขาไม่จำเป็นต้องผลิตความลึกฤทธิ์เดียวกัน แต่ มีการกระจายของความลึกที่แสดง ด้วยค่าเบี่ยงเบนมาตรฐาน เรียกว่า straggle ΔRp ใช้ Fig. 2.20 ความเข้มข้นของมลทินที่ความลึกกำหนด x สามารถพบถ้าพลังงานเร่งเอ:

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความลึกที่เพิ่มพลังไอออนที่มีปลูกถ่ายจะถูกกำหนดโดยใช้พลังงานปรมาณูและหมายเลขของไอออนและหมายเลขปรมาณูของสารที่เป็นหลัก โรงแรมแห่งนี้สามารถทำความเข้าใจได้อย่างง่ายดายเพราะเป็นไอออนดู impact ที่แทรกซึมเซมิคอนดักเตอร์ที่น่ารังเกียจรางระบายการชนกันพร้อมด้วยระดับอะตอมและไฟฟ้าพร้อมด้วยอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอโดยรอบระยะที่เดินทางผ่านมาระหว่างการชนกันและปริมาณการใช้พลังงานสูญหายไปต่อจากอุบัติเหตุมี
ถูกกำหนดโดยการสุ่ม ดังนั้นแม้จะเพิ่มพลังไอออนทั้งหมดที่มี ประเภท เดียวกันและสามารถใช้งานได้และจะต้องมีพลังงานปัญหาเดียวกับที่จะไม่ยอมจำนนความลึกปลูกเหมือนกับที่จำเป็นต้อง แต่มีการกระจายของลึกแทนโดยการผูกกับการเบี่ยงเบน(แบบมาตรฐานที่เรียกว่า δrp ล้าหลังที่ การใช้รูป. 2.20การให้ความเอาใจใส่ไม่บริสุทธิ์ที่ความลึกให้ X สามารถพบได้ถ้า EA พลังงานการเร่งความเร็วที่มีชื่อเสียง