All the experimental results obtain

All the experimental results obtained were averaged from experiments carried out several times to ascertain the repeatability and reproducibility of data. The values computed for the circuit components were averaged over several sets of experiments. The error in computed values remained within 1% of the averaged value.
The trend corroborated in the higher frequency range and was probably brought about by the same factors on the micromolecular scale. A summary of the trends of each circuit component is summarized in Table 1.










Fig. 6. (a) Contact resistance (R1), charge transfer resistance predominant at high frequencies (R2) and charge transfer resistance predominant at low frequencies (R3) as a function of ammonia concentration. Each data point reported is an average of at least 3 readings to ensure repeatability. The experimental data was well within the error limit of ±1.0%, the radii of the circles over each point adequately covering the errors. The squares of the correlation coefficients are presented for each fit in Table 1. (b) Capacitance predominant at high frequency (C1, pF) and low frequency (C1, µF) as a function of ammonia concentration. Each data point reported is an average of at least 3 readings to ensure repeatability. The experimental data was well within the error limit of ±1.0%, the radii of the circles over each point adequately covering the errors. The squares of the correlation coefficients are presented for each fit in Table 1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั้งหมดผลการทดลองที่ได้รับถูก averaged จากการทดลองทำหลาย ๆ ครั้งเพื่อตรวจการทำซ้ำในและ reproducibility ของข้อมูล ค่าที่คำนวณจากส่วนประกอบวงจรได้ averaged ผ่านหลายชุดการทดลอง ข้อผิดพลาดในการคำนวณค่าที่อยู่ภายใน 1% ของค่าเฉลี่ยแนวโน้ม corroborated ในช่วงความถี่สูง และถูกนำคงเกี่ยวกับสาเหตุเดียวกันบนเครื่องชั่ง micromolecular สรุปแนวโน้มของส่วนประกอบแต่ละวงจรมีสรุปในตารางที่ 1Fig. 6 (ก) ติดต่อต้านทาน (R1), ค่าธรรมเนียมโอนต้านกันที่ความถี่สูง (R2) และค่าธรรมเนียมโอนต้านทานกันที่ความถี่ต่ำ (R3) เป็นฟังก์ชันของความเข้มข้นของแอมโมเนีย โดยเฉลี่ยอ่านน้อย 3 ให้ทำซ้ำในแต่ละจุดข้อมูลรายงานได้ ข้อมูลการทดลองดีภายในจำนวน ±1.0% รัศมีของวงกลมผ่านจุดแต่ละจุดอย่างเพียงพอครอบคลุมข้อผิดพลาดข้อผิดพลาด ยกกำลังสองของสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์จะแสดงสำหรับแต่ละพอดีใน 1 ตาราง (ข) ความกันที่ความถี่สูง (C1, pF) และความถี่ต่ำ (C1, µF) เป็นฟังก์ชันของความเข้มข้นของแอมโมเนีย โดยเฉลี่ยอ่านน้อย 3 ให้ทำซ้ำในแต่ละจุดข้อมูลรายงานได้ ข้อมูลการทดลองดีภายในจำนวน ±1.0% รัศมีของวงกลมผ่านจุดแต่ละจุดอย่างเพียงพอครอบคลุมข้อผิดพลาดข้อผิดพลาด ยกกำลังสองของสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์จะแสดงสำหรับแต่ละพอดีใน 1 ตาราง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทั้งหมดผลการทดลองที่ได้มาเฉลี่ยจากการทดลองดำเนินการหลายครั้งเพื่อยืนยันการทำซ้ำและความแม่นยำของข้อมูล ค่าคำนวณส่วนประกอบวงจรได้เฉลี่ยเกินหลายชุดของการทดลอง ข้อผิดพลาดในการคำนวณค่ายังคงอยู่ใน 1% ของค่าเฉลี่ย.
ยืนยันแนวโน้มในช่วงความถี่ที่สูงขึ้นและอาจจะเป็นผลมาจากปัจจัยเดียวกันในระดับ micromolecular สรุปแนวโน้มของแต่ละองค์ประกอบวงจรได้สรุปไว้ในตารางที่ 1. รูป 6. (ก) ความต้านทานติดต่อ (R1) ค่าใช้จ่ายการโอนเด่นต้านทานที่ความถี่สูง (R2) และค่าใช้จ่ายการโอนเด่นต้านทานที่ความถี่ต่ำ (R3) เป็นหน้าที่ของความเข้มข้นของแอมโมเนีย แต่ละจุดข้อมูลที่รายงานเป็นค่าเฉลี่ยของเวลาอย่างน้อย 3 อ่านเพื่อให้แน่ใจว่าการทำซ้ำ ข้อมูลการทดลองเป็นอย่างดีภายในข้อผิดพลาดของ± 1.0%, รัศมีของวงกลมแต่ละจุดอย่างเพียงพอครอบคลุมข้อผิดพลาด สี่เหลี่ยมของค่าสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์จะถูกนำเสนอในแต่ละพอดีในตารางที่ 1 (ข) เด่นประจุที่มีความถี่สูง (C1, PF) และความถี่ต่ำ (C1, คาปาซิเตอร์) เป็นหน้าที่ของความเข้มข้นของแอมโมเนีย แต่ละจุดข้อมูลที่รายงานเป็นค่าเฉลี่ยของเวลาอย่างน้อย 3 อ่านเพื่อให้แน่ใจว่าการทำซ้ำ ข้อมูลการทดลองเป็นอย่างดีภายในข้อผิดพลาดของ± 1.0%, รัศมีของวงกลมแต่ละจุดอย่างเพียงพอครอบคลุมข้อผิดพลาด สี่เหลี่ยมของค่าสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์นั้นจะพอดีกันในตารางที่ 1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทั้งหมดผลที่ได้จากการทดลองหลายๆ ครั้ง จากการวินิจฉัยและการตรวจสอบข้อมูล ค่าคำนวณสำหรับวงจรด้านเฉลี่ยอยู่หลายชุดของการทดลอง ข้อผิดพลาดในการคำนวณค่าที่อยู่ภายใน 1% ของจำนวนค่า
.แนวโน้มการยืนยันในช่วงความถี่สูง และอาจจะนำเกี่ยวกับ โดยปัจจัยเดียวกันในระดับ micromolecular . สรุปแนวโน้มของแต่ละวงจร ส่วนประกอบ คือ สรุปได้ในตารางที่ 1 .










รูปที่ 6 ( ก ) ความต้านทานติดต่อ ( R1 )ความต้านทานการถ่ายเทประจุไฟฟ้าเด่นที่ความถี่สูง ( R2 ) และความต้านทานการถ่ายเทประจุไฟฟ้าเด่นที่ความถี่ต่ำ ( R3 ) เป็นฟังก์ชันของแอมโมเนียความเข้มข้น แต่ละจุดข้อมูลที่รายงานคือเฉลี่ยอย่างน้อย 3 การอ่านเพื่อให้แน่ใจว่าการ . ข้อมูลจากการทดลองได้เป็นอย่างดี ภายในขีด จำกัด ของ±ข้อผิดพลาด 1.0 เปอร์เซ็นต์ รัศมีวงกลมผ่านจุดแต่ละจุดค่อนข้างครอบคลุมข้อผิดพลาดสี่เหลี่ยมของสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์จะนำเสนอสำหรับแต่ละพอดีกับตารางที่ 1 . ( ข ) ความจุเด่นที่ความถี่สูง ( C1 , PF ) และความถี่ต่ำ ( C1 , µ F ) เป็นฟังก์ชันของแอมโมเนียความเข้มข้น แต่ละจุดข้อมูลที่รายงานคือเฉลี่ยอย่างน้อย 3 การอ่านเพื่อให้แน่ใจว่าการ . ข้อมูลจากการทดลองได้เป็นอย่างดี ภายในขีด จำกัด ของ±ข้อผิดพลาด 1.0 เปอร์เซ็นต์รัศมีวงกลมผ่านจุดแต่ละจุดค่อนข้างครอบคลุมข้อผิดพลาด สี่เหลี่ยมของสัมประสิทธิ์สหสัมพันธ์จะนำเสนอสำหรับแต่ละตารางที่ 1

พอดี .