In ไบอัสตรง บริเวณ the characterist

In ไบอัสตรง บริเวณ the characteristics of a silicon diode shift to the left at a rate of 2.5 mV per centigrade degree increase in temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในไบอัสตรงบริเวณ ลักษณะของซิลิคอนไดโอดเลื่อนไปทางซ้ายในอัตรา 2.5 mV ต่อปริญญาองศาเซลเซียสอุณหภูมิเพิ่มขึ้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในไบอัสตรงบริเวณลักษณะของการเปลี่ยนซิลิกอนไดโอดไปทางซ้ายในอัตรา 2.5 mV ต่อการเพิ่มขึ้นของการศึกษาระดับปริญญาเซนติเกรดอุณหภูมิที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในไบอัสตรงบริเวณลักษณะของซิลิคอนไดโอด กะให้เหลือในอัตรา 2.5 MV ต่อเพิ่มองศาเซนติเกรดอุณหภูมิ