In our work for producing silicon n

In our work for producing silicon nanowires, deposition
was performed at a pressure between 10 and 15 Torr with a
constant flow rate of 5 sccm of 10% silane in argon. Continuouswave
(cw) and femtosecond (fs) laser systemswere tested
to compare the results. The cw laser used was a ND:yttrium–
aluminum–garnet laser with a wavelength of 532 nm and
a maximum power of 10 W. The femtosecond laser used
was a mode-locked Ti:sapphire laser with a wavelength of
800 nm, about 100 fs pulse duration, 14 nJ per pulse maximum,
and a repetition rate of 86 MHz. The femtosecond
laser output was then frequency-doubled to 400 nm using a
0.5-mm thick barium borate (BBO) crystal and then focused
onto the substrate surface with high numerical aperture Fresnel
phase zone plates. These phase zone plates aremade from
hydrogen silsesquioxane (HSQ) coated on a quartz substrate
and patterned by electron beam lithography (EBL). Indium
tin oxide (ITO) is coated on the quartz substrate to avoid
charging during EBL, and a hexamethyldisilazane (HMDS)
layer is used to improve the adhesion of the developed HSQ
to the ITO. In order to produce nanoscale structures, a small
laser spot is desirable. The size of the spot produced by the
zone plate is calculated as13

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานของเราผลิตซิลิคอน nanowires สะสมทำการที่ความดันระหว่าง 10 และ 15 ธอร์กับการอัตราการไหลคงที่ของ sccm 5 ของ silane 10% ในอาร์กอน Continuouswave(ตามน้ำหนักจริง) และ systemswere เลเซอร์ femtosecond (fs) ทดสอบการเปรียบเทียบ เลเซอร์ตามน้ำหนักจริงที่ใช้ได้ ND:yttrium–เลเซอร์อลูมิเนียม – โกเมน มีความยาวคลื่นของ 532 nm และกำลังสูงสุด 10 ปริมาณ เลเซอร์ femtosecond ที่ใช้ที่ มีความยาวคลื่นของเลเซอร์ล็อคโหมด Ti:sapphire800 nm ประมาณ 100 fs ชีพจรระยะเวลา 14 nJ ต่อชีพจรสูงสุดและอัตราซ้ำของ 86 MHz Femtosecondเลเซอร์แล้วเป็นสองเท่าความถี่ 400 nm ใช้เป็นคริสตัล borate (BBO) แบเรียมหนา 0.5 มม.และจากนั้นบนพื้นผิวพื้นผิวรูรับแสงตัวเลขสูง Fresnelระยะโซนแผ่น Aremade แผ่นจากโซนขั้นตอนเหล่านี้silsesquioxane ไฮโดรเจน (HSQ) เคลือบบนพื้นผิวเป็นควอตซ์และลวดลายตามภาพพิมพ์หินลำแสงอิเล็กตรอน (EBL) อินเดียมเป็นเคลือบดีบุกออกไซด์ (ITO) บนพื้นผิวของควอตซ์เพื่อหลีกเลี่ยงชาร์จใน EBL, hexamethyldisilazane (HMDS)ชั้นใช้ในการยึดเกาะของ HSQ พัฒนาปรับปรุงให้อิโตะ เพื่อผลิตโครงสร้าง nanoscale ขนาดเล็กเลเซอร์จุดเป็นสิ่งที่ต้องการ ขนาดของจุดผลิตโดยการแผ่นโซนจะคำนวณ as13

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการทำงานของเราในการผลิตเส้นลวดนาโนซิลิกอนให้การของพยานที่ได้ดำเนินการที่ความดันระหว่าง 10 และ 15 Torr ที่มีอัตราการไหลคงที่ของ5 SCCM ของไซเลน 10% ในอาร์กอน Continuouswave (CW) และ femtosecond (FS) เลเซอร์ systemswere ทดสอบเพื่อเปรียบเทียบผล เลเซอร์ที่ใช้เป็น ND CW: yttrium- เลเซอร์โกเมนอลูมิเนียมที่มีความยาวคลื่น 532 นาโนเมตรของและอำนาจสูงสุด10 ดับบลิว femtosecond เลเซอร์ที่ใช้เป็นโหมดล็อคTi: ไพลินเลเซอร์ที่มีความยาวคลื่นของ800 นาโนเมตรประมาณ 100 FS ระยะเวลาชีพจร 14 นิวเจอร์ซีย์ต่อสูงสุดชีพจรและอัตราการทำซ้ำของ86 เมกะเฮิรตซ์ femtosecond เลเซอร์ออกแล้วความถี่สองเท่าถึง 400 นาโนเมตรโดยใช้borate แบเรียมหนา 0.5 มิลลิเมตร (BBO) คริสตัลและจากนั้นมุ่งเน้นไปยังพื้นผิวค่ารูรับแสงตัวเลขสูงเฟรสแผ่นโซนเฟส แผ่นโซนขั้นตอนเหล่านี้ aremade จากsilsesquioxane ไฮโดรเจน (HSQ) เคลือบบนพื้นผิวควอทซ์และลวดลายโดยลำแสงอิเล็กตรอนพิมพ์หิน(EBL) อินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) เคลือบบนพื้นผิวผลึกเพื่อหลีกเลี่ยงการเรียกเก็บเงินในช่วงEBL และ hexamethyldisilazane (HMDS) ชั้นจะใช้ในการเพิ่มการยึดเกาะของ HSQ ที่พัฒนาแล้วกับITO เพื่อผลิตโครงสร้างระดับนาโนขนาดเล็กจุดเลเซอร์เป็นที่พึงปรารถนา ขนาดของจุดที่ผลิตโดยแผ่นโซนคือการคำนวณ as13

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการทำงานของเราในการผลิตซิลิคอนนาโนในการสะสมของ
แสดงที่ความดันระหว่าง 10 และ 15 ทอร์ด้วยอัตราการไหลคงที่ของ
5 sccm เลน 10 % ในอาร์กอน continuouswave
( CW ) และเลเซอร์ femtosecond ( FS ) systemswere ทดสอบ
เพื่อเปรียบเทียบผล CW Nd : เลเซอร์ที่ใช้เป็นเลเซอร์โกเมนอลูมิเนียมอิตเทรียม (
) ที่มีความยาวคลื่น 532 nm และ
พลังงานสูงสุด 10 Wการใช้เลเซอร์ femtosecond
เป็น mode-locked Ti : ไพลินเลเซอร์ที่มีความยาวคลื่น 800 nm
ประมาณ 100 FS ระยะเวลาชีพจร 14 NJ ต่อชีพจรสูงสุด
และซ้ำอัตรา 86 MHz โดยเลเซอร์ femtosecond
ออกแล้วความถี่สองเท่าถึง 400 nm ใช้
0.5-mm หนาแบเรียม borate ( โบ๊ะ ) คริสตัลแล้วเน้น
บนพื้นผิวพื้นผิวที่มีตัวเลขรูรับแสง Fresnel
เฟสโซนแผ่นแผ่น ( โซนเหล่านี้ aremade จาก
ไฮโดรเจน silsesquioxane ( hsq ) เคลือบบนพื้นผิวและลวดลายของหินควอทซ์
โดยลำแสงอิเล็กตรอน ( ebl ) อินเดียมทินออกไซด์ ( ITO )
เคลือบบนพื้นผิวผลึกเพื่อหลีกเลี่ยง
ชาร์จระหว่าง ebl และเฮกซาเมทิลไดซิลาเซน ( hmds )
ชั้นจะใช้ในการปรับปรุงการยึดติดของการพัฒนา hsq
กับอิโตะ ในการสร้างโครงสร้างนาโนสเกลเล็กๆ
แสงเลเซอร์จุดคือที่พึงปรารถนา ขนาดของจุดผลิต โดยคำนวณ as13
โซนแผ่นคือ