AbstractUsing the design techniques

Abstract
Using the design techniques presented in the previous chapters, many circuitand device-related errors inCMOSsmart temperature sensors can be sufficiently reduced. However, variations in the base-emitter voltage of the bipolar transistors (as a result of process spread and mechanical stress) will ultimately limit the achievable accuracy. Trimming, and an associated calibration procedure, are needed to correct for these variations. If high accuracy is desired, traditional calibration techniques are time-consuming and therefore costly. This chapter presents three alternative calibration techniques that combine accuracy with low production costs: batch calibration, calibration based on ΔV BE measurement, and voltage reference calibration.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อใช้เทคนิคการออกแบบที่นำเสนอในบทก่อนหน้านี้ inCMOSsmart ใน circuitand ข้อผิดพลาดที่เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์อุณหภูมิเซ็นเซอร์สามารถพอลด อย่างไรก็ตาม ความแตกต่างในฐานตัวส่งแรงดันไฟฟ้าของ transistors ไฟที่ไบโพลาร์ (จากกระบวนการแพร่กระจายและความเครียดเชิงกล) จะสุดจำกัดถูกต้องทำได้ ตัดแต่ง และขั้นตอนการเทียบสัมพันธ์ มีความจำเป็นต้องเปลี่ยนแปลงเหล่านี้ ถ้าต้องการความแม่นยำสูง เทคนิคการปรับเทียบแบบดั้งเดิมจะใช้เวลานาน และค่าใช้จ่ายดังนั้น บทนี้นำเสนอ 3 เทคนิคเทียบอื่นที่รวมความถูกต้อง ด้วยต้นทุนการผลิตต่ำ: ชุดปรับเทียบ ปรับเทียบตาม ΔV จะประเมิน และเทียบแรงดันอ้างอิง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ
การใช้เทคนิคการออกแบบที่นำเสนอในบทก่อนหน้านี้ข้อผิดพลาดที่เกี่ยวข้องกับอุปกรณ์ circuitand หลาย inCMOSsmart เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิจะลดลงพอสมควร อย่างไรก็ตามการเปลี่ยนแปลงของแรงดันไฟฟ้าฐานอีซีแอลของทรานซิสเตอร์สองขั้ว (เป็นผลมาจากการแพร่กระจายของกระบวนการและความเครียดเชิงกล) ในท้ายที่สุดจะ จำกัด ความถูกต้องทำได้ การตัดแต่งและขั้นตอนการสอบเทียบที่เกี่ยวข้องมีความจำเป็นที่จะแก้ไขสำหรับรูปแบบเหล่านี้ หากมีความแม่นยำสูงเป็นที่ต้องการเทคนิคการสอบเทียบแบบดั้งเดิมเป็นเวลานานและค่าใช้จ่ายสูงจึง ในบทนี้จะนำเสนอสามเทคนิคการสอบเทียบทางเลือกที่รวมความถูกต้องที่มีต้นทุนการผลิตต่ำ: ชุดการสอบเทียบการสอบเทียบบนพื้นฐานของΔV พ.ศ. วัดและการสอบเทียบแรงดันอ้างอิง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นามธรรม
โดยใช้เทคนิคการออกแบบที่นำเสนอในบทก่อนหน้า อุปกรณ์ circuitand หลายข้อผิดพลาดที่เกี่ยวข้อง incmossmart เซ็นเซอร์อุณหภูมิสามารถพอเพียงลดลง อย่างไรก็ตาม การเปลี่ยนแปลงในตัวส่งสัญญาณแรงดันไฟฟ้าฐานของไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ ( เป็นผลจากการกระจายกระบวนการและความเครียดเชิงกล ) ในที่สุดจะกำหนดความถูกต้อง achievable . การตัดแต่งและการสอบเทียบที่ขั้นตอนจะต้องถูกต้องสำหรับการเปลี่ยนแปลงเหล่านี้ ถ้าความแม่นยำสูงเป็นที่ต้องการ เทคนิคการสอบเทียบแบบดั้งเดิมจะใช้เวลานาน และเสียค่าใช้จ่าย ดังนั้น บทนี้นำเสนอสามทางเลือกการสอบเทียบเทคนิครวมกับต้นทุนการผลิตต่ำ : การสอบเทียบความถูกต้องของชุดสอบเทียบตามΔ V จะวัดและสอบเทียบอ้างอิงแรงดันไฟฟ้า