amplified magnetron sputtering. The

amplified magnetron sputtering. The secondary discharge typically creates plasma with electron density in the range of 1017–1018 m3 and with electron temperature in the range of 1.5–4.5V, 91,92 which corresponds to electron impact ionization mean free path for the sputtered vapor of a
few centimeters.9,67

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พ่น magnetron amplified ปล่อยรองโดยทั่วไปสร้างพลาสม่า กับความหนาแน่นของอิเล็กตรอนในช่วง 1017 – 1018 ม. 3 และอุณหภูมิอิเล็กตรอนในช่วง 1.5-4.5V, 91,92 ซึ่งตรงกับอิเล็กตรอนกระทบ ionization หมายถึง เส้นทางฟรีสำหรับไอ sputtered ของการ
centimeters.9,67
น้อย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Ampli ไฟเอ็ดแมกสปัตเตอร์ ปล่อยรองมักจะสร้างพลาสม่าที่มีความหนาแน่นของอิเล็กตรอนในช่วง 1017-1018 เมตร 3 และมีอุณหภูมิอิเล็กตรอนในช่วง 1.5-4.5V, 91,92 ซึ่งสอดคล้องกับอิเล็กตรอนผลกระทบไอออนไนซ์หมายถึงเส้นทางฟรีสำหรับไอ sputtered ของ
ไม่กี่ centimeters.9,67

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ampli จึงเอ็ดตรอนสปัตเตอริง . การมัธยมศึกษา มักจะสร้างพลาสมาที่มีความหนาแน่นของอิเล็กตรอนในช่วง 1017 – 1018 M  3 และอุณหภูมิอิเล็กตรอนในช่วง 1.5 – 4.5v 91,92 , ซึ่งสอดคล้องกับอิเล็กตรอนอิสระหมายความว่าเส้นทางผลกระทบฟรี sputtered ไอของ 9,67

ไม่กี่เซนติเมตร