Shown in Fig. 5 is an SIMS profile

Shown in Fig. 5 is an SIMS profile of Al and Zn for a
film deposited by PECVD with CO2 using 20mTorr of
diethylzinc and 224 1C. This film has an average resistivity
of 3:3  102 Ocm. The resistivity in the sputtered region is
1:2  102 Ocm. This figure shows that the Al concentration
peaks near the surface of the film at 1:7  1021 cm3.
This value exceeds the theoretical maximum in carrier
concentration of1:5  1021 cm3 [14]. The average concentration
throughout the 1350-nm-thick film is approximately
5:4  1020 cm3. Based on the resistivity measured
for the Al-doped ZnO film, it is estimated that less than
10% of the aluminum atoms are electrically active. Since
the SIMS measurement was made at only one position on
the sample, no conclusion can be drawn about the
distribution of aluminum across the wafer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงใน Fig. 5 เป็นโพรไฟล์ซิมส์ของอัลและ Zn สำหรับการ
ฝาก ด้วย PECVD กับ CO2 ที่ใช้ 20mTorr ของฟิล์ม
diethylzinc และ 224 1C. ฟิล์มชนิดนี้มีความต้านทานการเฉลี่ย
10 3:3 2 Ocm มีความต้านทานในภูมิภาค sputtered
10 1:2 2 Ocm รูปนี้แสดงที่ความเข้มข้นอัล
ยอดใกล้พื้นผิวของฟิล์มที่ 1021 ซม 1:7 3.
ค่านี้เกินจำนวนสูงสุดทฤษฎีในขนส่ง
ความเข้มข้น of1:5 ซม. 1021 3 [14] ความเข้มข้นเฉลี่ย
ตลอด 1350-nm-หนา ฟิล์มเป็นประมาณ
1020 ซม. 5:4 3 ขึ้นอยู่กับความต้านทานวัด
สำหรับฟิล์ม ZnO Al doped คาดที่น้อยกว่า
10% ของอะตอมอลูมิเนียมจะทำงานด้วยระบบไฟฟ้า ตั้งแต่
วัดซิมส์ทำที่ตำแหน่งเดียวบน
ตัวอย่าง บทสรุปไม่สามารถวาดเกี่ยวกับการ
จำหน่ายอลูมิเนียมทั่วแผ่นเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงในรูปที่ 5 เป็นรายละเอียดของอัลซิมส์และ Zn สำหรับ
ภาพยนตร์ฝาก PECVD กับ CO2 ใช้ 20mTorr ของ
diethylzinc และ 224 1C ภาพยนตร์เรื่องนี้มีความต้านทานเฉลี่ย
3: 3? 10 2 Ocm ความต้านทานในภูมิภาคพ่นเป็น
1: 2 หรือไม่? 10 2 Ocm ตัวเลขนี้แสดงให้เห็นว่าอัลเข้มข้น
ยอดเขาใกล้กับพื้นผิวของฟิล์ม ณ วันที่ 1: 7? 1021 cm 3?
ค่านี้เกินจำนวนสูงสุดทางทฤษฎีในผู้ให้บริการ
ความเข้มข้นของ 1: 5? 1021 ซม 3 [14] ความเข้มข้นเฉลี่ย
ตลอดทั้งฟิล์ม 1350 นาโนเมตรหนาประมาณ
5: 4? 1020 ซม 3 ขึ้นอยู่กับความต้านทานที่วัดได้
สำหรับฟิล์มซิงค์ออกไซด์อัเจือมันเป็นที่คาดว่าน้อยกว่า
10% ของอะตอมอลูมิเนียมมีการใช้งานระบบไฟฟ้า ตั้งแต่
การวัด SIMS เป็นเพียงหนึ่งตำแหน่งใน
ตัวอย่างไม่มีข้อสรุปที่สามารถวาดเกี่ยวกับ
การกระจายตัวของอลูมิเนียมทั่วเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงในรูปที่ 5 เป็นซิมส์โปรไฟล์ของอัลและสังกะสีสำหรับ
ฟิล์มฝากโดย pecvd กับ CO2 ใช้ 20mtorr ของ
diethylzinc 224 ใน ภาพยนตร์เรื่องนี้มี
ความต้านทานเฉลี่ย 3 : 3  10  2 โอซีเ ม . สภาพต้านทานไฟฟ้าในภูมิภาค คือ 1 : 2  sputtered
10  2 โอซีเ ม . รูปนี้แสดงให้เห็นว่า อัล สมาธิ
ยอดใกล้พื้นผิวของฟิล์มที่ 1 : 7  1021 ซม.  3
นี้มีค่าเกินกว่าทฤษฎีสูงสุดในผู้ให้บริการ
ความเข้มข้น of1:5  1021 ซม.  3 [ 14 ] ค่าเฉลี่ยความเข้มข้น
ตลอด 1 , 350 nm ฟิล์มหนาประมาณ
5 : 4  1020 ซม.  3 ขึ้นอยู่กับความต้านทานวัด
สำหรับอัลด้วยเช่นกันภาพยนตร์ มันคือประมาณว่ามากกว่า
10% ของอลูมิเนียมอะตอมที่ใช้ไฟฟ้า ตั้งแต่
การวัดซิมส์ทำเพียงหนึ่งตำแหน่ง
ตัวอย่าง ไม่มีข้อสรุปที่สามารถวาดเกี่ยวกับ
จำหน่ายอลูมิเนียมทั่วแผ่นเวเฟอร์