APLANAR metal–semiconductor–metal p

APLANAR metal–semiconductor–metal photodetector
(MSM-PD) usually performs better and is simpler to
fabricate than the conventional p-i-n photodiodes [1], so
the MSM-PD is a good candidate for a photodetector in
an OEIC (optoelectronic integrated-circuit) receiver. Such c-
Si MSM-PD’s operated at a wavelength of 830 nm, which
are compatible with Si IC technology, have been recently
investigated [2]–[6]. However, the conventional c-Si MSMPD
usually has a high dark current, low responsivity, and
long pulse tail. To improve the performance of the c-Si MSMPD,
several methods, such as ion-implanting the absorbing
layer [4], and reducing the spacing between the interdigitated
electrodes [2] have been suggested. Ion-implantation is an
expensive process, and electrodes with a smaller spacing
would retard more incident light and are more difficult
to fabricate. Since the amorphous semiconductor has a
larger optical absorption coefficient and dark resistance,
and a shorter carrier lifetime [7], then, a hydrogenated
intrinsic amorphous silicon (i-a-Si:H) barrier layer forming an

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

APLANAR photodetector โลหะ – สารกึ่งตัวนำโลหะ(MSM-PD) มักจะทำดี และเป็นวิธีที่ง่ายกว่าการเพื่อปั้นกว่าปกติ p-i-n photodiodes [1],MSM PD เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับ photodetector ในการ OEIC (optoelectronic รวมวงจร) รับ C ดังกล่าว-ดำเนินการใน MSM-PD ของที่ความยาวคลื่นของ 830 นาโนเมตร ที่เข้ากันได้กับเทคโนโลยีซี IC ได้รับเมื่อเร็ว ๆ นี้ตรวจสอบ [2] – [6] อย่างไรก็ตาม MSMPD ซีซีทั่วไปโดยปกติจะมีความสูงดำต่ำ ปัจจุบัน responsivity และหางยาวชีพจร เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพของ MSMPD ซีซีวิธีการต่าง ๆ เช่นไอออน-implanting การดูดชั้น [4], และการลดช่องว่างระหว่างการ interdigitatedมีการแนะนำหุงต [2] เป็นไอออนฤทธิ์การกระบวนการที่มีราคาแพง และหุงต ด้วยระยะห่างขนาดเล็กจะถ่วงแสงปัญหามากขึ้นและจะยากขึ้นจะปั้น เนื่องจากมีสารกึ่งตัวนำไปยังสัมประสิทธิ์การดูดซึมแสงใหญ่และต้านทานมืดและชีวิตผู้ขนสั้น [7], แล้ว เป็น hydrogenatedซิลิคอน intrinsic ไป (ผม-เป็น-Si:H) เป็นชั้นกั้นการ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

APLANAR โลหะสารกึ่งตัวนำโลหะ photodetector
(MSM-PD)
มักจะมีประสิทธิภาพดีกว่าและง่ายที่จะสานกว่าphotodiodes ขาธรรมดา [1] ดังนั้น
MSM นี้-PD เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับ photodetector ใน
OEIC (optoelectronic วงจรแบบบูรณาการ) รับ ดังกล่าว c-
ศรี MSM-PD ของการดำเนินการที่ความยาวคลื่น 830
นาโนเมตรของที่เข้ากันได้กับเทคโนโลยีศรีไอซีเพิ่งได้รับการตรวจสอบ
[2] - [6] อย่างไรก็ตามการชุมนุมคศรี MSMPD
มักจะมีสีเข้มในปัจจุบันสูง responsivity
ต่ำและหางชีพจรนาน เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพการทำงานของ MSMPD คศรี,
วิธีการหลายวิธีเช่นไอออนปลูกฝังดูดซับชั้น [4] และลดระยะห่างระหว่าง interdigitated ขั้ว [2] ได้รับการแนะนำ ไอออนปลูกถ่ายเป็นกระบวนการที่มีราคาแพงและขั้วไฟฟ้าที่มีระยะห่างที่มีขนาดเล็กจะชะลอแสงที่ตกกระทบมากขึ้นและเป็นเรื่องยากมากขึ้นในการประดิษฐ์ ตั้งแต่เซมิคอนดักเตอร์สัณฐานมีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงที่มีขนาดใหญ่และความต้านทานมืดและอายุการใช้งานสั้นกว่าผู้ให้บริการ[7] จากนั้นเป็นไฮโดรเจนซิลิกอนอสัณฐานที่แท้จริง(IA-Si: H) ชั้นกั้นไว้เป็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

aplanar โลหะและโลหะและสารกึ่งตัวนำโฟโตดีเทกเตอร์
( msm-pd ) มักจะมีประสิทธิภาพดีและง่ายกว่า

ปั้นกว่าปกติ p-i-n photodiodes [ 1 ] ,
msm-pd เป็นผู้สมัครที่ดีสำหรับโฟโตดีเทกเตอร์ในการ oeic
( Optoelectronic วงจรรวม ) ผู้รับ เช่น C -
ศรี msm-pd ดําเนินที่ความยาวคลื่น 830 นาโนเมตร ซึ่ง
เข้ากันได้กับศรีเทคโนโลยี IC , เพิ่ง
ตรวจสอบ [ 2 ] และ [ 6 ] อย่างไรก็ตาม ปกติ c-si msmpd
มักจะมีสูงต่ำดำปัจจุบัน responsivity และชีพจร
หางยาว เพื่อปรับปรุงประสิทธิภาพของ c-si msmpd
, หลายวิธี เช่น การปลูกฝังไอออนดูดซับ
ชั้น [ 4 ] และการลดระยะห่างระหว่างขั้วไฟฟ้าไหลของแก๊ส
[ 2 ] ได้แนะนำ ไอออนปลูกฝังเป็น
กระบวนการราคาแพงและขั้วไฟฟ้าที่มีขนาดเล็กจะทำให้เหตุการณ์ยิ่ง
ระยะแสงและจะยาก
ที่จะปั้น เนื่องจากสารอสัณฐานที่มีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนเชิงแสงและมืด
ขนาดใหญ่ความต้านทาน
และผู้ให้บริการที่สั้นกว่าอายุการใช้งาน [ 7 ] , แล้ว , hydrogenated
ภายในซิลิคอนอสัณฐาน ( i-a-si : H ) กั้นเป็นชั้น