Results and DiscussionIn this study

Results and Discussion
In this study, we consider Z2 (Fig. 1(a)) as two parameters in parallel (Fig. 1(b)), i.e. diode resistance
(R2) and diode capacitance (C2). Under dark condition, looking at an output port, we can model the
photovoltaic impedance (ZPV) as consisting of a resistive and a reactive component in series in the form of
RPV + jXPV. At each bias voltage (V) and signal frequency (ω), the impedance can be expressed as
equation (1).
For simplification, we drop V and ω, and lump Rsh and R2 (Rsh//R2) into parallel resistance (RP). The
simplified dynamic impedance equation can be rewritten as equation (2).
It should be noted that C2 are voltage and frequency dependent, and R2 is voltage dependent [1-2].
Dynamic impedances under both forward and reverse biases at 0.2, 0.3, and 0.4 V are determined by
FRA under dark conditions. Impedance loci are plotted in a complex plane as shown in Fig. 2. It is found
that, the impedance loci are semicircles and conform to equation (2). At high and low frequencies for

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลและการอภิปรายในการศึกษานี้ เราพิจารณา Z2 (1(a)) มะเดื่อเป็นพารามิเตอร์ที่สองในขนาน (รูป 1(b)) เช่นความต้านทานของไดโอด(R2) และไดโอดความจุ (C2) ภายใต้เงื่อนไขที่เข้ม กำลังดูพอร์ตเอาต์พุต เราสามารถจำลองการความต้านทานของเซลล์แสงอาทิตย์ (ZPV) ไปด้วยในตัวต้านทานและส่วนประกอบในชุดข้อมูลในรูปแบบของปฏิกิริยาRPV + jXPV แต่ละแรงดัน bias (V) และความถี่ของสัญญาณ (ω), ความต้านทานที่แสดงเป็นสมการ (1)เข้าใจง่าย เราปล่อย V และω และก้อน Rsh และ R2 (Rsh / / R2) เข้าไปในความต้านทานขนาน (RP) การอิมพีแดนซ์แบบไดนามิกประยุกต์สมการสามารถเขียนใหม่ตามสมการ (2)ควรสังเกตว่า C2 มีแรงดันไฟฟ้าและความถี่ขึ้นกับ และ R2 จะขึ้นกับแรงดัน [1 - 2]Impedances ไดนามิกภายใต้อคติทั้งข้างหน้า และย้อนกลับที่ 0.2, 0.3, 0.4 V และถูกกำหนดโดยFRA ภายใต้เงื่อนไขที่มืด ตำแหน่งอ่อนแอความต้านทานถูกลงจุดในเครื่องบินคอมเพล็กซ์ดังแสดงในรูป 2 พบว่า ตำแหน่งอ่อนแอความต้านทานมี semicircles และสอดคล้องกับสมการ (2) ที่สูงและความถี่ต่ำสำหรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลลัพธ์และการอภิปราย
ในการศึกษานี้เราพิจารณา Z2 (รูป. 1 (ก)) เป็นสองพารามิเตอร์ในแบบคู่ขนาน (รูป. 1 (ข)) คือไดโอดต้านทาน
(R2) และไดโอดความจุ (C2) ภายใต้เงื่อนไขที่มืดมองหาที่พอร์ตออกเราสามารถจำลอง
เซลล์แสงอาทิตย์ต้านทาน (ZPV) ในฐานะประกอบด้วยทานและส่วนประกอบปฏิกิริยาในซีรีส์ในรูปแบบของ
RPV + jXPV แรงดันไฟฟ้าในแต่ละอคติ (V) และความถี่ของสัญญาณ (ω) ความต้านทานสามารถแสดงเป็น
สมการ (1).
สำหรับความเรียบง่ายเราวาง V และωและก้อน Rsh และ R2 (Rsh // R2) เป็นต้านทานแบบขนาน (RP )
สมความต้านทานแบบไดนามิกง่ายสามารถเขียนเป็นสมการ (2).
มันควรจะตั้งข้อสังเกตว่า C2 มีแรงดันและความถี่ขึ้นและ R2 จะขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้า [1-2].
impedances แบบไดนามิกภายใต้ทั้งเดินหน้าและถอยหลังอคติที่ 0.2, 0.3, และ 0.4 V จะถูกกำหนดโดย
FRA ภายใต้เงื่อนไขที่มืด สถานะความต้านทานมาลงจุดในระนาบที่ซับซ้อนดังแสดงในรูป 2. นอกจากนี้ยังพบ
ว่าตำแหน่งที่มีความต้านทาน semicircles และสอดคล้องกับสมการ (2) ที่ความถี่สูงและต่ำสำหรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลและการอภิปรายในการศึกษานี้เราพิจารณากขึ้น ( รูปที่ 1 ( a ) เป็นสองพารามิเตอร์ในแบบคู่ขนาน ( รูปที่ 1 ( ข ) ความต้านทาน เช่น ไดโอด( R2 ) และไดโอดของมอส ( C2 ) ภายใต้เงื่อนไขที่มืด ดูที่ output พอร์ต , เราสามารถโมเดลแผงเซลล์แสงอาทิตย์แบบ ( zpv ) ที่ประกอบด้วยตัวต้านทานและเป็นส่วนประกอบในชุด ในรูปแบบของrpv + jxpv . ในแต่ละความต่างศักย์ ( V ) และความถี่ของสัญญาณ ( ω ) , ซึ่งสามารถแสดงเป็นสมการ ( 1 )สำหรับราคาเราปล่อย V และωและ RSH ก้อนเนื้อ และ R2 ( RSH / / R2 ) ความต้านทานแบบขนาน ( RP ) ที่แบบไดนามิกอิมพีแดนซ์ของสมการสามารถเขียนเป็นสมการ ( 2 )มันควรจะสังเกตว่า C2 จะขึ้นอยู่กับแรงดันและความถี่และแรงดัน R2 เป็นขึ้นอยู่กับ [ 1-2 ]แบบไดนามิก impedances ใต้ทั้งสองไปข้างหน้าและย้อนกลับอคติที่ 0.2 , 0.3 และ 0.4 V ถูกกำหนดโดยฟรา ภายใต้เงื่อนไขที่มืด ความต้านทานสถานะเป็นจุดในระนาบเชิงซ้อนดังแสดงในรูปที่ 2 พบว่าที่ค่าสถานะจะ semicircles และสอดคล้องกับสมการ ( 2 ) ที่ความถี่สูงและต่ำ