2. High triethylamine-sensing prope

2. High triethylamine-sensing properties of NiO/SnO2 hollow sphere P–N heterojunction sensors
Abstract
Triethylamine (TEA) gas sensor with high response and selectivity was fabricated successfully with PN heterojunction consisted of n-type SnO2 hollow spheres and p-type NiO nanoparticles. SnO2 hollow spheres were synthesized by a template-assisted hydrothermal method. The NiO/SnO2 P–N junction was formed by depositing NiO nanoparticles onto the surface of SnO2 hollow sphere sensors via a pulsed laser deposition (PLD) process. The response of NiO/SnO2 sensor is up to 48.6 when exposed to 10 ppm TEA gas, which is much higher than that of pristine SnO2 hollow spheres and most of other reported TEA sensors. The detection limit can also be as low as 2 ppm-level. Moreover, the optimal operating temperature is down to 220 °C, and 40 °C lower than that of the pristine SnO2 hollow sphere sensor. These good sensing performances mainly attribute to the formation of depletion layer at the P–N junction interface in the NiO/SnO2 sensor, which makes great variation of resistance in air and TEA gas. Thus, the combination of n-type SnO2 hollow spheres and p-type NiO nanoparticles provides an effective strategy to design new TEA gas sensors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. สูง triethylamine การตรวจคุณสมบัติของ NiO/SnO2 กลวงทรงกลม P – N heterojunction เซนเซอร์บทคัดย่อTriethylamine (ชา) ก๊าซเซ็นเซอร์ตอบสนองสูงและวิธีถูกหลังสร้างเสร็จเรียบร้อยแล้วกับ PN heterojunction ประกอบด้วยทรงกลมกลวง SnO2 ชนิด n และชนิด p NiO เก็บกัก ทรงกลมกลวง SnO2 ถูกสังเคราะห์ โดยวิธี hydrothermal ช่วยแม่ ก่อตั้งขึ้น โดยฝากเก็บกัก NiO ลงบนพื้นผิวของ SnO2 ทรงกลมกลวงเซ็นเซอร์ผ่านกระบวนการสะสม (PLD) พัลเลเซอร์แยก NiO/SnO2 P – N การตอบสนองของ NiO/SnO2 เซ็นเซอร์ถึง 48.6 เมื่อสัมผัส 10 ppm ชาแก๊ส ซึ่งจะสูงกว่าของ SnO2 ความกลวงทรงกลมและส่วนใหญ่ของเซนเซอร์ชารายงานอื่นๆ ได้ จำกัดตรวจสอบได้อย่างต่ำสุด 2 ระดับ ppm นอกจากนี้ อุณหภูมิทำงานสูงสุดคือจน ถึง 220 ° C และ 40 ° C ต่ำกว่าของทรงกลมกลวงเซ็นเซอร์เก่าแก่ของ SnO2 แสดง sensing ดีเหล่านี้ส่วนใหญ่แสดงการก่อตัวของการลดลงของชั้นที่อินเทอร์เฟสเชื่อมต่อ P – N ในการเซ็นเซอร์ NiO/SnO2 ซึ่งทำให้การเปลี่ยนแปลงของความต้านทานมากในอากาศและก๊าซชา ดังนั้น การรวมกันของทรงกลมกลวง SnO2 ชนิด n และชนิด p NiO เก็บกักให้กลยุทธ์มีประสิทธิภาพในการออกแบบเซ็นเซอร์แก๊สชาใหม่

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. คุณสมบัติ triethylamine-sensing สูง / NIO SnO2 ทรงกลมกลวง P-N heterojunction เซ็นเซอร์
บทคัดย่อ
Triethylamine (TEA) เซ็นเซอร์ก๊าซกับการตอบสนองสูงและการเลือกที่ถูกประดิษฐ์ประสบความสำเร็จกับ PN heterojunction ประกอบด้วยทรงกลม SnO2 ชนิดเอ็นกลวงและชนิดพีอนุภาคนาโน NiO . SnO2 ทรงกลมกลวงถูกสังเคราะห์โดยวิธีไฮโดรเทอแม่แบบช่วย NiO / SnO2 ชุม P-N ที่ถูกสร้างขึ้นโดยการฝากอนุภาคนาโน NiO ลงบนพื้นผิวของ SnO2 เซ็นเซอร์ทรงกลมกลวงผ่านการสะสมเลเซอร์ชีพจร (PLD) กระบวนการ การตอบสนองของ NiO / เซ็นเซอร์ SnO2 ขึ้นอยู่กับ 48.6 เมื่อสัมผัสกับ 10 ppm ก๊าซชาซึ่งจะสูงกว่าที่ของทรงกลมกลวงที่เก่าแก่ SnO2 และส่วนใหญ่ของเซ็นเซอร์ TEA รายงานอื่น ๆ ขีด จำกัด ของการตรวจสอบนอกจากนี้ยังสามารถที่ต่ำเป็น 2 ส่วนในล้านส่วนระดับ นอกจากนี้อุณหภูมิที่เหมาะสมในการดำเนินงานจะลดลงถึง 220 ° C และ 40 ° C ต่ำกว่าของที่เก่าแก่ SnO2 เซ็นเซอร์ทรงกลมกลวง เหล่านี้แสดงการตรวจจับที่ดีส่วนใหญ่แอตทริบิวต์การก่อตัวของชั้นพร่องที่อินเตอร์เฟซที่ชุมทาง P-N ในเซ็นเซอร์ / NIO SnO2 ซึ่งจะทำให้การเปลี่ยนแปลงที่ดีของความต้านทานในอากาศและก๊าซชา ดังนั้นการรวมกันของ SnO2 ชนิดเอ็นทรงกลมกลวงและชนิดพีอนุภาคนาโน NiO ให้กลยุทธ์ที่มีประสิทธิภาพในการออกแบบชาเซ็นเซอร์ก๊าซใหม่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . ไตรเอตทิลามีนสูงคุณสมบัติของนีโอ / SnO2 ทรงกลมกลวง P ) N heterojunction เซ็นเซอร์

ภาพนามธรรมไตรเอตทิลามีน ( ชา ) ก๊าซเซนเซอร์ที่มีการตอบสนองสูงและหัวกะทิประดิษฐ์เรียบร้อยแล้วกับ PN heterojunction ประกอบด้วยทั่วไป SnO2 ทรงกลมกลวงพีนิโอและอนุภาค SnO2 ทรงกลมกลวงที่สังเคราะห์โดยวิธีไฮโดรเทอร์มอลแม่แบบช่วย .ที่นีโอ / SnO2 p – N ชุมทางก่อตั้งขึ้นโดยการฝากนาโนนีโอลงบนพื้นผิวของทรงกลมกลวง SnO2 ผ่านเซ็นเซอร์เลเซอร์พัลซิ่งสะสม ( PLD ) กระบวนการ การตอบสนองของนีโอ / SnO2 เซนเซอร์ถึง 48.6 เมื่อสัมผัสกับก๊าซชา 10 ppm ซึ่งสูงกว่าที่เก่าแก่ที่สุดของ SnO2 ทรงกลมกลวงอื่น ๆและรายงาน ตัวชา การ จำกัด ยังสามารถเป็นต่ำเป็น 2 ppm ตามลำดับนอกจากนี้ อุณหภูมิสูงที่เหมาะสมลง 220 องศา C และ 40 ° C ต่ำกว่าของ SnO2 ทรงกลมกลวงที่เซ็นเซอร์ เหล่านี้ดีสัมผัสการแสดงส่วนใหญ่คุณสมบัติในการก่อตัวของชั้นหมดสิ้นที่ P และ N ชุมทางอินเตอร์เฟซในนีโอ / SnO2 เซ็นเซอร์ ซึ่งทำให้การเปลี่ยนแปลงที่ยิ่งใหญ่ของความต้านทานในอากาศและน้ำมันชา ดังนั้นการรวมกันของทั่วไปและอนุภาคนาโน SnO2 ทรงกลมกลวงพี นีโอ มีกลยุทธ์ที่มีประสิทธิภาพเพื่อการออกแบบใหม่ชา
ก๊าซเซ็นเซอร์