In the high power device packages,

In the high power device packages, due to the
connection of the aluminum wire between chips and the
copper layer, and the connection between the chips and
power terminals, there is small parasitic inductances between
the output terminals and inner chips in modules. Generally,
there are two emitter terminals for high power IGBTs,
namely Kelvin emitter for the gate driver and the power
emitter for the power path. The inductor Ls1 is the sum of the
series parasitic inductances in DM module and the positive bus bar parasitic inductance. LeE is the parasitic inductance
between Kelvin emitter and the IGBT module power emitter.
Ls2 is the sum of the series parasitic inductances in the IGBT
module and the negative bus bar, excluding LeE. In the test
bench in Fig.2, for current commutation from diode DM to
switch SM, initially the load current IL flows though the
inductor load Lload, DM and Ls1, when switch SM is in the offstate.
By turning on SM, the load current IL begins to
commutate from diode DM to switch SM. The reverse
recovery current of diode DM, which is dependent to the chip
temperature, induces a measureable voltage veE on the
parasitic inductance LeE during the SM turn-on transition.
Compare with the measurement of dv/dt, auxiliary sensor
components are not required for the measurement of di/dt.
Because the parasitic inductance is a ten of nanohenries, veE
is tens of voltages under high load current. Once the
relationship between the voltage veE and the diode chip
temperature Tj is characterized, the chip temperature can be
extracted, facilitating a measurement circuit design, at the
emitter potential, without auxiliary high voltage or isolated
sensors. Thus the veE measurement circuit can be integrated
into gate drive circuit.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในแพคเกจอุปกรณ์พลังงานที่สูงเนื่องจากการเชื่อมต่อของเส้นลวดอลูมิเนียมระหว่างชิปและชั้นทองแดงและการเชื่อมต่อระหว่างชิปและขั้วอำนาจมีความเหนี่ยวนําปรสิตเล็กๆ ระหว่างขั้วเอาท์พุทและชิปชั้นในโมดูล โดยทั่วไปมีสองขั้วอีซีแอลสำหรับ IGBTs พลังงานสูง ได้แก่ อีซีแอลเคลวินในการขับประตูและอำนาจอีซีแอลเส้นทางอำนาจ LS1 เหนี่ยวนำคือผลรวมของinductances กาฝากชุดในโมดูล DM และบัสบาร์บวกเหนี่ยวนำปรสิต ลีเป็นกาฝากเหนี่ยวนำระหว่างอีซีแอลเคลวินและโมดูล IGBT อำนาจอีซีแอล. LS2 คือผลรวมของ inductances กาฝากชุดใน IGBT โมดูลและบัสบาร์ลบไม่รวมลี ในการทดสอบม้านั่งในรูปที่ 2 สำหรับการแลกเปลี่ยนปัจจุบันจากไดโอด DM เพื่อสลับSM ต้นโหลดปัจจุบันกระแส IL แม้ว่าโหลดเหนี่ยวนำLload, DM และ LS1 เมื่อสวิทช์เอสเอ็มอยู่ใน offstate. โดยเปิดเอสเอ็มโหลด IL ปัจจุบันเริ่มที่จะสับเปลี่ยนจากไดโอดDM เพื่อสลับเอสเอ็ม กลับปัจจุบันการฟื้นตัวของไดโอด DM ซึ่งจะขึ้นอยู่กับการชิปอุณหภูมิเจือจางวีแรงดันไฟฟ้าที่วัดได้ในการเหนี่ยวนำปรสิตลีในช่วงที่เอสเอ็มการเปลี่ยนแปลงเปิดบน. เปรียบเทียบกับการวัด DV / dt, เซ็นเซอร์ช่วยส่วนประกอบที่ไม่จำเป็นสำหรับการวัด di / dt ได้. เพราะเหนี่ยวนำปรสิตเป็นหนึ่งในสิบของ nanohenries วีเป็นสิบของแรงดันไฟฟ้าในปัจจุบันภายใต้ภาระสูง เมื่อความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันวีและชิปไดโอดอุณหภูมิTj เป็นลักษณะอุณหภูมิชิปที่สามารถสกัดอำนวยความสะดวกในการออกแบบวงจรการวัดที่มีศักยภาพอีซีแอลโดยไม่ต้องเสริมแรงดันสูงหรือแยกเซ็นเซอร์ ดังนั้นวงจรวัด Vee สามารถบูรณาการเข้าสู่ประตูวงจรไดรฟ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในอุปกรณ์พลังงานสูงแพคเกจเนื่องจาก
การเชื่อมต่อของอลูมิเนียมลวดระหว่างชิปและ
ชั้นทองแดง และการเชื่อมต่อระหว่างชิปและ
พลังขั้วมีตัวเหนี่ยวนำปรสิตขนาดเล็กระหว่าง
ขั้วออกและชิปภายในโมดูล โดยทั่วไปมีสองขั้วอิมิตเตอร์

สำหรับ igbts พลังงานสูง ได้แก่ เควิน มิตเตอร์ประตูคนขับและพลัง
มิเตอร์สำหรับพลังงานทาง ตัวเหนี่ยวนํา ls1 คือผลรวมของปรสิตตัวเหนี่ยวนำใน DM
ชุดโมดูลและบวกบัสบาร์ปรสิตตัวเหนี่ยวนำ . ลีเป็นพยาธิตัวเหนี่ยวนำ
ระหว่างเคลวินและโมดูล IGBT พลังอีซีอีซี .
ls2 คือผลรวมของชุดปรสิตตัวเหนี่ยวนำใน IGBT
โมดูลและบาร์ , ลบรถบัสไม่รวมอี ในการทดสอบใน fig.2
ม้านั่ง ,สำหรับการสับเปลี่ยนปัจจุบันจากไดโอด DM
สลับ SM เริ่มโหลดปัจจุบันอิลไหลแม้ว่า
inductor โหลด lload DM แล้ว ls1 เมื่อสลับ SM อยู่ใน offstate .
เปิด SM โหลดปัจจุบันอิลเริ่มเปลี่ยนทิศทางจากไดโอด
DM สลับ SM ย้อนกลับ
กู้ปัจจุบันของไดโอด DM ซึ่งขึ้นอยู่กับชิป
อุณหภูมิ ทำให้แรงดันใน
measureable วีลี หรือปรสิตใน SM เปิดการเปลี่ยนแปลง
เปรียบเทียบกับการวัด DV / DT , ส่วนประกอบเสริมเซนเซอร์
ไม่จําเป็นสําหรับการวัดของ DT ตี้ / .
เพราะพยาธิตัวเหนี่ยวนำเป็นสิบ nanohenries Vee
เป็น สิบ , แรงดันไฟฟ้าภายใต้โหลดปัจจุบันสูง เมื่อ
ความสัมพันธ์ระหว่างแรงดันวีและไดโอดชิป
อุณหภูมิ TJ เป็นโดดเด่นชิปอุณหภูมิสามารถ
สกัด สกรีการออกแบบวงจรการวัดที่
อิมิตเตอร์ที่มีศักยภาพ โดยเสริมแรงดันสูง หรือแยก
เซ็นเซอร์ ดังนั้น วีการวัดวงจรสามารถบูรณาการ
เป็นวงจรขับเกต