The effect of Au ion-implantation

The effect of Au ion-implantation on the long- and shortrange
order of La1-xYbxPO4 materials was studied using m-XRD
and GA-XANES. The m-XRD data revealed the loss of long-range
order in the La1-xYbxPO4 materials that were implanted with
2 MeV Au ions. The P K-, P L2,3-, and La L3-edge XANES spectra
clearly showed that the La1-xYbxPO4 materials are susceptible to
radiation-induced structural damage. The P K- and La L3-edge GAXANES
and P L2,3-edge XANES spectra were observed to be very
sensitive to changes in the local structure of these materials as a
result of ion-implantation. The P K-edge GA-XANES spectra provided
evidence for the occurrence of partial recrystallization of the
structure of the La0.3Yb0.7PO4 and YbPO4 materials that were
implanted with Au ions to the highest dose (1  1015 ions/cm2).
Annealing studies of the ion-implanted La1-xYbxPO4 materials
have shown the ability of these materials to recover (either
partially or completely depending on composition) from structural
damage caused by the implantation of high-energy Au ions.
It was found in this study that the ability of ion-implanted rareearth
phosphates to recover from a damaged state is dependent on
the ion-dose received and the temperature that these materials
are exposed to post implantation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลของ Au ไอออนฤทธิ์ยาวและ shortrangeสั่งวัสดุ La1 xYbxPO4 ได้ศึกษาการใช้ m-XRDและ GA XANES สูญเสียพิสัยการเปิดเผยข้อมูล m XRDสั่งวัสดุ La1 xYbxPO4 ที่ถูก implanted ด้วย2 meV Au ประจุ K P- P L2, 3 และ XANES L3 ขอบลาแรมสเป็คตราชัดเจนแสดงให้เห็นว่า วัสดุ La1 xYbxPO4 มีความไวต่อรังสีที่เกิดจากโครงสร้างความเสียหาย P K - และ L3 ลาขอบ GAXANESและ P L2 สุภัคแรมสเป็คตรา XANES 3-ขอบมากความไวต่อการเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างภายในของวัสดุเหล่านี้เป็นการผลของไอออนฤทธิ์ GA ขอบ K P-แรมสเป็คตรา XANES ให้หลักฐานสำหรับการเกิดขึ้นของ recrystallization บางส่วนของการโครงสร้างของวัสดุ La0.3Yb0.7PO4 และ YbPO4 ที่implanted กับอูกันให้ปริมาณรังสีสูงสุด (ประจุ 1 1015 cm2)ศึกษาหลอมวัสดุ La1 xYbxPO4 implanted ไอออนได้แสดงความสามารถของวัสดุเหล่านี้เพื่อกู้คืน (อย่างใดอย่างหนึ่งบางส่วน หรือทั้งหมดขึ้นต่อในองค์ประกอบ) จากโครงสร้างความเสียหายที่เกิดจากฤทธิ์ของประจุ Au high-energyพบในการศึกษานี้ความสามารถของไอออน-implanted rareearthฟอสเฟตเพื่อกู้คืนจากรัฐเสียหายจะขึ้นอยู่กับปริมาณไอออนที่ได้รับและอุณหภูมิที่วัสดุเหล่านี้มีสัมผัสลงฤทธิ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลกระทบของ Au หรือไม่? ไอออนปลูกถ่ายในระยะยาวและ shortrange
คำสั่งของวัสดุ LA1-xYbxPO4 ได้ศึกษาโดยใช้ม XRD
และ GA-XANES ข้อมูลของ m-XRD
เปิดเผยการสูญเสียในระยะยาวเพื่อที่ในวัสดุLA1-xYbxPO4 ที่ถูกปลูกฝังด้วย
2 MeV Au? ไอออน พี K- พี L2,3- และ La L3 ขอบสเปกตรัม XANES
อย่างชัดเจนแสดงให้เห็นว่าวัสดุ LA1-xYbxPO4
มีความไวต่อรังสีที่เกิดความเสียหายของโครงสร้าง พี K- และ La L3 ขอบ GAXANES
และ P L2,3 ขอบสเปกตรัม XANES ถูกตั้งข้อสังเกตที่จะมากไวต่อการเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างท้องถิ่นของวัสดุเหล่านี้เป็นผลมาจากการปลูกถ่ายไอออน พี K-GA-ขอบสเปกตรัม XANES ให้หลักฐานการเกิด recrystallization บางส่วนของโครงสร้างของLa0.3Yb0.7PO4 และวัสดุ YbPO4 ที่ถูกปลูกฝังด้วยAu? ไอออนกับปริมาณสูงสุด (1? 1015 ไอออน / cm2). การศึกษาการหลอมของไอออนปลูกฝังวัสดุ LA1-xYbxPO4 ได้แสดงให้เห็นความสามารถของวัสดุเหล่านี้ในการกู้คืน (ทั้งบางส่วนหรือทั้งหมดขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ) จากโครงสร้างเสียหายที่เกิดจากการปลูก ของพลังงานสูง Au? ไอออน. มันถูกพบในการศึกษาครั้งนี้ว่าความสามารถของไอออนปลูกฝัง rareearth ฟอสเฟตการกู้คืนจากรัฐได้รับความเสียหายจะขึ้นอยู่กับไอออนขนาดที่ได้รับและอุณหภูมิที่วัสดุเหล่านี้กำลังเผชิญกับการโพสต์การปลูกถ่าย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลของ AU  ฝังไอออนในระยะยาวและ shortrange
สั่งซื้อวัสดุ la1-xybxpo4 การเปลี่ยนแปลงและ m-xrd
ga-xanes . ข้อมูล m-xrd เปิดเผยการสูญเสียระยะยาวเพื่อ
ใน la1-xybxpo4 วัสดุที่ถูกฝังด้วย
2 MeV AU  ไอออน P K - P l2,3 - , และ La L3
ขอบ xanes สเปกตรัม พบว่าวัสดุที่ไวต่อ
la1-xybxpo4radiation-induced ความเสียหายโครงสร้าง P K - ลา L3 ขอบ gaxanes
p และ l2,3-edge xanes สเปกตรัม พบว่าสามารถมาก
ไวต่อการเปลี่ยนแปลงในโครงสร้างภายในของวัสดุเหล่านี้เช่น
การฝังไอออน . P k-edge ga-xanes สเปกตรัมให้
หลักฐานการเกิดการตกผลึกใหม่บางส่วนของโครงสร้างของ la0.3yb0.7po4 ybpo4

และวัสดุที่ใส่กับ AU  ไอออนกับปริมาณสูงสุด ( 1  พี่มีไอออน / cm2 ) .
อบการศึกษาไอออนปลูกฝัง
วัสดุ la1-xybxpo4 ได้แสดงความสามารถของวัสดุเหล่านี้เพื่อกู้คืน (
บางส่วนหรือทั้งหมดขึ้นอยู่กับองค์ประกอบ ) จากความเสียหายของโครงสร้าง
เกิดจากฝังลง  AU
เป็นไอออน ในการศึกษานี้พบว่า ความสามารถของไอออนปลูกฝัง rareearth
ฟอสเฟตในการกู้คืนจากความเสียหายของรัฐขึ้นอยู่กับปริมาณรังสีที่ได้รับ และไอออน

อุณหภูมิที่วัสดุเหล่านี้ถูกโพสต์ การปลูก