We have investigated the surface st

We have investigated the surface structure of monoclinic WO3 thin films on α-Al2O3(0001) substrates during thermal treatments in ultra high vacuum and oxygen exposure. For an annealing temperature of 450 °C, reflection high-energy electron diffraction shows the formation of a second WO3 phase with a pseudo cubic structure and the partial reduction to metallic tungsten clusters on the WO3 surface. Electron energy loss spectrometry confirms these changes of the surface structure. The reverse process, i.e. the oxidation of W, occurs if the samples are heated in air at 450 °C. Under oxygen exposure films in the monoclinic WO3 phase follow a semiconductor like behaviour with an activation energy of −0.34 eV. Reduced WO3 films exhibit a metal-like conductivity with an activation energy of approximately zero. The temperature-dependent conductivities as well as the conductivity effects that we found upon CO exposures to the WO3 thin films depend much on the thermal pre-treatments and the associated surface structures. CO exposure leads to an increase of the conductivity; this acceptor-type interaction of CO with samples that have been annealed at 450 °C is explained by a dissociation into carbon and oxygen, the latter interacting with oxygen vacancies.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราได้ตรวจสอบโครงสร้างพื้นผิวของฟิล์มบาง WO3 monoclinic บนพื้นผิว α-Al2O3(0001) ในระหว่างการรักษาความร้อนในกำลังดูดสูงพิเศษและออกซิเจนแสง สำหรับอุณหภูมิการหลอมที่ 450 ° C กระจายอิเล็กตรอนพลังงานสูงสะท้อนแสดงการก่อตัวของระยะ WO3 ที่สองโครงสร้างลูกบาศก์หลอกและการลดบางส่วนให้โลหะทังสเตน clusters บนผิว WO3 อิเล็กตรอนพลังงานสูญเสีย spectrometry ยืนยันเหล่านี้การเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างผิว กระบวนการย้อนกลับ เช่นการออกซิเดชันของ W เกิดขึ้นถ้าตัวอย่างความร้อนในอากาศที่อุณหภูมิ 450 องศาเซลเซียส ภายใต้แสงออกซิเจน ฟิล์มในระยะ WO3 monoclinic ตามดักเช่นพฤติกรรมที่มีค่าพลังงานของ −0.34 eV ฟิล์ม WO3 ลดจัดแสดงการนำไฟฟ้าเป็นเหมือนโลหะ มีค่าพลังงานประมาณศูนย์ นำขึ้นอยู่กับอุณหภูมิเป็นการนำผลกระทบที่เราพบเมื่อ CO กับฟิล์มบางของ WO3 มากขึ้นอยู่กับการรักษาก่อนที่ความร้อนและโครงสร้างพื้นผิวเกี่ยวข้อง บริษัทแสงนำไปสู่การเพิ่มขึ้นของการนำไฟฟ้า การโต้ตอบนี้ให้เป็นผู้รับชนิดของ CO กับตัวอย่างที่มีแล้วอบที่ 450 ° C เป็นอธิบาย โดย dissociation เป็นคาร์บอนและออกซิเจน หลังมีปฏิสัมพันธ์กับตำแหน่งงานว่างของออกซิเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้รับการตรวจสอบโครงสร้างพื้นผิวของ monoclinic WO3 ฟิล์มบางบนα-Al2O3 (0001) พื้นผิวในระหว่างการรักษาความร้อนในสูญญากาศสูงเป็นพิเศษและการสัมผัสออกซิเจน สำหรับอุณหภูมิการอบ 450 องศาเซลเซียสเลนส์สะท้อนพลังงานสูงอิเล็กตรอนแสดงให้เห็นถึงการก่อตัวของเฟสที่สองกับ WO3 หลอกลูกบาศก์โครงสร้างและการลดลงบางส่วนให้กับกลุ่มทังสเตนโลหะบนพื้นผิว WO3 ที่ อิเลคตรอน spectrometry การสูญเสียพลังงานยืนยันการเปลี่ยนแปลงเหล่านี้ของโครงสร้างพื้นผิว กระบวนการย้อนกลับคือการเกิดออกซิเดชันของ W ที่เกิดขึ้นหากกลุ่มตัวอย่างมีความร้อนในอากาศที่ 450 ° C ภายใต้การเปิดรับออกซิเจนภาพยนตร์ในขั้นตอนการปฏิบัติตาม WO3 monoclinic สารกึ่งตัวนำเช่นพฤติกรรมที่มีการเปิดใช้งานพลังงาน -0.34 eV ลดภาพยนตร์ WO3 แสดงการนำโลหะเช่นเดียวกับพลังงานกระตุ้นการทำงานของศูนย์ประมาณ การนำอุณหภูมิขึ้นเช่นเดียวกับผลกระทบการนำไฟฟ้าที่เราพบอยู่บนความเสี่ยงที่จะ CO ฟิล์มบาง WO3 ขึ้นอยู่มากในความร้อนก่อนการรักษาและการเชื่อมโยงโครงสร้างพื้นผิว การสัมผัส CO นำไปสู่​​การเพิ่มขึ้นของการนำ ๆ ; นี้ปฏิสัมพันธ์ใบเสร็จชนิดร่วมกับกลุ่มตัวอย่างที่ได้รับการอบที่ 450 องศาเซลเซียสจะอธิบายโดยแยกออกจากกันให้เป็นคาร์บอนและออกซิเจนหลังมีปฏิสัมพันธ์กับตำแหน่งงานว่างออกซิเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราได้ศึกษาโครงสร้างผิวของโมโนคลินิก wo3 ฟิล์มบางบนพื้นผิว Al2O3 แอลฟา ( 001 ) ในระหว่างการรักษาความร้อนในระบบสูญญากาศสูงและการเปิดรับออกซิเจน สำหรับการอบอุณหภูมิ 450 องศา C , การสะท้อนพลังงานการเลี้ยวเบนอิเล็กตรอนแสดงการก่อตัวของเฟสที่สอง wo3 กับเทียมลูกบาศก์โครงสร้างและบางส่วนลดโลหะทังสเตนกลุ่มบนพื้นผิว wo3 . พลังงานที่สูญเสียอิเล็กตรอนรียืนยันเหล่านี้การเปลี่ยนแปลงของโครงสร้างผิว กระบวนการย้อนกลับ เช่น ออกซิเดชันของ W จะเกิดขึ้นหากตัวอย่างถูกให้ความร้อนในอากาศที่อุณหภูมิ 450 องศา ภายใต้ออกซิเจนเปิดรับภาพยนตร์ในเฟสโมโนคลินิกตาม wo3 สารกึ่งตัวนำเช่นพฤติกรรมกับพลังงานก่อกัมมันต์ของ− 0.34 EV ลด wo3 ภาพยนตร์แสดงโลหะเช่นการนำด้วยการกระตุ้นพลังงานประมาณ ศูนย์ ซึ่งขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ conductivities รวมทั้งนำผลที่เราพบบน Co เปิดรับกับ wo3 ฟิล์มขึ้นอยู่มากในความร้อนก่อนการรักษาและที่เกี่ยวข้อง พื้นผิว โครงสร้าง แสง Co นำไปสู่การเพิ่มขึ้นของค่าการนำไฟฟ้า ; นี้พระนาสิกประเภทปฏิสัมพันธ์ของ Co กับตัวอย่างที่ได้อบที่ 450 องศา C จะสามารถอธิบายได้โดยการเป็น คาร์บอน และออกซิเจน หลังกระทบกับที่ว่างของออกซิเจน