Porous SiO2 thin films with low ref

Porous SiO2 thin films with low reflectance and high transmittance were obtained using reactive high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) at a high working pressure of 6.67 Pa (50 mTorr). The average transmittance (450–600 nm) of the SiO2 thin films was 94.45%. In comparison, SiO2 thin films deposited at a low working pressure of 0.27 Pa (2 mTorr) showed an average transmittance of 91.26%. The improvement in the transmittance was attributed to the lower refractive index resulting from the porous structure of the SiO2 thin films. To examine the effect of the anti-reflection SiO2 coating, an a-Si:H solar cell was produced on fluorine-doped tin oxide (FTO) glass. The initial energy conversion efficiency for cells using the anti-reflection, SiO2-coated FTO glass was 11.75%, higher than the 10.75% for the sample using the bare FTO glass. The increase in the short-circuit current density (Jsc) due to the decreased light reflectance was the largest contributor to the increase in the a-Si:H solar cell efficiency.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีรูพรุน SiO2 รับฟิล์มบางสะท้อนแสงต่ำและสูงส่งใช้พลังงานสูงปฏิกิริยาแรงกระตุ้น magnetron สปัตเตอร์ (HIPIMS) ที่ความดันทำงานสูง 6.67 Pa (50 mTorr) ส่งเฉลี่ย (450-600 nm) ของฟิล์มบางของ SiO2 เป็น 94.45% ในการเปรียบเทียบ SiO2 บางฟิล์มฝากที่ความดันทำงานต่ำ 0.27 Pa (2 mTorr) แสดงให้เห็นว่าการส่งเฉลี่ย 91.26% ในการปรับปรุงการส่งถูกประกอบกับดัชนีหักเหแสงต่ำเกิดจากโครงสร้างรูพรุนของฟิล์มบางของ SiO2 ผลกระทบของ SiO2 เคลือบป้องกันการสะท้อน การการ-ผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ Si:H บนกระจกเจือฟลูออรีนดีบุกออกไซด์ (FTO) ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานเบื้องต้นสำหรับเซลล์โดยใช้การสะท้อน FTO SiO2 เคลือบแก้วเป็น 11.75% สูงกว่า 10.75% สำหรับตัวอย่างที่ใช้กระจก FTO เปลือย เพิ่มขึ้นในการลัดวงจรหนาแน่นปัจจุบัน (Jsc) เนื่องจากการลดลงสะท้อนแสงเป็นผู้สนับสนุนที่ใหญ่ที่สุดในการเพิ่มการ-ประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์ Si:H

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มีรูพรุนฟิล์มบาง SiO2 กับการสะท้อนต่ำและการส่งผ่านสูงที่ได้รับการใช้พลังงานสูงปฏิกิริยาแรงกระตุ้น magnetron sputtering (HIPIMS) ที่ความดันในการทำงานสูง 6.67 Pa (50 mTorr) ส่งผ่านเฉลี่ย (450-600 นาโนเมตร) ของฟิล์มบาง SiO2 เป็น 94.45% ในการเปรียบเทียบฟิล์มบาง SiO2 ฝากที่ความดันในการทำงานต่ำ 0.27 Pa (2 mTorr) แสดงให้เห็นว่าการส่งผ่านค่าเฉลี่ยของ 91.26% การปรับปรุงในการส่งผ่านที่ถูกนำมาประกอบกับดัชนีหักเหต่ำที่เกิดจากโครงสร้างที่มีรูพรุนของฟิล์มบาง SiO2 เพื่อศึกษาผลของสารเคลือบผิว SiO2 ป้องกันแสงสะท้อน, A-ศรี: H เซลล์แสงอาทิตย์ที่ผลิตในฟลูออรีนเจือดีบุกออกไซด์ (FTO) แก้ว ประสิทธิภาพการแปลงพลังงานสำหรับเซลล์เริ่มต้นใช้ป้องกันแสงสะท้อนกระจก FTO SiO2 เคลือบเป็น 11.75% สูงกว่า 10.75% สำหรับตัวอย่างโดยใช้แก้ว FTO เปลือย เพิ่มขึ้นในการลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (JSC) เนื่องจากการสะท้อนแสงลดลงเป็นปัจจัยที่ใหญ่ที่สุดที่จะเพิ่มขึ้นใน A-ศรี: H ประสิทธิภาพเซลล์แสงอาทิตย์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แบบฟิล์มบางซิลิกอนไดออกไซด์ที่มีการสะท้อนแสงต่ำ และการส่งผ่านสูงได้โดยใช้กำลังไฟฟ้าสูงอิมพัลส์ตรอนสปัตเตอริง ( hipims ) ที่ความดันสูง 6.67 PA ( 50 mtorr ) ส่องผ่านเฉลี่ย ( 450 - 600 nm ) ของฟิล์มบางซิลิกอนไดออกไซด์เป็น 94.45 เปอร์เซ็นต์ ในการเปรียบเทียบ , ฟิล์มบางซิลิกอนไดออกไซด์ฝากไว้ที่ความดันต่ำในช่วงป่า ( 2 mtorr ) พบว่า มีการเฉลี่ย 91.26 % การปรับปรุงในการประกอบกับดัชนีหักเหลดลงเป็นผลจากโครงสร้างรูพรุนของซิลิกาฟิล์มบาง . เพื่อศึกษาผลของการเคลือบป้องกันการสะท้อน SiO2 , อะมอร์ฟัสซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์ H ถูกผลิตในฟลูออรีนเจือดีบุกออกไซด์ ( FTO ) แก้ว เริ่มต้นการใช้พลังงานสำหรับเซลล์ที่ใช้เคลือบป้องกันการสะท้อน SiO2 FTO แก้ว 2.4 เปอร์เซ็นต์ สูงกว่า 10.75 เปอร์เซ็นต์ ตัวอย่างการใช้แก้ว FTO เปลือย เพิ่มความหนาแน่นกระแสลัดวงจร ( JSC ) เนื่องจากการลดการสะท้อนแสงเป็นผู้สนับสนุนที่ใหญ่ที่สุดในการเพิ่มประสิทธิภาพใน H อะมอร์ฟัสซิลิคอนเซลล์แสงอาทิตย์