Fig. 5(a) plots the Fe-2p XPS spectrum of the as-deposited andannealed การแปล - Fig. 5(a) plots the Fe-2p XPS spectrum of the as-deposited andannealed ไทย วิธีการพูด

Fig. 5(a) plots the Fe-2p XPS spect

Fig. 5(a) plots the Fe-2p XPS spectrum of the as-deposited and
annealed FePt films with Ta ¼ 650e800 C. The vertical dash lines
represent the metallic Fe and Fe2O3 binding energies as references.
Note that the samples were sputtered for 1 min to remove the
oxygen layers which were physically absorbed on the FePt surfaces
in the XPS chamber before measurement. Besides, the XPS
detectable depth (d) is determined by the formula of d ¼ 3Msina,
where theMand a are the inelastic mean-free paths (IMFP) and the
take off angles for photoelectrons (in this study, a ¼ 45). For the xray
beam with energy of 1 keV, the IMFP of the electrons of FePt is
about 1.3 nm [28]. Thus, the detectable depth is determined to be
around 2.8 nm. For the as-deposited FePt film, the peaks were
located on the metallic Fe core-level. After an annealing of 650 C,
the peaks remained unchanged, indicating that the FePt film wasnot surface-oxidized during RTA. As Ts was further increased to
700 C, the peaks started to shift toward Fe2O3 state, which confirms
that the formation of FeOx on the surface of the L10-FePt film.
For the FePt film RTA at 800 C, a further shift toward Fe2O3 state
was observed, owing to the deeper oxygen diffusion and formation
of thicker oxide layer. The XPS spectra of the FePt films annealed
700 C show convolution curves from Fe2O3 component and pureFePt component, implying an off-stoichiometric FeeO compound.
The convolution curves indicate that the thicknesses of the oxidation
layer should be much less than 2.8 nm.
To further understand the role of surface oxidation on (001)
preferred orientation, the FePt films was capped with an MgO film
(1 nm-thick) and then was rapid-annealed at 800 C. The MgO film
was used to prevent exposure to oxygen atmosphere during
annealing. As shown in Fig. 5(b), the sample exhibits an L10 structure
with S value of ~0.9. However, a poor perpendicular anisotropy
with a LOF value of 0.72 was obtained in the bilayer film. Furthermore,
we also examined the s of the bilayer film which exhibits a
much smaller value (1.5 GPa) than that of the samples with free
surface (3.3 GPa). Since the capping oxide layer was expected to
suppress the surface oxidation of the L10 FePt films during RTA, it
can be implied that surface oxidation of the L10 FePt films which
induces strong tensile stress probably play a very important role in
enhancing the perpendicular anisotropy. Further investigations are
required to fully understand surface-oxidation phenomena and
resultant surface stress of the FePt films during RTA
0/5000
จาก: -
เป็น: -
ผลลัพธ์ (ไทย) 1: [สำเนา]
คัดลอก!
รูปเผยอวางสเปกตรัม XPS Fe - 2p ของการเป็นฝาก และอบ FePt ฟิล์มกับตา¼ 650e800 c เส้นประแนวตั้งแสดงถึงพลังงานรวมโลหะ Fe และเฟเป็นอ้างอิงหมายเหตุว่า ถูก sputtered ตัวอย่างสำหรับ 1 นาทีต้องการชั้นออกซิเจนซึ่งถูกดูดซึมทางกายภาพบนพื้นผิว FePtในห้อง XPS ก่อนการวัด นอกจาก XPSตรวจความลึก (d) เป็นไปตามสูตรของ d ¼ 3Msinaที่ theMand ถูก inelastic ฟรีหมายความว่าเส้นทาง (IMFP) และจะปิดมุมสำหรับ photoelectrons (ในการศึกษานี้ ¼ 45) สำหรับการเอ็กซ์เรย์ลำแสง มีพลังงาน 1 keV, IMFP ของอิเล็กตรอนของ FePt คือประมาณ 1.3 nm [28] ดังนั้น ความลึกที่ตรวจจับได้ถูกกำหนดเป็นประมาณ 2.8 nm ฝากเป็น FePt ฟิล์ม ยอดได้Fe โลหะหลักระดับอยู่ หลังจากการหลอมของ 650 Cยอดยังคงไม่เปลี่ยนแปลง ระบุว่า wasnot ฟิล์ม FePt ผิวออกซิไดซ์ระหว่าง RTA เป็น Ts เพิ่มเติมขึ้น700 C ยอดเริ่มเลื่อนไปทางรัฐเฟ ซึ่งยืนยันที่การก่อตัวของ FeOx บนผิวของฟิล์ม L10-FePtสำหรับภาพยนตร์เรื่อง FePt RTA ที่ 800 C กะต่อไปรัฐเฟได้สังเกต เนื่องจากการกระจายออกซิเจนมากขึ้นและก่อตัวของชั้นออกไซด์หนาด้วย สเป็ค XPS ของภาพยนตร์ FePt อบ700 C แสดงเส้นโค้งบิดจากคอมเนนต์เฟและ pureFePt กล่าวคืออยู่อาจมี FeeO ปิด stoichiometric ผสมเส้นโค้งบิดบ่งชี้ว่า ความหนาของการเกิดออกซิเดชันชั้นควรจะน้อยกว่า 2.8 nmเพื่อเข้าใจบทบาทของออกซิเดชั่นผิวบน (001)ต้องปฐมนิเทศ ภาพยนตร์ FePt ถูกปกคลุม ด้วยฟิล์มมี MgO(1 นาโนเมตรหนา) แล้ว ก็อบอย่างรวดเร็วที่ 800 c ฟิล์ม MgOใช้เพื่อป้องกันการสัมผัสบรรยากาศออกซิเจนระหว่างหลอม ดังแสดงในรูป 5(b) ตัวอย่างการจัดแสดงนิทรรศการโครงสร้างมี L10มีค่า S ของ ~ 0.9 อย่างไรก็ตาม ดาวเทียมสำรวจคลื่นตั้งฉากไม่ดีมี LOF มี ค่า 0.72 ได้รับในภาพยนตร์ bilayer นอกจากนี้นอกจากนี้เรายังตรวจสอบ s ฟิล์ม bilayer ที่มีค่ามีขนาดเล็กมาก (1.5 เกรดเฉลี่ย) ที่ตัวอย่างมีฟรีพื้นผิว (3.3 GPa) เนื่องจากชั้นออกไซด์ capping คาดว่าระงับการออกซิเดชันที่ผิวของฟิล์ม L10 FePt ระหว่าง RTA มันสามารถนัยออกซิเดชันที่ผิวของ L10 FePt ภาพยนตร์ซึ่งก่อให้เกิดความเค้นแรงดึงที่แรงคงมีบทบาทสำคัญมากในเพิ่มดาวเทียมสำรวจคลื่นตั้งฉาก สอบสวนเพิ่มเติมต้องเข้าใจปรากฏการณ์ผิวออกซิเดชัน และผลลัพธ์ผิวเครียดของฟิล์ม FePt ระหว่าง RTA
การแปล กรุณารอสักครู่..
ผลลัพธ์ (ไทย) 2:[สำเนา]
คัดลอก!
มะเดื่อ. 5 (ก) แปลงสเปกตรัมเฟ-2P XPS ของ AS-ฝากและ
อบฟิล์ม FePt กับตา¼ 650e800? C เส้นประแนวตั้ง
แทนโลหะเฟและ Fe2O3 ผูกพันพลังงานเป็นข้อมูลอ้างอิง.
โปรดทราบว่าตัวอย่างที่ถูกพ่นเป็นเวลา 1 นาทีเพื่อเอา
​​ชั้นออกซิเจนซึ่งถูกดูดซึมร่างกายบนพื้นผิว FePt
ในห้อง XPS ก่อนที่จะวัด นอกจากนี้ XPS
ตรวจพบความลึก (D) จะถูกกำหนดโดยสูตรของ D ¼ 3Msina ที่
ที่ themand เป็นยืดหยุ่นหมายถึงฟรีเส้นทาง (IMFP) และ
จะปิดมุมสำหรับ photoelectrons (ในการศึกษาครั้งนี้¼ 45?) สำหรับ Xray
คานด้วยพลังงานจาก 1 เคฟ, IMFP ของอิเล็กตรอนของ FePt เป็น
ประมาณ 1.3 นาโนเมตร [28] ดังนั้นความลึกที่ตรวจพบจะถูกกำหนดให้เป็น
รอบ 2.8 นาโนเมตร สำหรับภาพยนตร์ FePt เป็นฝากยอดเขาถูก
ตั้งอยู่บนโลหะเฟหลักระดับ หลังจากการอบ 650 องศาเซลเซียสที่
ยอดเขายังคงไม่เปลี่ยนแปลงแสดงให้เห็นว่าภาพยนตร์ FePt wasnot พื้นผิวออกซิไดซ์ในช่วง RTA ในฐานะที่เป็น Ts เพิ่มขึ้นต่อไป
700? C, ยอดเขาเริ่มเปลี่ยนไปยังรัฐ Fe2O3 ซึ่งยืนยัน
ว่าการก่อตัวของ FeOx บนพื้นผิวของฟิล์ม L10-FePt ได้.
สำหรับภาพยนตร์ FePt RTA ที่ 800? C, การเปลี่ยนแปลงต่อไปยัง รัฐ Fe2O3
พบว่าเนื่องจากการแพร่กระจายออกซิเจนลึกและการก่อตัว
ของชั้นออกไซด์หนา สเปกตรัม XPS ของภาพยนตร์ FePt อบ
700 องศาเซลเซียสแสดงเส้นโค้งบิดจากองค์ประกอบ Fe2O3 และส่วนประกอบ pureFePt หมายความปิด stoichiometric สารประกอบ FeeO.
โค้งบิดแสดงให้เห็นว่ามีความหนาของการเกิดออกซิเดชันที่
ชั้นควรจะน้อยกว่า 2.8 นาโนเมตร.
ต้องการ เข้าใจบทบาทของการเกิดออกซิเดชันบนพื้นผิว (001) สำหรับ
การวางแนวทางที่ต้องการฟิล์ม FePt ถูกปกคลุมด้วยฟิล์ม MgO
(1 นาโนเมตรหนา) และจากนั้นได้รับการอย่างรวดเร็วอบที่ 800 องศาเซลเซียส ภาพยนตร์เรื่องนี้ MgO
ถูกนำมาใช้เพื่อป้องกันการสัมผัสกับบรรยากาศที่มีออกซิเจนในระหว่างการ
อบอ่อน ดังแสดงในรูป 5 (B), ตัวอย่างการจัดแสดงนิทรรศการโครงสร้าง L10
ที่มีค่าของ S ~ 0.9 อย่างไรก็ตาม anisotropy ตั้งฉากที่น่าสงสาร
มีมูลค่า LOF 0.72 ได้รับในภาพยนตร์ bilayer นอกจากนี้
เรายังตรวจสอบของภาพยนตร์ bilayer ซึ่งจัดแสดงผลงานที่
คุ้มค่าขนาดเล็กมาก (1.5 GPA) กว่าของกลุ่มตัวอย่างที่มีฟรี
พื้นผิว (3.3 GPA) ตั้งแต่ชั้นออกไซด์สูงสุดที่คาดว่าจะ
ปราบปรามการเกิดออกซิเดชันพื้นผิวของภาพยนตร์ L10 FePt ระหว่าง RTA ก็
สามารถส่อให้เห็นว่าการเกิดออกซิเดชันพื้นผิวของภาพยนตร์ L10 FePt ซึ่ง
ก่อให้เกิดความเครียดแรงดึงที่แข็งแกร่งอาจจะมีบทบาทสำคัญมากใน
การเสริมสร้าง anisotropy ตั้งฉาก การสืบสวนต่อไปจะ
ต้องเข้าใจปรากฏการณ์พื้นผิวการเกิดออกซิเดชันและ
ความเครียดผิวผลลัพธ์ของภาพยนตร์ FePt ระหว่าง RTA
การแปล กรุณารอสักครู่..
 
ภาษาอื่น ๆ
การสนับสนุนเครื่องมือแปลภาษา: กรีก, กันนาดา, กาลิเชียน, คลิงออน, คอร์สิกา, คาซัค, คาตาลัน, คินยารวันดา, คีร์กิซ, คุชราต, จอร์เจีย, จีน, จีนดั้งเดิม, ชวา, ชิเชวา, ซามัว, ซีบัวโน, ซุนดา, ซูลู, ญี่ปุ่น, ดัตช์, ตรวจหาภาษา, ตุรกี, ทมิฬ, ทาจิก, ทาทาร์, นอร์เวย์, บอสเนีย, บัลแกเรีย, บาสก์, ปัญจาป, ฝรั่งเศส, พาชตู, ฟริเชียน, ฟินแลนด์, ฟิลิปปินส์, ภาษาอินโดนีเซี, มองโกเลีย, มัลทีส, มาซีโดเนีย, มาราฐี, มาลากาซี, มาลายาลัม, มาเลย์, ม้ง, ยิดดิช, ยูเครน, รัสเซีย, ละติน, ลักเซมเบิร์ก, ลัตเวีย, ลาว, ลิทัวเนีย, สวาฮิลี, สวีเดน, สิงหล, สินธี, สเปน, สโลวัก, สโลวีเนีย, อังกฤษ, อัมฮาริก, อาร์เซอร์ไบจัน, อาร์เมเนีย, อาหรับ, อิกโบ, อิตาลี, อุยกูร์, อุสเบกิสถาน, อูรดู, ฮังการี, ฮัวซา, ฮาวาย, ฮินดี, ฮีบรู, เกลิกสกอต, เกาหลี, เขมร, เคิร์ด, เช็ก, เซอร์เบียน, เซโซโท, เดนมาร์ก, เตลูกู, เติร์กเมน, เนปาล, เบงกอล, เบลารุส, เปอร์เซีย, เมารี, เมียนมา (พม่า), เยอรมัน, เวลส์, เวียดนาม, เอสเปอแรนโต, เอสโทเนีย, เฮติครีโอล, แอฟริกา, แอลเบเนีย, โคซา, โครเอเชีย, โชนา, โซมาลี, โปรตุเกส, โปแลนด์, โยรูบา, โรมาเนีย, โอเดีย (โอริยา), ไทย, ไอซ์แลนด์, ไอร์แลนด์, การแปลภาษา.

Copyright ©2025 I Love Translation. All reserved.

E-mail: