An n-type silicon material consists

An n-type silicon material consists of silicon atoms and pentavalent impurity atoms such as
antimony.
As you have seen, an impurity atom releases an electron when it bonds with four
silicon atoms. Since there is still an equal number of protons and electrons (including the free
electrons) throughout the material, there is no net charge in the material and so it is neutral.
If a piece of intrinsic silicon is doped so that part is n-type and the other part is p-type,
a pn junction forms at the boundary between the two regions and a diode is created, as
indicated in Figure 1–19(a). The p region has many holes (majority carriers) from the
impurity atoms and only a few thermally generated free electrons (minority carriers). The
n region has many free electrons (majority carriers) from the impurity atoms and only a
few thermally generated holes (minority carriers).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัสดุซิลิคอนชนิด n ประกอบด้วยอะตอมของซิลิคอนและมลทิน pentavalent อะตอมเช่นพลวง คุณได้เห็น อะตอมมลทินออกอิเล็กตรอนเมื่อได้ขายหุ้นกู้กับสี่อะตอมของซิลิคอน เนื่องจากยังมีจำนวนโปรตอนและอิเล็กตรอน (รวมรถพอ ๆ กันอิเล็กตรอน) ตลอดทั้งวัสดุ มีค่าธรรมเนียมไม่สุทธิในวัสดุ และก็เป็นกลางถ้าชิ้นส่วนของ intrinsic ซิลิคอน doped นั้นส่วน n-ชนิด และส่วนเป็นชนิด pใช้เชื่อม pn ที่เขตแดนระหว่างสองภูมิภาค และไดโอดสร้าง ขึ้น เป็นแสดงในรูป 1–19(a) ภูมิภาค p มีหลายหลุม (ส่วนใหญ่สายการบิน) จากการมลทินอะตอมและเพียงไม่กี่แพสร้างอิเล็กตรอนอิสระ (ชนกลุ่มน้อยสายการบิน) ที่ภูมิภาค n มีจำนวนมากฟรีอิเล็กตรอน (ส่วนใหญ่สายการบิน) จากอะตอมมลทิน และเฉพาะนอกจากนี้ไม่กี่แพสร้างหลุม (ชนกลุ่มน้อยสายการบิน)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

n เป็นชนิดวัสดุซิลิกอนประกอบด้วยอะตอมซิลิกอนและอะตอมบริสุทธิ์ pentavalent
เช่นพลวง. ในขณะที่คุณได้เห็นอะตอมบริสุทธิ์ปล่อยอิเล็กตรอนเมื่อพันธบัตรที่มีสี่อะตอมซิลิกอน เนื่องจากยังคงมีจำนวนเท่ากันของโปรตอนและอิเล็กตรอน (รวมถึงฟรีอิเล็กตรอน) ตลอดทั้งวัสดุที่ไม่มีค่าใช้จ่ายสุทธิในวัสดุและดังนั้นจึงเป็นที่เป็นกลาง. หากชิ้นส่วนของซิลิกอนที่แท้จริงเป็นยาเพื่อให้ส่วนที่เป็นชนิดเอ็น และเป็นส่วนหนึ่งอื่น ๆ ที่เป็นชนิดพี, รูปแบบทางแยก PN ที่เขตแดนระหว่างสองภูมิภาคและไดโอดจะถูกสร้างขึ้นในขณะที่แสดงให้เห็นในรูปที่1-19 (ก) ภูมิภาคพีมีหลุมจำนวนมาก (ผู้ให้บริการส่วนใหญ่) จากอะตอมบริสุทธิ์และเพียงไม่กี่ที่สร้างความร้อนอิเล็กตรอนอิสระ(ผู้ให้บริการถือหุ้นส่วนน้อย) ภูมิภาค n มีอิเล็กตรอนอิสระจำนวนมาก (ผู้ให้บริการส่วนใหญ่) จากอะตอมบริสุทธิ์และมีเพียงไม่กี่หลุมที่สร้างความร้อน (ผู้ให้บริการถือหุ้นส่วนน้อย)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นวัสดุที่ประกอบด้วยซิลิคอนซิลิคอนทั่วไปอะตอมและอะตอมปลอมปนเพนตะวาเลนท์เช่น
แอนติโมนี
ตามที่คุณเห็น , ความมัวหมองอะตอมปลดปล่อยอิเล็กตรอนเมื่อพันธบัตร ( 4
อะตอม เนื่องจากยังมีจำนวนของโปรตอนและอิเล็กตรอน ( รวมทั้งอิเล็กตรอนอิสระ
) ตลอดทั้งวัสดุที่ไม่มีประจุสุทธิในวัสดุและดังนั้นมันเป็นกลาง .
ถ้าชิ้นส่วนภายในด้วย ดังนั้นส่วนที่เป็นซิลิกอนทั่วไป และอีกส่วนหนึ่งคือพี
PN Junction , แบบฟอร์มที่เขตแดนระหว่างสองภูมิภาค และไดโอดที่สร้าง โดยแสดงในรูปที่ 1
) ( 19 ) ระดับภูมิภาคมีหลายหลุม ( ผู้ใหญ่ ) จาก
ความมัวหมองอะตอมและมีเพียงไม่กี่ที่ได้รับอิเล็กตรอนอิสระ ( พาหะส่วนน้อย )
- พื้นที่มีอิเล็กตรอนอิสระมาก ( ผู้ใหญ่ ) จากความมัวหมองอะตอมและเพียงไม่กี่สร้างหลุม (
ได้รับพาหะส่วนน้อย )