Material properties of polycrystall

Material properties of polycrystalline materials are often modeled in a similar fashion as single crystals thereby neglecting the internal microstructure. Unfortunately, most of the available deposition technologies only provide polycrystalline or amorphous rather than single crystal deposition. The only deposition process which provides single crystal growth in the processing reactor is the atomic layer deposition (ALD) which provides a very low growth rate and is therefore rather expensive with respect to time. Nevertheless, if crystalline structures have to be used, for instance in semiconducting materials, expensive single crystal deposition or growth methods have to be applied anyways. For most other applications, however, amorphous and polycrystalline regions are sufficient for device operation. For instance a crystalline structure of interconnect lines, contacts, and dielectrics is generally not required. However, the down-scaling of the semiconductor devices has also resulted in a certain downscaling of the interconnect structures. With lower line dimensions, however, additional effects which need to be negligible have now to be considered as well. For instance the grain boundaries of all polycrystalline materials contain unsaturated bounds, which can bind impurities. As a consequence energetic barriers form at these sites. Another crucial effect is the enhanced diffusion due to a lowering of the activation energy at these grain boundaries and material interfaces.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

คุณสมบัติของวัสดุคมักจะจำลองในลักษณะคล้ายที่เป็นผลึกเดี่ยวจึงละเลยไม่โครงสร้างจุลภาคภายใน แต่น่าเสียดาย มากที่สุดของเทคโนโลยีสะสมพร้อมใช้งานเฉพาะให้คหรือคริสตัลไป มากกว่าเดียวสะสม กระบวนการสะสมเท่านั้นที่เจริญเติบโตของคริสตัลในระบบประมวลผลสะสมชั้นอะตอม (ALD) ซึ่งมีอัตราการเติบโตที่ต่ำมาก และมีราคาค่อนข้างแพงตามเวลา แต่ มีโครงสร้างผลึกจะใช้ เช่นวัสดุโลหะ คริสตัลราคาแพงสะสมหรือเจริญเติบโตวิธีได้ใช้ต่อไป ภูมิภาคจะไม่เพียงพอสำหรับการดำเนินการอุปกรณ์ส่วนใหญ่อื่น ๆ โปรแกรมประยุกต์ แต่ สัณฐานและค เช่น โครงสร้างผลึกของการเชื่อมต่อระหว่างบรรทัด ติดต่อ และ dielectrics โดยทั่วไปไม่จำเป็น อย่างไรก็ตาม ลงขนาดของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำยังส่งผลให้มีบาง downscaling โครงสร้างเชื่อมต่อระหว่างกัน ด้วยมิติบรรทัดล่าง อย่างไรก็ตาม ผลกระทบเพิ่มเติมซึ่งต้องเล็กน้อยได้ทันทีเพื่อพิจารณาเช่น เช่น ขอบเขตเกรนของวัสดุทั้งหมดที่คประกอบด้วยขอบเขตที่ไม่อิ่มตัว ซึ่งสามารถผูกสิ่งสกปรก จึงเป็นอุปสรรคมีพลังฟอร์มในเว็บไซต์เหล่านี้ ผลสำคัญก็คือ ตัวเพิ่มขึ้นเนื่องจากการลดพลังงานกระตุ้นที่ขอบเกรนและอินเทอร์เฟซที่วัสดุเหล่านี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คุณสมบัติของวัสดุของวัสดุ polycrystalline มักจะสร้างแบบจำลองในรูปแบบที่คล้ายกันเป็นผลึกเดี่ยวจึงละเลยจุลภาคภายใน แต่ส่วนใหญ่ของเทคโนโลยีการสะสมที่มีอยู่เพียง แต่ให้ polycrystalline หรือสัณฐานมากกว่าการสะสมผลึกเดี่ยว ขั้นตอนการให้การของพยานเท่านั้นซึ่งมีการเจริญเติบโตของผลึกเดี่ยวในการประมวลผลของเครื่องปฏิกรณ์เป็นชั้นทับถมอะตอม (มรกต) ซึ่งมีอัตราการเติบโตที่ต่ำมากและดังนั้นจึงค่อนข้างมีราคาแพงส่วนที่เกี่ยวกับเวลา แต่ถ้าโครงสร้างผลึกจะต้องมีการใช้เช่นในวัสดุสารกึ่งตัวนำที่มีราคาแพงการสะสมคริสตัลหรือการเจริญเติบโตวิธีการเดียวที่จะต้องนำมาใช้นะ สำหรับการใช้งานอื่น ๆ ส่วนใหญ่ แต่สัณฐานและ polycrystalline ภูมิภาคมีเพียงพอสำหรับการดำเนินงานอุปกรณ์ ยกตัวอย่างเช่นโครงสร้างผลึกของสายเชื่อมต่อระหว่างกันที่ติดต่อและ dielectrics โดยทั่วไปไม่จำเป็นต้องใช้ อย่างไรก็ตามการปรับลงของอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ยังมีผลในการลดขนาดของโครงสร้างบางอย่างเชื่อมต่อระหว่างกัน ด้วยขนาดที่ต่ำกว่าเส้น แต่ผลกระทบเพิ่มเติมซึ่งจะต้องมีในขณะนี้มีเพียงเล็กน้อยที่จะได้รับการพิจารณาเช่นกัน สำหรับกรณีที่ข้าวเขตแดนของวัสดุ polycrystalline ทั้งหมดมีขอบเขตไม่อิ่มตัวซึ่งสามารถผูกสิ่งสกปรก เป็นผลให้ปัญหาและอุปสรรคที่มีพลังในรูปแบบที่เว็บไซต์เหล่านี้ อีกผลกระทบที่สำคัญคือการแพร่กระจายเพิ่มขึ้นเนื่องจากการลดพลังงานกระตุ้นที่เหล่านี้ข้าวเขตแดนและการเชื่อมต่อวัสดุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คุณสมบัติของวัสดุของวัสดุผลึกมักจะจำลองในแฟชั่นที่คล้ายกันเช่นผลึกเดี่ยว จึงละเลย โครงสร้างภายใน แต่น่าเสียดายที่ส่วนใหญ่ของเทคโนโลยีที่สะสมใช้ได้เฉพาะให้ polycrystalline หรือสัณฐานมากกว่าแบบผลึกเดี่ยว กระบวนการสะสมเท่านั้น ซึ่งมีการเติบโตของผลึกเดี่ยวในการประมวลผลของเครื่องปฏิกรณ์เป็นคำให้การชั้นอะตอม ( ald ) ซึ่งมีอัตราการขยายตัวต่ำมากและดังนั้นจึงค่อนข้างแพงเทียบกับเวลา แต่ถ้าโครงสร้างผลึก ต้องใช้ตัวอย่างในวัสดุกึ่งตัวนำที่แพงแบบผลึกเดี่ยวหรือวิธีการการเจริญเติบโตต้องใช้อยู่แล้ว สำหรับการใช้งานอื่น ๆ มากที่สุด อย่างไรก็ตาม ภูมิภาคอสัณฐานและผลึกเพียงพอสําหรับการดําเนินงานอุปกรณ์ ตัวอย่างโครงสร้างของผลึกของ interconnect สายที่ติดต่อและชนิดโดยทั่วไปไม่ต้อง อย่างไรก็ตาม การปรับลงของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ นอกจากนี้ยังส่งผลให้บาง downscaling Interconnect โครงสร้าง ด้วยขนาดต่ำอย่างไรก็ตาม เพิ่มเติมผลซึ่งต้องกระจอกตอนนี้จะถือว่าดี ตัวอย่างรอยเม็ดของวัสดุผลึกทั้งหมดมีขอบเขตที่ไม่อิ่มตัว ซึ่งสามารถจับสิ่งสกปรก อย่างไรก็ดีอุปสรรคแข็งขัน แบบฟอร์มที่เว็บไซต์เหล่านี้ อื่นที่สำคัญ ผลคือการเพิ่มการแพร่กระจายเนื่องจากการลดพลังงานกระตุ้นที่เมล็ดเหล่านี้ขอบเขตการเชื่อมต่อและวัสดุ