4. ConclusionsWe have shown that DN

4. Conclusions
We have shown that DNA can be directly immobilized onto ZrO2, AlGaN, GaN, and HfO2 in a phosphate dependent manner. Immobilization was not successful for SiO2 or TiO2 surfaces, although alternative deposition methods could yield successful DNA immobilization on these materials. The primary application of this immobilization technique is for electrical-based nucleic acid detection systems, such as field-effect transistors (FETs) and high electron mobility transistors (HEMTs) that utilize these materials for active device components such as gate oxides/dielectrics. In each case, nucleic acid probes can be directly immobilized onto the substrates tested without complex surface chemistry, cross-linking, or probe modifications.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

4. บทสรุปเราได้แสดงว่า ดีเอ็นเอสามารถถูกตรงหา ZrO2, AlGaN ย่าน HfO2 และฟอสเฟตอย่างอิสระ ตรึงโปไม่สำเร็จสำหรับพื้นผิว SiO2 หรือ TiO2 ถึงแม้ว่าวิธีอื่นสะสมได้ผลตอบแทนตรึงโปดีเอ็นเอสำเร็จบนวัสดุเหล่านี้ ประยุกต์ใช้หลักเทคนิคนี้ตรึงโปได้สำหรับระบบตรวจสอบไฟฟ้าใช้กรดนิวคลีอิก ฟิลด์–ผล transistors (FETs) และอิเล็กตรอนสูงเคลื่อน transistors (HEMTs) ที่ใช้วัสดุเหล่านี้สำหรับส่วนประกอบอุปกรณ์ใช้งานเช่นประตู ออกไซด์/dielectrics ในแต่ละกรณี คลิปปากตะเข้กรดนิวคลีอิกสามารถจะตรงตรึงบนพื้นผิวที่ผ่านทดสอบ โดยไม่มีเคมีพื้นผิวที่ซับซ้อน cross-linking หรือปรับเปลี่ยนโพรบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

4.
สรุปผลการวิจัยเราได้แสดงให้เห็นว่าดีเอ็นเอสามารถตรึงโดยตรงZrO2, AlGaN, กานและ HfO2 ฟอสเฟตในลักษณะที่อนุ การตรึงไม่ประสบความสำเร็จสำหรับพื้นผิว SiO2 หรือ TiO2 แม้ว่าวิธีการสะสมทางเลือกที่ได้ผลการตรึงดีเอ็นเอที่ประสบความสำเร็จในวัสดุเหล่านี้ การประยุกต์ใช้หลักของการตรึงเทคนิคนี้เหมาะสำหรับไฟฟ้าที่ใช้ระบบตรวจจับกรดนิวคลีเช่นทรานซิสเตอร์สนามผล (FETs) และทรานซิสเตอร์อิเล็กตรอนคล่องตัวสูง (HEMTs) ที่ใช้วัสดุเหล่านี้สำหรับส่วนประกอบอุปกรณ์ที่ใช้งานเช่นออกไซด์ประตู / dielectrics ในแต่ละกรณีฟิวส์กรดนิวคลีสามารถตรึงลงบนพื้นผิวได้โดยตรงผ่านการทดสอบโดยไม่ต้องเคมีพื้นผิวที่ซับซ้อนข้ามการเชื่อมโยงหรือการปรับเปลี่ยนการสอบสวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

4 . สรุป
เราได้แสดง DNA ที่สามารถตรงตรึงบน ZrO2 , algan กัน และ hfo2 ในฟอสเฟตขึ้นอยู่กับลักษณะ การตรึงไม่ประสบความสำเร็จสำหรับพื้นผิวซิลิกาหรือ ) แม้ว่าวิธีการฝากเงินทางเลือกอาจผลผลิตผลดีเอ็นเอที่ประสบความสำเร็จบนวัสดุเหล่านี้การประยุกต์ใช้หลักของเทคนิคนี้คือ ไม่มีไฟฟ้าใช้กรดนิวคลีอิกและระบบตรวจจับ เช่น field-effect ทรานซิสเตอร์ ( fets ) และทรานซิสเตอร์การเคลื่อนย้ายอิเล็กตรอนสูง ( hemts ) ที่ใช้วัสดุเหล่านี้สำหรับชิ้นส่วนอุปกรณ์ใช้งาน เช่น เกต ออกไซด์ / ได . ในแต่ละกรณีกรดนิวคลีอิกฟิวส์สามารถตรงตรึงบนพื้นผิวพื้นผิวที่ซับซ้อนทดสอบปราศจากเคมี โมเลกุล หรือตรวจสอบการปรับเปลี่ยน