During doping, small fraction silic

During doping, small fraction silicon atoms are replaced by electron-rich or electron-poor atoms to create n-type and p-type semiconductors, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ระหว่างโดปปิงค์ อะตอมซิลิคอนส่วนเล็ก ๆ จะถูกแทนที่ ด้วยอะตอมอิเล็กตรอนรวย หรือคน จนอิเล็กตรอนเพื่อสร้างชนิด n และชนิด p อิเล็กทรอนิกส์ ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในช่วงยาสลบเศษเล็ก ๆ อะตอมซิลิกอนจะถูกแทนที่ด้วยอะตอมอิเล็กตรอนอิเล็กตรอนรวยหรือยากจนเพื่อสร้างชนิดเอ็นและเซมิคอนดักเตอร์ชนิดพีตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วนเล็กๆในการเติมอะตอมซิลิกอนจะถูกแทนที่โดยอิเล็กตรอนอิเล็กตรอนอะตอม รวย หรือ จนสร้างทั่วไปพีและเซมิคอนดักเตอร์ ตามลำดับ