Pure and Al-doped ZnO ceramics were

Pure and Al-doped ZnO ceramics were prepared by conventional solid state sintering high pressure treated powders, as reported previously [16] and [17]. High purity ZnO (99.9%, Aladdin) and Al (99.9%, Aladdin) were used as the starting materials. The pressed pellets were finally sintered at temperatures of 1150 °C for 2 h in air. The bulk density was obtained using the Archimedes method. The crystalline phase identification was determined using X-ray diffractometry (X'pert Pro, PANalytical, the Netherlands) with Cu Kα radiation. The microstructures of the ZnO ceramic pieces were characterized by scanning electron microscopy (SEM, FEI Quanta 250, USA). The chemical bonding states were analyzed by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) equipped with an Al Kα X-ray source. After polishing and cleaning, silver paste was coated on both sides of the ZnO pieces, and the electrode contacts were cured at 100 °C for 3 h. Finally, after aging for 24 h, the dielectric response and AC impedance spectra of the specimens were measured using an Agilent 4294A Precision LCR Meter (Agilent Technologies Inc. USA) over a frequency range of 40–10 M Hz. The AC conductivity was calculated with the formula σAC = ω·ε0·ε′·tanδ (ω is the angular frequency).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บริสุทธิ์ และ เจืออัลเซรามิกส์ ZnO วจัดโดยทั่วไปสถานะของแข็งเผาผงรักษาแรงดันสูง ตามรายงานก่อนหน้านี้ [16] [17] ZnO (99.9% อะลาดิน) มีความบริสุทธิ์สูงและอัล (99.9%, Aladdin) ถูกใช้เป็นวัสดุเริ่มต้น เม็ดกดได้ก็เผาที่อุณหภูมิ 1150 องศาเซลเซียสสำหรับ h 2 ในอากาศ ความหนาแน่นได้รับโดยใช้วิธีการคิ รหัสเฟสผลึกที่ถูกกำหนดด้วย Cu Kα รังสี X-ray diffractometry (X'pert Pro, PANalytical ประเทศเนเธอร์แลนด์) โครงสร้างระดับจุลภาคของเซรามิกชิ้น ZnO ถูกลักษณะ โดยการสแกนกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM เฟยควอนตั้ม 250 สหรัฐอเมริกา) รัฐพันธะเคมีถูกวิเคราะห์ โดย X-ray photoelectron สเปกโทรสโก (XPS) พร้อมกับแหล่งอัล Kα X-ray หลังจากขัด และทำความสะอาด วางเงินถูกเคลือบทั้งสองด้านของชิ้นส่วน ZnO และติดต่ออิเล็กโทรดถูกรักษาที่ 100 ° C เป็นเวลา 3 ชั่วโมง ในที่สุด หลังอายุ 24 ชั่วโมง การตอบสนองที่เป็นฉนวนและสเปกตรัมความต้านทาน AC ตัวอย่างถูกวัดโดยใช้การ Agilent 4294A แม่นยำ LCR มิเตอร์ (Agilent เทคโนโลยี Inc. USA) ในช่วงความถี่ของ M 40 – 10 Hz คำนวณการนำ AC กับ σAC สูตร = ω·ε0·ε′·tanδ (ωคือ ความถี่เชิงมุม)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บริสุทธิ์และอัลเจือเซรามิกส์ ZnO ถูกจัดทำขึ้นโดยผง Solid State เผาแรงดันสูงได้รับการรักษาแบบเดิมที่รายงานก่อนหน้านี้ [16] และ [17] มีความบริสุทธิ์สูงซิงค์ออกไซด์ (99.9%, Aladdin) และอัล (99.9%, Aladdin) ถูกนำมาใช้เป็นวัสดุเริ่มต้น เม็ดกดในที่สุดก็ถูกเผาที่อุณหภูมิ 1,150 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 2 ชั่วโมงในอากาศ ความหนาแน่นที่ได้รับโดยใช้วิธี Archimedes บัตรประจำตัวผลึกถูกกำหนดโดยใช้รังสีเอ็กซ์มาตรการเลี้ยวเบน (X'pert Pro, PANalytical เนเธอร์แลนด์) กับการฉายรังสี Cu Kα โครงสร้างจุลภาคของชิ้นเซรามิก ZnO โดดเด่นด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน (SEM เฟควอนตั้ม 250, USA) รัฐพันธะเคมีวิเคราะห์ X-ray โฟโตอิเล็กตรอนสเปกโทรสโก (XPS) พร้อมกับแหล่งที่มาเอ็กซ์เรย์อัลKα หลังจากขัดและทำความสะอาดวางเงินเคลือบทั้งสองด้านของชิ้นซิงค์ออกไซด์และอิเล็กโทรดรายชื่อหายที่ 100 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 3 ชั่วโมง ในที่สุดหลังจากริ้วรอยเป็นเวลา 24 ชั่วโมง, การตอบสนองอิเล็กทริกและเอซีต้านทานสเปกตรัมของตัวอย่างที่ถูกวัดโดยใช้ Agilent 4294A Precision LCR Meter (Agilent Technologies Inc. USA) ในช่วงความถี่ของ M 40-10 เฮิร์ตซ์ การนำ AC ที่คำนวณด้วยสูตรσAC = ω·ε0·ε·tanδ (ωคือความถี่เชิงมุม)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บริสุทธิ์และอัลด้วยเช่นกัน เตรียมเซรามิกแบบ Solid State ความดันสูงรักษาผงเผา , ตามที่รายงานก่อนหน้านี้ [ 16 ] และ [ 17 ] ซิงค์ออกไซด์ความบริสุทธิ์สูง ( 99.9% , Aladdin ) และอัล ( 99.9% , Aladdin ) ใช้เป็นวัตถุดิบเริ่มต้น . การอัดเม็ดที่ได้จากเผาที่อุณหภูมิ 1150 องศา C เป็นเวลา 2 ชั่วโมง ในอากาศ ความหนาแน่นได้ใช้วิธีของอาร์คีมีดีส . รหัสเฟสผลึกถูกกำหนดโดยใช้เอกซ์เรย์ ( x"pert Pro , panalytical , เนเธอร์แลนด์ ) ที่มี Cu K αรังสี โครงสร้างของ ZnO เซรามิคชิ้นถูก characterized โดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด ( SEM , เฟย Quanta 250 , USA ) พันธะเคมี สหรัฐอเมริกา โดยใช้เครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy ( XPS ) พร้อมกับแหล่งรังสีเอกซ์ อัล เคα . หลังจากขัดและทำความสะอาด วาง เงินถูกเคลือบบนทั้งสองด้านของ ZnO ชิ้นและขั้วคอนแทคหายที่ 100 องศา C เป็นเวลา 3 ชั่วโมง ในที่สุด หลังจากอายุ 24 ชั่วโมง ตอบสนองการเอซีอิมพีแดนซ์สเปกตรัมได้ทำการวัดการใช้เลนต์ 4294a ความแม่นยำ LCR เมตร ( Agilent Technologies Inc . USA ) มากกว่า มีช่วงความถี่ 40 – 10 M Hz . ค่าการนำไฟฟ้า AC คำนวณได้ด้วยสูตรσ AC = ω·ε 0 ·ε′·แทนδ ( ωคือความถี่เชิงมุม )