In summary, we have investigated th

In summary, we have investigated the intensity of Raman scattering in In1-xGaxN thin films when their bandgap energy is close to the excitation frequency of the laser. We found that tuning of electronic bandgap transition of the films with the laser excitation frequency dramatically influences the scattering intensities of A1(LO), 2A1(LO) , E2(Low) and, E2(high) modes.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในสรุป เรามีการตรวจสอบความเข้มของรามันโปรยในฟิล์มบาง In1 xGaxN เมื่อ bandgap พลังงานของพวกเขาอยู่ใกล้กับความถี่ไฟฟ้าของเลเซอร์ เราพบว่า ปรับแต่งของ bandgap อิเล็กทรอนิกส์เปลี่ยนฟิล์มอย่างเลเซอร์กระตุ้นอย่างมากมีอิทธิพลต่อการกระจายความเข้มของ A1(LO), 2A1(LO), E2(Low) และ E2(high)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยสรุปเราได้ตรวจสอบความเข้มของการกระเจิงรามันในภาพยนตร์บาง In1-xGaxN เมื่อพลังงาน bandgap ของพวกเขาอยู่ใกล้กับความถี่กระตุ้นของเลเซอร์ เราพบว่าการปรับจูนของการเปลี่ยนแปลง bandgap อิเล็กทรอนิกส์ของภาพยนตร์ที่มีความถี่เลเซอร์กระตุ้นอย่างมากที่มีอิทธิพลต่อความเข้มกระเจิงของ A1 (LO) 2A1 (LO) E2 (ต่ำ) และ E2 โหมด (สูง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยสรุปเราได้ศึกษาความเข้มของรามันกระจัดกระจายใน 1 xgaxn ฟิล์มบางเมื่อพลังงาน bandgap ของพวกเขาอยู่ใกล้กับกระตุ้นความถี่ของเลเซอร์ เราพบว่า การเปลี่ยนแปลง bandgap อิเล็กทรอนิกส์ของฟิล์มด้วยเลเซอร์กระตุ้นความถี่อย่างมากอิทธิพลการเข้มของ A1 ( LO ) 2A1 ( LO ) E2 ( ต่ำ ) และ E2 ( สูง ) โหมด