SiNx and with TiOx ARC are shown an

SiNx and with TiOx ARC are shown and analyzed.he technology used to produce silicon solar cells in the Institute of Metallurgy and Materials
Science (IMMS) in Cracow is presented. The process sequence is based on diffusion from
POCl3 and screen printed contacts fired through the SiNx or TiOx antireflection coating
(ARC). Co-firing of the back and front metallization was achieved in an IR furnace. Two new
methods of acid texturization are discussed. The first is based on the formation of a porous
layer with of pore diameter about 0.5 µm, whilst the second is in the form of craters of size
5-10 µm. The Cz-Si monocrystalline solar cells have an efficiency greater than 15% with both
TiOx ARC and SiNx.ARC. The mc-Si have an efficiency over 14% with KOH texturization
and with SiNx ARC. The parameters of solar cells with different kinds of texturization, with

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

SiNx และกับ TiOx ARC แสดงเทคโนโลยี analyzed.he ที่ใช้ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนในสถาบันโลหะและวัสดุการนำเสนอวิทยาศาสตร์ (IMMS) ในคราโคว ลำดับกระบวนการตามการกระจายจากพิมพ์ POCl3 และหน้าจอผู้ติดต่อที่ยิงผ่านผิวเคลือบสะท้อน SiNx หรือ TiOx(ARC) ร่วมยิงหลังและหน้า metallization สำเร็จในเตามี IR สองใหม่มีการกล่าวถึงวิธีการของกรด texturization ครั้งแรกเป็นไปตามของที่มีรูพรุนชั้นที่มีเส้นผ่าศูนย์กลางรูขุมขนเกี่ยวกับ 0.5 µm ในขณะที่สองอยู่ในลังขนาด5-10 µm เซลล์แสงอาทิตย์ของ monocrystalline Cz-ซีมีประสิทธิภาพมากกว่า 15% กับทั้งสองTiOx ARC และ SiNx.ARC Mc-ซีมีประสิทธิภาพกว่า 14% กับเกาะ texturizationและ กับ SiNx ARC พารามิเตอร์ของเซลล์แสงอาทิตย์กับ texturization หลายชนิดด้วย

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SiNx และ TiOx ARC จะแสดงและเทคโนโลยี analyzed.he ใช้ในการผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนในสถาบันโลหะและวัสดุ
วิทยาศาสตร์ (IMMS) ในกูฟจะนำเสนอ ลำดับขั้นตอนอยู่บนพื้นฐานของการแพร่กระจายจาก
POCl3 และหน้าจอพิมพ์รายชื่อยิงผ่านการเคลือบสะท้อน SiNx หรือ TiOx
(ARC) ร่วมการยิงจากด้านหลังและด้านหน้า metallization ก็ประสบความสำเร็จในเตา IR ใหม่ทั้งสอง
วิธีการ texturization กรดที่จะกล่าวถึง ครั้งแรกที่อยู่บนพื้นฐานของการก่อตัวของรูพรุน
ชั้นที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางของรูพรุนประมาณ 0.5 ไมครอนขณะที่สองคือในรูปแบบของหลุมอุกกาบาตขนาด
5-10 ไมโครเมตร CZ-Si เซลล์แสงอาทิตย์แบบผลึกเดี่ยวมีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่า 15% มีทั้ง
TiOx ARC และ SiNx.ARC MC-Si มีประสิทธิภาพมากกว่า 14% โดยมีเกาะ texturization
และ SiNx ARC พารามิเตอร์ของเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีแตกต่างกันของ texturization ด้วย

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

sinx และ tiox อาร์คแสดงและ analyzed.he เทคโนโลยีที่ใช้ผลิตเซลล์แสงอาทิตย์ซิลิคอนในสถาบันวิจัยโลหะและวัสดุวิทยาศาสตร์ ( imms ) ใน Cracow คือแสดง กระบวนการลำดับขึ้นอยู่กับการแพร่กระจายจากpocl3 และพิมพ์หน้าจอรายชื่อผู้ติดต่อ ยิงผ่าน sinx หรือ tiox antireflection เคลือบ( อาร์ค ) Co ยิงจากด้านหน้าและหลังทำ IR ในงานเตาหลอม สองใหม่วิธีการของกรด texturization ได้ถูก ครั้งแรกจะขึ้นอยู่กับโครงสร้างของรูพรุนชั้นกับเส้นผ่าศูนย์กลางรูประมาณ 0.5 µ M , ในขณะที่สองคือในรูปแบบของหลุมอุกกาบาตขนาด5-10 เมตร ฝังµศรี monocrystalline เซลล์แสงอาทิตย์มีประสิทธิภาพมากขึ้นกว่า 15 % กับทั้งtiox อาร์ค และ sinx.arc . พิธีกร ซี จะมีประสิทธิภาพมากกว่า 14% กับเกาะ texturizationและ sinx อาร์ค พารามิเตอร์ของแผงเซลล์แสงอาทิตย์ที่มีชนิดที่แตกต่างกันของ texturization , กับ