Although (1) is traditionally used

Although (1) is traditionally used for GaAsFETs, it was found more flexible than the classic Shichman-Hodges MOSFET model [7] in controlling large signal effects such as the knee voltage. The Curtice-Ettenberg model implementation part of the Agilent ADS environment is used where parasitic effects such as output impedance and capacitances can be included. The simplicity of the model allows for isolation of non-ideal transistor effects so the significance of each can be evaluated individually. The threshold voltage, transconductance, knee voltage, and output impedance are controlled with the A0, A1, γ, and Rrf parameters respectively. Figure 5 replicates the theoretical current curves from Figure 3 with the Curtice-Ettenberg model. The A0 and A1 parameters of the main and peaking amplifiers are set such that load modulation effect begins when the input reaches a 50 % swing (6-dB power back-off)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แม้ว่า (1) เป็นใช้สำหรับ GaAsFETs พบ flexible เพิ่มเติมกว่ารุ่น Shichman ใช้ MOSFET คลาสสิก [7] ในการควบคุมสัญญาณขนาดใหญ่ผลเช่นแรงดันเข่า ส่วนการใช้งานรุ่น Curtice-Ettenberg ของ Agilent โฆษณาไว้ที่ผลกาฝากเช่นอินพุตและ capacitances สามารถรวม ความเรียบง่ายของรูปแบบช่วยให้การแยกของทรานซิสเตอร์-เหมาะผลเพื่อให้สามารถประเมินถึงความของแต่ละแต่ละรายการ ขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้า transconductance แรงดันเข่า และอินพุตควบคุม ด้วยพารามิเตอร์ A0, A1 γ และ Rrf ตามลำดับ รูปที่ 5 เหมือนกับทฤษฎีปัจจุบันโค้งจากรูปที่ 3 ด้วยรูปแบบ Curtice-Ettenberg มีกำหนดพารามิเตอร์ A0 และ A1 ของ amplifiers หลัก และจุดดังกล่าวว่าผลกระทบการปรับโหลดเริ่มต้นเมื่อป้อนข้อมูลถึงแกว่ง 50% (6 dB หลังปิด)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แม้ว่า (1) เป็นประเพณีที่ใช้สำหรับ GaAsFETs พบชั้นมากขึ้นยืดหยุ่นกว่ารุ่นคลาสสิก Shichman-ฮอดจ์ MOSFET [7] ในการควบคุมผลกระทบสัญญาณขนาดใหญ่เช่นแรงดันไฟฟ้าที่หัวเข่า Curtice-Ettenberg การดำเนินการรูปแบบการเป็นส่วนหนึ่งของสภาพแวดล้อม Agilent ADS ถูกนำมาใช้ที่ผลกระทบปรสิตเช่นความต้านทานเอาท์พุทและประจุสามารถรวม ความเรียบง่ายของรูปแบบที่ช่วยให้การแยกของผลกระทบทรานซิสเตอร์ที่ไม่เหมาะดังนั้นนัยมีนัยสำคัญของแต่ละคนจะสามารถได้รับการประเมินเป็นรายบุคคล แรงดันเกณฑ์ transconductance แรงดันเข่าและความต้านทานเอาท์พุทจะถูกควบคุมด้วย A0, A1, γและพารามิเตอร์ RRF ตามลำดับ รูปที่ 5 การลอกเลียนแบบเส้นโค้งปัจจุบันทฤษฎีจากรูปที่ 3 ที่มีรูปแบบ Curtice-Ettenberg A0 และ A1 พารามิเตอร์ของหลักและจุด ERS Fi ampli มีการตั้งค่าดังกล่าวว่าผลเอฟเอ็มโหลดเริ่มต้นขึ้นเมื่อมีการป้อนข้อมูลถึงการแกว่งที่ 50% (power 6 dB back-off)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ถึง ( 1 ) ผ้าที่ใช้ใน gaasfets พบมากขึ้นfl exible กว่าคลาสสิก shichman ฮอดเจส แบบ [ 7 ] MOSFET ในการควบคุมสัญญาณผลเช่นเข่าแรงดันไฟฟ้า ส่วนรูปแบบการ curtice ettenberg ส่วนหนึ่งของโฆษณาด้านสิ่งแวดล้อมที่ใช้ที่ปรสิตผลเช่นค่า output และ capacitances สามารถรวม ความเรียบง่ายของรูปแบบช่วยให้แยกไม่เหมาะทรานซิสเตอร์ผลดังนั้นจึง signi มะเร็งของแต่ละสามารถประเมินเป็นรายบุคคล เกณฑ์แรงดันทราน คอนดักแตนซ์ แรงดันเอาต์พุตอิมพีแดนซ์ เข่า และถูกควบคุมด้วย A0 A1 , γและ RRF พารามิเตอร์ตามลำดับ รูปที่ 5 ได้แก่ทฤษฎีปัจจุบันเส้นโค้งจากรูปที่ 3 กับ curtice ettenberg นางแบบ ส่วนขนาด A0 และ A1 พารามิเตอร์ของหลักและจุด ampli จึงเป็นชุดเช่นการ ERS โหลดผลจะเริ่มเมื่อป้อนข้อมูลถึง 50% สวิง ( 6-db พลังออกไป )