The first high-brightness blue LED

The first high-brightness blue LED was demonstrated by Shuji Nakamura of Nichia Corporation in 1994 and was based on InGaN.[33] Its development built on critical developments in GaN nucleation on sapphire substrates and the demonstration of p-type doping of GaN, developed by Isamu Akasaki and Hiroshi Amano in Nagoya.[citation needed] In 1995, Alberto Barbieri at the Cardiff University Laboratory (GB) investigated the efficiency and reliability of high-brightness LEDs and demonstrated a "transparent contact" LED using indium tin oxide (ITO) on (AlGaInP/GaAs). The existence of blue LEDs and high-efficiency LEDs quickly led to the development of the first white LED, which employed a Y
3Al
5O
12:Ce, or "YAG", phosphor coating to mix down-converted yellow light with blue to produce light that appears white. Nakamura was awarded the 2006 Millennium Technology Prize for his invention.[34] Akasaki, Amano, and Nakamura were awarded the 2014 Nobel prize in physics for the invention of the blue LED.[35]

The development of LED technology has caused their efficiency and light output to rise exponentially, with a doubling occurring approximately every 36 months since the 1960s, in a way similar to Moore's law. This trend is generally attributed to the parallel development of other semiconductor technologies and advances in optics and material science, and has been called Haitz's law after Dr. Roland Haitz.[36]

In 2001[37] and 2002,[38] processes for growing gallium nitride (GaN) LEDs on silicon were successfully demonstrated. In January 2012, Osram demonstrated high-power InGaN LEDs grown on silicon substrates commercially.[39] It has been speculated that the use of six-inch silicon wafers instead of two-inch sapphire wafers and epitaxy manufacturing processes could reduce production costs by up to 90%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไฟ LED สีน้ำเงินความสว่างสูงแรกแสดง โดยมุระ Shuji ของ บริษัท Nichia ในปี 1994 และเป็นไปตาม InGaN[33] การพัฒนาเน้นการพัฒนาที่สำคัญในย่าน nucleation แซฟไฟร์พื้นผิวและการสาธิตของ p-ชนิดโดปปิงค์ของย่าน พัฒนาโดย Isamu Akasaki Hiroshi อะมะโนะในนาโกย่า[ต้องการอ้างอิง] ใน 1995, Alberto Barbieri ที่ห้องปฏิบัติการมหาวิทยาลัยคาร์ดิฟฟ์ (GB) ตรวจสอบประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของไฟ Led ความสว่างสูง และแสดง LED "โปร่งใสติดต่อ" ที่ใช้อินเดียมทินออกไซด์ (ITO) (AlGaInP GaAs) มีไฟ Led สีฟ้าและไฟ Led มีประสิทธิภาพสูงอย่างรวดเร็วนำไปพัฒนาแรกขาว LED ที่จ้างเป็น Y3Al5O12:Ce หรือ "YAG", phosphor เคลือบผสมลงแปลงเป็นไฟสีเหลืองกับสีฟ้าในการผลิตแสงที่ปรากฏสีขาว มุระได้รับรางวัลรางวัล 2006 มิลเลนเนียมเทคโนโลยีการประดิษฐ์ของเขา[34] Akasaki อะมะโนะ และมุระได้รับรางวัลโนเบลปี 2014 ในฟิสิกส์ในการประดิษฐ์ LED สีน้ำเงิน[35]การพัฒนาของเทคโนโลยี LED ได้เกิดประสิทธิภาพของพวกเขา และไฟแสดงผลจะเพิ่มขึ้นเป็นทวีคูณเมื่อ กับการ doubling เกิดประมาณทุกเดือน 36 ตั้งแต่ปี 1960 ในคล้ายกฎของมัวร์ แนวโน้มนี้โดยทั่วไปการเกิดจากการพัฒนาคู่ขนานของสารกึ่งตัวนำเทคโนโลยีและความก้าวหน้าในเลนส์และวัสดุศาสตร์อื่น ๆ และมีการเรียกของ Haitz กฎหมายหลังจากดร.โรแลนด์ Haitz[36]ใน 2002 และ 2001 [37] [38] กระบวนการเติบโตแกลเลียม nitride (กัน) ไฟ Led บนซิลิคอนได้สำเร็จแสดง ในเดือน 2012 มกราคม ได้ที่แสดงไฟ Led InGaN กำลังแรงสูงที่เติบโตบนพื้นผิวซิลิกอในเชิงพาณิชย์[39] ก็มีการคาดว่า รับซิลิคอนหกนิ้วสองนิ้วรับแซฟไฟร์และ epitaxy กระบวนการผลิตแทนการใช้สามารถลดต้นทุนการผลิตได้ถึง 90%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ครั้งแรกที่ความสว่างสูง LED สีฟ้าแสดงให้เห็นถึงโดยชูจิ นากามูระของนิชิอะ Corporation ในปี 1994 และถูกยึด ingan [ 33 ] การพัฒนาที่สร้างขึ้นในการพัฒนาที่สำคัญในกานบนพื้นผิวขนาดแซฟไฟร์และสาธิตการเติมพีของกานพัฒนาโดยซามุ akasaki กับฮิโรชิ อามาโนะ นาโกย่า . [ อ้างอิงที่จำเป็น ] เมื่อปี 1995ลเบอร์โต บาร์เบียรี่ที่มหาวิทยาลัยคาร์ดิฟฟ์ห้องปฏิบัติการ ( GB ) ศึกษาประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือของไฟ LED ความสว่างสูงและแสดงให้เห็นถึง " ติดต่อ " ใส LED โดยใช้อินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) ( algainp / GaAs ) การดำรงอยู่ของไฟ LED และไฟ LED สีฟ้าที่มีประสิทธิภาพสูงได้อย่างรวดเร็ว นำไปสู่การพัฒนาแรกสีขาว ซึ่งใช้ 3al 5o Y


12 : CE , หรือ " ดี "สารเคลือบผสม ลงแปลงสีเหลืองกับสีฟ้าเพื่อผลิตแสงที่ปรากฏสีขาว นากามูระ ได้รับรางวัลมิลเลนเนียมเทคโนโลยี 2006 รางวัลสำหรับการประดิษฐ์ของเขา [ 34 ] akasaki อามาโนะ นากามูระและได้รับรางวัลโนเบลสาขาฟิสิกส์ในปี 2014 สำหรับการประดิษฐ์ของไฟ LED สีฟ้า [ 35 ]

การพัฒนาเทคโนโลยี LED ทำให้ประสิทธิภาพและผลไฟลุกชี้แจง ,มีมากที่เกิดขึ้นประมาณทุก 36 เดือนนับตั้งแต่ทศวรรษ 1960 ในลักษณะคล้ายคลึงกับกฏของมัวร์ แนวโน้มนี้โดยทั่วไปจะเกิดจากการพัฒนาของเทคโนโลยีสารกึ่งตัวนำและขนานอื่น ๆความก้าวหน้าในเลนส์และวัสดุวิทยาศาสตร์ และถูกเรียก haitz กฎหมาย หลังจากที่ ดร. โรแลนด์ haitz [ 36 ]

[ 37 ] ในปี 2001 และ 2002[ 38 ] กระบวนการเติบโตแกลเลียมไนไตรด์ ( กาน ) ไฟ LED ในซิลิคอนเป็นเรียบร้อยแล้ว แสดงให้เห็นถึง ในเดือนมกราคม 2012 , OSRAM ให้พลังงานสูง ingan LEDs ที่ปลูกบนพื้นผิวซิลิกอนในเชิงพาณิชย์ [ 39 ] มันถูกสันนิษฐานว่าใช้เวเฟอร์ซิลิคอนหกนิ้วแทนที่จะเป็นสองนิ้ว แซฟไฟร์ และสร้างกระบวนการผลิตเวเฟอร์ สามารถลดต้นทุนการผลิตได้ถึง 90%