The variation of neutral and ion fl

The variation of neutral and ion fluxes with varying radial position, shown in Fig. 2, results in a variation in the deposited oxide thickness, which in turn, causes the TSV parasitic capacitance to depend on the TSV position on the wafer. This is shown in Fig. 5 (bottom), where it becomes clear that the TSVs placed at locations exhibited to lower neutral and ion fluxes have an increased parasitic capacitance. The DC capacitance variation amounts to about 3% between wafer center and wafer rim. The frequency dependence of the TSV capacitance can be seen in Fig. 5 (top), where the simulation is performed using a boron-doped bulk silicon (2.15 1015 cm 3).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ของกลางและ fluxes ไอออน มีแตกต่างกันที่ตำแหน่งรัศมี Fig. 2 แสดงผลลัพธ์ในรูปแบบความหนาออกไซด์นำฝาก ซึ่ง จะทำให้ความเสียงฟู่เหมือนกาฝาก TSV ขึ้นอยู่กับตำแหน่ง TSV บนแผ่นเวเฟอร์ แสดงใน 5 Fig. (ล่าง), ซึ่งเป็นที่ชัดเจนว่า TSVs ที่อยู่ในสถานที่จัดแสดงลงกลาง และ fluxes ไอออนมีความเสียงฟู่เหมือนกาฝากเพิ่มขึ้น การเปลี่ยนแปลงค่าความจุ DC จำนวนประมาณ 3% ระหว่างศูนย์แผ่นเวเฟอร์และริมแผ่นเวเฟอร์ อาศัยความถี่ของความ TSV สามารถดูได้ใน Fig. 5 (บน), ที่ทำการจำลองการใช้ซิลิคอนโบรอน doped จำนวนมาก (2.15 1015 ซม 3)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปแบบของฟลักซ์ที่เป็นกลางและไอออนที่แตกต่างกับตำแหน่งรัศมีที่แสดงในรูป 2 ส่งผลให้เกิดการเปลี่ยนแปลงในความหนาออกไซด์ฝากซึ่งจะทำให้เกิดความจุปรสิต TSV ขึ้นอยู่กับตำแหน่งที่ TSV บนแผ่นเวเฟอร์ นี้จะปรากฏในรูป 5 (ล่าง) ที่มันจะกลายเป็นที่ชัดเจนว่า TSVs ที่วางอยู่ในสถานที่ที่จัดแสดงเพื่อลดฟลักซ์ที่เป็นกลางและไอออนมีความจุเพิ่มขึ้นกาฝาก รูปแบบความจุซีจะมีจำนวนประมาณ 3% ระหว่างศูนย์เวเฟอร์และขอบเวเฟอร์ การพึ่งพาอาศัยความถี่ของความจุ TSV ที่สามารถมองเห็นในรูป 5 (บนสุด) ที่จำลองจะดำเนินการโดยใช้กลุ่มโบรอนเจือซิลิกอน (2.15 1,015 ซม. 3)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเปลี่ยนแปลงของค่าเป็นกลาง และไอออนที่ตำแหน่งรัศมี , แสดงในรูปที่ 2 , ผลในการเปลี่ยนแปลงในฝากความหนาของออกไซด์ ซึ่งจะทำให้เชื้อไวรัสปรสิตความจุขึ้นอยู่กับ TSV ตำแหน่งบนเวเฟอร์ นี้จะแสดงในรูปที่ 5 ( ล่าง )ที่มันจะกลายเป็นที่ชัดเจนว่า tsvs วางไว้ในสถานที่จัดแสดงลดเป็นกลางและอิออนฟลักซ์เพิ่มขึ้นปรสิตความจุ . DC ความจุรูปแบบจํานวนประมาณ 3 % ระหว่างศูนย์และแผ่นเวเฟอร์ขอบ ความถี่ในการพึ่งพาของ TSV ความจุที่สามารถเห็นได้ในรูปที่ 5 ( ด้านบน ) ที่เลียนแบบการใช้โบรอน ซิลิคอนที่มีขนาดใหญ่ ( 2.15 พี่มีซม. 3 )