Oxygen plasma immersion ion implant

Oxygen plasma immersion ion implantation (O-PIII) was introduced to modify the surface of indium tin oxide (ITO) thin films. X-ray photoelectron spectroscopy and Kelvin probe were employed to study the surface work function of the treated ITO films. The results showed that the surface work function of ITO can be further enhanced by O-PIII treatment based on an oxygen inductively coupled plasma (O-ICP). The change in surface work function correlated largely with the surface stoichiometry and the high work function should be attributed to the elimination of oxygen vacancies. The surface work function of the modified ITO films showed a rapid decreasing trend with a time-dependent curve immediately after O-ICP and O-PIII treatments. However, a stabler modification effect was achieved by O-PIII.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกซิเจนพลาสมาแช่ฤทธิ์ไอออน (O-PIII) ถูกนำมาใช้ในการปรับเปลี่ยนพื้นผิวของอินเดียมทินออกไซด์ (ITO) ฟิล์มบาง เอกซเรย์ photoelectron กและโพรบเคลวินได้รับการว่าจ้างเพื่อศึกษาการทำงานงานพื้นผิวของฟิล์ม ITO บำบัด ผลลัพธ์ที่แสดงให้เห็นว่า ฟังก์ชันงานที่ผิวของ ITO สามารถจะเพิ่มเติมเพิ่ม โดย O PIII ทรีตเม้นต์การออกซิเจนท่านควบคู่พลาสม่า (O-ICP) การเปลี่ยนแปลงในฟังก์ชันการทำงานผิว correlated กับ stoichiometry พื้นผิวส่วนใหญ่ และฟังก์ชันการทำงานสูงควรเกิดจากการกำจัดออกซิเจนตำแหน่ง ฟังก์ชั่นทำงานพื้นผิวของฟิล์ม ITO แก้ไขแสดงแนวโน้มลดลงอย่างรวดเร็ว ด้วยเส้นโค้งขึ้นอยู่กับเวลาทันทีหลังจากรักษา O ICP และ O PIII อย่างไรก็ตาม ผลแก้ไข stabler สำเร็จ โดย O PIII

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พลาสม่าออกซิเจนฝังแช่ไอออน (O-PIII) ถูกนำมาใช้ในการปรับเปลี่ยนพื้นผิวของอินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO) ฟิล์มบาง X-ray spectroscopy โฟโตอิเล็กตรอนและสอบสวนเคลวินเป็นลูกจ้างในการศึกษาพื้นผิวการทำงานของฟังก์ชั่นได้รับการรักษาฟิล์ม ITO ผลการศึกษาพบว่าพื้นผิวของฟังก์ชั่นการทำงานของ ITO สามารถปรับปรุงเพิ่มเติมโดยการรักษา O-PIII ขึ้นอยู่กับออกซิเจน inductively คู่พลาสม่า (O-ICP) การเปลี่ยนแปลงในพื้นผิวที่มีความสัมพันธ์ฟังก์ชั่นการทำงานส่วนใหญ่ที่มีปริมาณสารสัมพันธ์พื้นผิวและฟังก์ชั่นการทำงานสูงควรนำมาประกอบกับการกำจัดของตำแหน่งงานว่างออกซิเจน ฟังก์ชั่นการทำงานที่พื้นผิวของฟิล์ม ITO แก้ไขพบว่ามีแนวโน้มลดลงอย่างรวดเร็วด้วยเส้นโค้งที่ขึ้นกับเวลาทันทีหลังจาก O-ICP และ O-PIII การรักษา อย่างไรก็ตามการปรับเปลี่ยน Stabler ผลกระทบได้สำเร็จโดย O-PIII

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ออกซิเจนพลาสมา การฝังไอออน ( o-piii ) แนะนำการปรับเปลี่ยนพื้นผิวของอินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) ฟิล์มบาง เครื่อง X-ray photoelectron spectroscopy และ เคลวิน probe ที่ใช้ศึกษาเป็นฟังก์ชันของพื้นผิวงานปฏิบัตินี้ภาพยนตร์ผลการศึกษาพบว่า พื้นผิวงานฟังก์ชันนี้สามารถเพิ่มโดยการรักษา o-piii ขึ้นอยู่กับออกซิเจนอุปนัยคู่พลาสมา ( o-icp ) การเปลี่ยนแปลงในฟังก์ชันงานพื้นผิวความสัมพันธ์ไปกับผิว มวลสารสัมพันธ์และฟังก์ชันการทำงานสูงน่าจะเกิดจากการตัดอัตรา ออกซิเจนฟังก์ชันของพื้นผิวงานดัดแปลงนี้ภาพยนตร์ที่แสดงแนวโน้มลดลงอย่างรวดเร็ว ด้วยเวลา และ o-piii o-icp โค้งทันทีหลังการรักษา อย่างไรก็ตาม การปรับเปลี่ยนผลสําเร็จ o-piii Stabler โดย .