Bi-Te films with the composition of

Bi-Te films with the composition of around 61 at% Te and the thickness of 300 nm were deposited onto SiO2- coated Si substrates by using bismuth and tellurium targets in a radio frequency magnetron

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Bi-Te ฟิล์มกับองค์ประกอบของประมาณ 61% ติและความหนาของ 300 nm ได้ฝากบน SiO2 เคลือบพื้นผิวสี โดยใช้เป้าหมายเทลลูเรียมและบิสมัท magnetron คลื่นความถี่วิทยุ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หนัง Bi-Te มีส่วนประกอบประมาณ 61% ที่ Te และความหนา 300 นาโนเมตรวางลงบนพื้นผิวเคลือบ SiO2- ศรีโดยใช้เป้าหมายบิสมัทและเทลลูเรียมในคลื่นวิทยุแมก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บีทีฟิล์มที่มีส่วนประกอบของรอบ 61 ที่ % ทีและความหนา 300 nm มีฝากบนพื้นผิวซิลิกา - ศรีเคลือบโดยใช้เทลลูเรียมและบิสมัทเป้าหมายในวิทยุความถี่ตรอน