Effect of Reaction Sintering TimeTh

Effect of Reaction Sintering Time

The influence of RS duration on the density of SiC-Si-C ceramics is shown in Figure 4. The density of ceramics was increased by increasing the RS time. The rate of increasing in the density is higher for specimens prepared from n-SiC compared to that of μ-SiC. Again, the density was reduced by increasing the Si content. Figure 5 illustrates the microstructure of ceramic specimens processed for 2 and 4 h at 1400°C. It is clear that the amount of porosity was reduced at longer times of RS. It is important to note that unreacted Si and C phases were present even after RS for 4 h (Figure 5(b)). As it can be seen in Figure 3, XRD patterns show β-SiC reflections only after 4 h RS at 1400°C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลของปฏิกิริยาในการเผาผนึกเวลาอิทธิพลของระยะเวลา RS ในความหนาแน่นของเซรามิกส์ SiC-ศรี-C จะแสดงในรูปที่ 4 ความหนาแน่นของเซรามิกส์ขึ้น โดยการเพิ่มเวลา RS อัตราการเพิ่มความหนาแน่นสูงสำหรับเตรียมจาก n-SiC เปรียบเทียบกับซิลิก้อนμไว้เป็นตัวอย่างได้ ความหนาแน่นถูกลดลง โดยการเพิ่มเนื้อหาในอีก รูปที่ 5 แสดงการต่อโครงสร้างจุลภาคของเซรามิก specimens ที่ประมวลผลสำหรับ 2 และ 4 h ที่ 1400 องศาเซลเซียส เป็นที่ชัดเจนว่า จำนวน porosity ถูกลดเวลาต่ออาร์เอส สิ่งสำคัญคือต้องทราบว่า ระยะศรีและ C unreacted ได้อยู่แม้หลังจาก RS สำหรับ 4 h (รูป 5(b)) มันสามารถเห็นในรูปที่ 3 รูป XRD แสดงซิลิก้อนβสะท้อนหลังจาก h 4 RS ที่ 1400 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลของปฏิกิริยา Sintering เวลาอิทธิพลของระยะเวลาที่อาร์เอสกับความหนาแน่นของเซรามิก SiC-Si-C จะแสดงในรูปที่ 4 ความหนาแน่นของเซรามิกเพิ่มขึ้นโดยการเพิ่มเวลาอาร์เอส อัตราการเพิ่มขึ้นในความหนาแน่นสูงสำหรับชิ้นงานที่เตรียมจาก n-SiC เทียบกับที่ของμ-SiC อีกครั้งที่ความหนาแน่นลดลงโดยการเพิ่มเนื้อหาศรี รูปที่ 5 แสดงให้เห็นถึงจุลภาคของชิ้นงานเซรามิกสำหรับการประมวลผล 2 และ 4 ชั่วโมงที่ 1,400 องศาเซลเซียส เป็นที่ชัดเจนว่าปริมาณของความพรุนลดลงในช่วงเวลานานของอาร์เอส มันเป็นสิ่งสำคัญที่จะทราบว่า unreacted ศรีและขั้นตอน C อยู่ในปัจจุบันแม้หลังจากที่อาร์เอส 4 h (รูปที่ 5 (ข)) ในขณะที่มันสามารถมองเห็นได้ในรูปที่ 3 รูปแบบ XRD แสดงสะท้อนβ-SiC เฉพาะหลังจากที่อาร์เอส 4 ชั่วโมงที่ 1,400 องศาเซลเซียส

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลของเวลาปฏิกิริยา

อิทธิพลของ Rs ลดความหนาแน่นของ sic-si-c เซรามิกที่แสดงในรูปที่ 4 เผาซินเทอร์ ความหนาแน่นของเซรามิกที่เพิ่มขึ้นโดยการเพิ่มข้อมูลเวลา อัตราการเพิ่มของความหนาแน่นสูงสำหรับตัวอย่างที่เตรียมจาก n-sic เมื่อเทียบกับที่ของμ - SiC อีกครั้ง , ความหนาแน่นลดลง เพิ่มศรี เนื้อหารูปที่ 5 แสดงโครงสร้างจุลภาคของชิ้นงานเซรามิกประมวลผลสำหรับ 2 และ 4   H ที่ 1400 องศา มันเป็นที่ชัดเจนว่าปริมาณรูพรุนลดลงในเวลานานของ Rs . มันเป็นสิ่งสำคัญที่จะทราบว่าเข้าสู่จังหวัดและ C ขั้นตอนที่เป็นปัจจุบันแม้หลังจากที่อาร์เอส 4   H ( รูปที่ 5 ( ข ) ) มันสามารถเห็นได้ในรูปที่ 3 , XRD บีตา - ซิลิกอนรูปแบบการแสดงหลังจากที่สะท้อนเพียง 4   H RS ที่ 1400 องศา