Coating of Al2O3 barrier layer on F

Coating of Al2O3 barrier layer on F-T films is conducted to further increase the PCE by retarding the recombination processes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เคลือบของ Al2O3 กั้นชั้นบนฟิล์ม F-T จะดำเนินการต่อไป เพิ่มเรา โดย retarding กระบวน recombination

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเคลือบผิวของชั้นอุปสรรค Al2O3 ในภาพยนตร์ FT จะดำเนินการเพื่อเพิ่ม PCE โดยการชะลอกระบวนการรวมตัวกันอีก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคลือบอะลูมิเนียมกั้นชั้น f-t ภาพยนตร์มีวัตถุประสงค์เพื่อเพิ่ม PCE การกระบวนการ recombination .