Table 1 shows the energy band gap a

Table 1 shows the energy band gap and specific surface area
values for each one of the samples. According to these results, allcompounds could be activated efficiently in photocatalytic processes
using UV-light because their Eg values are near to 3.0 eV.
The small difference observed in band gap values of SiC–TiO2 catalysts
is due to the step formed between both semiconductors as
a consequence of their different potential oxidation values. This
could enhance the photocatalytic behavior for degradation reactions
because a synergy effect in SiC–TiO2 catalysts could happen
as Yamashita et al. mentioned in a previous work [6]; the electrons
will be promoted in the valence and conduction band of both
semiconductors, SiC and TiO2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตารางที่ 1 แสดงช่องว่างแถบพลังงานและพื้นที่เฉพาะค่าสำหรับแต่ละตัวอย่าง ตามผลลัพธ์เหล่านี้ allcompounds สามารถเรียกใช้ได้อย่างมีประสิทธิภาพในกระบวนการกระใช้แสง UV เพราะค่า Eg ใกล้ 3.0 eVความแตกต่างเล็ก ๆ ในแถบช่องว่างของค่าของ SiC-TiO2 สิ่งที่ส่งเสริมเนื่องจากขั้นตอนที่เกิดขึ้นระหว่างทั้งสองอิเล็กทรอนิกส์เป็นเป็นผลมาจากค่าออกซิเดชันอาจแตกต่างกัน นี้สามารถเพิ่มลักษณะการทำงานของกระสำหรับปฏิกิริยาการย่อยสลายเนื่องจากผล synergy ในสิ่งที่ส่งเสริม SiC – TiO2 อาจเกิดขึ้นยามาชิตะและ al. ไว้ในงานก่อนหน้านี้ [6]; อิเล็กตรอนจะส่งเสริมในวงเวเลนซ์และนำทั้งสองอย่างอิเล็กทรอนิกส์ SiC และ TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตารางที่ 1
แสดงให้เห็นช่องว่างแถบพลังงานและพื้นที่ผิวจำเพาะค่าสำหรับแต่ละคนของกลุ่มตัวอย่าง ตามผลการเหล่านี้ allcompounds
สามารถเปิดใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพในกระบวนการปฏิกิริยาโดยใช้แสงยูวีเนื่องจากค่าเช่นของพวกเขาอยู่ใกล้กับ3.0 eV.
ความแตกต่างเล็ก ๆ ตั้งข้อสังเกตในค่าช่องว่างแถบของตัวเร่งปฏิกิริยา SiC-TiO2
เป็นเพราะขั้นตอนที่เกิดขึ้นระหว่างเซมิคอนดักเตอร์ทั้งสองเป็น
เป็นผลมาจากที่แตกต่างกันของพวกเขาที่มีศักยภาพการเกิดออกซิเดชันค่า นี้สามารถเพิ่มประสิทธิภาพของพฤติกรรมปฏิกิริยาสำหรับปฏิกิริยาการย่อยสลายเพราะผลการทำงานร่วมกันในการเร่งปฏิกิริยาSiC-TiO2 ที่อาจเกิดขึ้นในขณะที่ยามาชิตะ, et al ที่กล่าวถึงในการทำงานก่อนหน้านี้ [6]; อิเล็กตรอนจะได้รับการเลื่อนตำแหน่งในวงดนตรีจุและการนำของทั้งสองเซมิคอนดักเตอร์SiC และ TiO2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตารางที่ 1 แสดงให้เห็นช่องว่างแถบพลังงานและพื้นที่ผิวจำเพาะค่าสำหรับแต่ละตัวอย่าง ตามผลลัพธ์เหล่านี้สามารถใช้งานได้อย่างมีประสิทธิภาพ allcompounds ในกระบวนการ Photocatalyticการใช้แสงยูวีเพราะคุณค่าเช่นของพวกเขาอยู่ใกล้กับ 3.0 EVขนาดเล็ก พบความแตกต่างของค่าช่องว่างแถบของ SIC ( TiO2 ตัวเร่งปฏิกิริยาเนื่องจากขั้นตอนที่เกิดขึ้นระหว่างทั้งสองระบบเป็นผลของค่าออกซิเดชันศักยภาพที่แตกต่างกันของพวกเขา นี้สามารถเพิ่มประสิทธิภาพรีสำหรับปฏิกิริยาการย่อยสลายพฤติกรรมเพราะผลผลใน SIC ( TiO2 ตัวเร่งปฏิกิริยาอาจเกิดขึ้นเป็นยามาชิตะ et al . กล่าวถึงในหน้าที่งาน [ 6 ] ; อิเล็กตรอนจะได้รับการส่งเสริมในความจุและนำวงดนตรีของทั้งและเซมิคอนดักเตอร์ SiC ) .