decrease in the shunt resistance of

decrease in the shunt resistance of modules owing to influence of Sodium on p-n junction seems to be main reason leading to potential-induced degradation in p-type silicon photovoltaic modules (shunting type mechanism (12)).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ลดลงในการต่อต้านแบ่งเนื่องจากมีอิทธิพลของโซเดียมใน p-n junction โมดูน่าจะ เป็นเหตุผลหลักที่นำไปย่อยสลายเกิดศักยภาพใน p-type ซิลิคอนอาทิตย์ (shunting กลไกชนิด (12))

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การลดลงของความต้านทาน shunt ของโมดูลเนื่องจากอิทธิพลของโซเดียมบนทางแยก PN น่าจะเป็นเหตุผลหลักที่นำไปสู่​​การสลายตัวที่อาจเกิดขึ้นที่เกิดขึ้นใน P-ประเภทโมดูลเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน (แบ่งกลไกชนิด (12))

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ลดความต้านทานของโมดูล shunt เนื่องจากอิทธิพลของโซเดียมใน p-n ชุมทางน่าจะเป็นเหตุผลหลักที่นำไปสู่ศักยภาพให้เกิดการย่อยสลายในพีแผงเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอน ( แบ่งกลไกประเภท ( 12 )