To study the short circuiting effec

To study the short circuiting effects in the AlN thin film sensors
due to the crack formation at the step edge, we fabricated sensor
units on different underlying materials such as thermally (dry oxidation
at ∼900 ◦C) grown SiO2 (300 nm) on the Si wafers, native
oxide on the Si wafers, and Al2O3 deposited on the Si wafers by
e-beam evaporation (the temperature at the wafer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การศึกษาผลกระทบ circuiting สั้นในเซนเซอร์ AlN ฟิล์มบางเนื่องจากผู้แต่งรอยแตกที่ขอบขั้นตอน เราหลังสร้างเซ็นเซอร์หน่วยในต่างต้นวัสดุเช่นแพ (แห้งออกซิเดชันที่ ∼900 ◦C) โต SiO2 (300 nm) ในรับซี พื้นเมืองในการรับศรี และ Al2O3 ฝากบนรับศรีโดยอีคานระเหย (อุณหภูมิที่แผ่นเวเฟอร์ < 200 ◦C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อศึกษาผลกระทบที่ไฟฟ้าลัดวงจรในเซ็นเซอร์ภาพยนตร์ ALN
บางเนื่องจากการสะสมรอยแตกที่ขอบขั้นตอนที่เราประดิษฐ์เซ็นเซอร์หน่วยบนวัสดุพื้นฐานที่แตกต่างกันเช่นความร้อน
(ออกซิเดชั่แห้งที่ ~900 ◦C) เติบโต SiO2 (300 นาโนเมตร) บน เวเฟอร์ศรีพื้นเมืองออกไซด์ในช็อคโกแลตสีและAl2O3 ฝากในเวเฟอร์ศรีโดยการระเหยE-คาน (อุณหภูมิที่เวเฟอร์ <200 ◦C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เพื่อศึกษาผลกระทบในระยะสั้น circuiting ใน ALN ฟิล์มเซ็นเซอร์
เนื่องจากการก้าวร้าวที่ขอบ เราประดิษฐ์หน่วยเซ็นเซอร์
แตกต่างต้นแบบวัสดุเช่นแช ( บริการออกซิเดชัน
ที่∼ 900 ◦ C ) SiO2 โต ( 300 นาโนเมตร ) ในจังหวัด เวเฟอร์ , ออกไซด์พื้นเมือง
บนศรีเวเฟอร์ , ฝากบน Al2O3 และศรีเวเฟอร์ด้วย
e-beam การระเหย ( อุณหภูมิที่เวเฟอร์ < 200 ◦ C )