The resistive gas sensor based n-ty

The resistive gas sensor based n-type metal-oxide semiconductors are essentially considered from the electrical resistance change owing to an interaction between the adsorbed oxygen spe-cies and target gases [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก๊าซที่ความต้านทานเซ็นเซอร์คะแนน n ชนิดโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำเป็นหลักจะพิจารณาจากการเปลี่ยนแปลงความต้านทานไฟฟ้าเนื่องจากการโต้ตอบระหว่างซับออกซิเจน spe cies และเป้าหมายก๊าซ [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซ็นเซอร์ก๊าซทานตามชนิดเอ็นเซมิคอนดักเตอร์โลหะออกไซด์ได้รับการพิจารณาเป็นหลักจากการเปลี่ยนแปลงความต้านทานไฟฟ้าเนื่องจากการปฏิสัมพันธ์ระหว่างดูดซับออกซิเจน SPE-Cies และก๊าซเป้าหมาย [28]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เซ็นเซอร์แก๊สตัวต้านทานโดยทั่วไปโลหะออกไซด์เซมิคอนดักเตอร์เป็นหลักพิจารณาจากความต้านทานการเปลี่ยนแปลงเนื่องจากการปฏิสัมพันธ์ระหว่างสารดูดซับออกซิเจนและ cies ก๊าซเป้าหมาย [ 28 ]