The step height is 1.5nm, which cor

The step height is 1.5nm, which corresponds to the dimension of the 6H–SiC unit cell in the direction perpendicular to the surface(c axis).



On defect-free areas of the sample,the terraces typically extend undisturbed over 50µm in length


The morphology of the surface covered with a monolayer of graphene prepared by vacuum annealing is shown in Fig.1b.


The surface obviously undergoes significant modifications;it is now covered with small pits up to 10 nm in depth, and the original steps are hardly discernible any longer

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความสูงขั้นตอน 1.5nm ซึ่งสอดคล้องกับขนาดของหน่วย 6H-SiC เซลล์ในทิศทางที่ตั้งฉากกับพื้นผิว (คแกน). ในพื้นที่ที่ปราศจากข้อบกพร่องของตัวอย่างระเบียงมักจะขยายสงบมากกว่า50μmยาว. สัณฐานวิทยาของพื้นผิวที่ปกคลุมไปด้วย monolayer ของกราฟีนที่จัดทำโดยการหลอมสูญญากาศจะแสดงใน Fig.1b ผิวอย่างเห็นได้ชัดผ่านการปรับเปลี่ยนที่สำคัญมันถูกปกคลุมตอนนี้มีหลุมขนาดเล็กได้ถึง 10 นาโนเมตรในเชิงลึกและทำตามขั้นตอนเดิมแทบจะไม่มองเห็นใด ๆ อีกต่อไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้นตอน ความสูง 1.5nm ซึ่งสอดคล้องกับขนาดของหน่วยเซลล์ 6H – SIC ในทิศทางตั้งฉากกับพื้นผิว ( แกน C )



ในข้อบกพร่องฟรีพื้นที่ตัวอย่าง เทอมักจะขยายโดยกว่า 50 µ M ยาว


สัณฐานวิทยาของพื้นผิวที่ปกคลุมด้วย อย่างของกราฟีนที่เตรียมโดยการหลอมสุญญากาศจะแสดงใน fig.1b

.พื้นผิวที่เห็นได้ชัดว่าผ่านการเปลี่ยนแปลงที่สำคัญ มันเต็มไปด้วยหลุมขนาดเล็กได้ถึง 10 nm ในความลึกและเดิมก้าวแทบจะมองเห็นอีกต่อไป