As mentioned above, the hybridizati

As mentioned above, the hybridization of 2D materials
with other functional species has led to the enhanced
performance in various applications. As a
proof-of-concept demonstration, the electronic property
and switching effect of MoS2@ZIF-8 based flexible
memory device with the configuration of poly-
(ethylene terephthalate) (PET)/rGO/MoS2@ZIF-8/rGO
was investigated by current
voltage (I
V) characteristics
(see Methods and Materials for the detailed fabrication
process of the device). As shown in Figure 4a,
the MoS2@ZIF-8 based device exhibited bistable electrical
behavior. Starting with the low conductivity state
(OFF state) in the device, the current state increased
abruptly from 7.0  10
10 to 5.0  10
5 A with the
applied negative voltage increased to þ3.3 V, indicating
that the electrical property transformed to a high
current state (ON state). The transition from the OFF
state to the ON state serves as the “writing” process. In
the subsequent positive sweep (stage 2), the device

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังกล่าวข้างต้น hybridization 2D วัสดุมีสายพันธุ์อื่น ๆ ทำงานได้นำไปที่เพิ่มขึ้นประสิทธิภาพในการใช้งานต่าง ๆ เป็นการหลักฐานของแนวคิดสาธิต คุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์และผลของ MoS2@ZIF-8 การสลับตามความยืดหยุ่นอุปกรณ์หน่วยความจำ ด้วยการกำหนดค่าของโพลี-(เอทิลีน terephthalate) MoS2@ZIF-8/rGO /rGO/ (PET)ถูกสอบสวน โดยลักษณะแรงดัน (I V) ปัจจุบัน(ดูวิธีการและวัสดุสำหรับการผลิตรายละเอียดกระบวนการอุปกรณ์) ดังแสดงในรูปที่ 4aMoS2@ZIF-8 การใช้ bistable จัดแสดงอุปกรณ์ไฟฟ้าลักษณะการทำงาน เริ่มต้น ด้วยรัฐนำต่ำ(จากรัฐ) ในอุปกรณ์ เพิ่มสถานะปัจจุบันกะทันหันจาก 7.0 10 10-5.0 5 A 10 มีการใช้แรงดันไฟฟ้าลบที่เพิ่มขึ้น þ3.3 V แสดงว่า คุณสมบัติไฟฟ้าเปลี่ยนไปมากปัจจุบันรัฐ (ตามสภาพ) เปลี่ยนจากออฟรัฐรัฐทำหน้าที่เป็นกระบวนการ "เขียน" ในตามมาบวกกวาด (ระยะ 2), อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังกล่าวข้างต้นพันธุ์ของวัสดุ 2D
กับสายพันธุ์การทำงานอื่น ๆ ได้นำไปสู่การปรับปรุง
ประสิทธิภาพการทำงานในการใช้งานต่างๆ ในฐานะที่เป็น
หลักฐานที่แสดงให้เห็นถึงแนวคิดของสถานที่ให้บริการอิเล็กทรอนิกส์
และผลกระทบของการเปลี่ยน MoS2 @ ZIF-8 ที่มีความยืดหยุ่นตาม
อุปกรณ์หน่วยความจำที่มีการกำหนดค่าของโพลี
(เอทิลีน terephthalate) (PET) / RGO / MoS2 @ ZIF-8 / RGO
ถูกตรวจสอบ โดยปัจจุบันแรงดันไฟฟ้า (I? V) ลักษณะ
(ดูวิธีการและวัสดุในการผลิตที่มีรายละเอียด
ขั้นตอนการอุปกรณ์) ดังแสดงในรูปที่ 4a,
MoS2 @ ZIF-8 อุปกรณ์ที่ใช้ไฟฟ้า bistable แสดง
พฤติกรรม เริ่มต้นด้วยการนำรัฐต่ำ
(OFF รัฐ) ในอุปกรณ์ของรัฐในปัจจุบันเพิ่มขึ้น
จาก 7.0 ทันที? 10 10-5.0? 10? 5 ที่มี
แรงดันไฟฟ้าที่นำไปใช้ในเชิงลบเพิ่มขึ้นþ3.3 V แสดงให้เห็น
ว่าทรัพย์สินไฟฟ้าเปลี่ยนสูง
ของรัฐในปัจจุบัน (ON รัฐ) เปลี่ยนจาก OFF
รัฐรัฐบนทำหน้าที่เป็น "การเขียน" กระบวนการ ใน
การกวาดบวกที่ตามมา (ระยะที่ 2), อุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามที่กล่าวไว้ข้างต้น ผสมผสานกับวัสดุชนิดอื่น ๆมีการทำงานแบบ

ทำให้เพิ่มประสิทธิภาพในการใช้งานต่าง ๆ โดย
หลักฐานสาธิตแนวคิด , อิเล็กทรอนิกส์และคุณสมบัติ
เปลี่ยนผลของ mos2 @ zif-8 ตามอุปกรณ์
หน่วยความจำมีความยืดหยุ่นกับการตั้งค่าของพอลิ ( เอทิลีน terephthalate )
( สัตว์เลี้ยง ) / rgo / mos2 @ zif-8 / rgo
ถูกตรวจสอบด้วยแรงดัน
ปัจจุบัน ( ผม
V ) ลักษณะ
( ดูวิธีการและวัสดุสำหรับรายละเอียดการประดิษฐ์
กระบวนการของอุปกรณ์ ) ดังแสดงในรูปที่ 4
, @ zif-8 mos2 อุปกรณ์แสดงพฤติกรรมทางไฟฟ้า
ระบบขาวดำจาก เริ่มด้วยการนำรัฐต่ำ
( จากรัฐ ) ในอุปกรณ์ , สถานะปัจจุบันเพิ่มขึ้น
ชะงักจาก 7.0  10
10 5.0  10
5 กับ
แรงดันเชิงลบที่ใช้เพิ่มขึ้นþ 3.3 V ที่ระบุว่าคุณสมบัติแปลงไฟฟ้า

สูงในปัจจุบันรัฐ ( รัฐ ) เปลี่ยนจากปิด
รัฐในสถานะที่ทำหน้าที่เป็น " เขียน " กระบวนการ ใน
กวาดบวกตามมา ( ระยะที่ 2 ) , อุปกรณ์