For ferroelectric memory applicatio

For ferroelectric memory applications utilizing PZT, mostly Ti-rich compositions are used because of their large spontaneous polarization available, in accordance to Equation (1.16), and because the hysteresis loops of ferroelectric thin films are squarer for tetragonal than for rhombohedral compositions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สำหรับ ferroelectric หน่วยความจำใช้ PZT องค์ Ti ที่อุดมไปด้วยส่วนใหญ่ถูกใช้งานเนื่องจากพวกเขาใหญ่เกิดโพลาไรซ์มี ตามสมการ (1.16), และเนื่องจากส่วนลูปของ ฟิล์มบาง ferroelectric มี squarer สำหรับตอนกว่าสำหรับ rhombohedral องค์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สำหรับการใช้งานหน่วยความจำที่ใช้ ferroelectric PZT องค์ประกอบส่วนใหญ่ Ti-ที่อุดมไปด้วยจะใช้เพราะโพลาไรซ์ที่เกิดขึ้นเองของพวกเขาที่มีขนาดใหญ่ที่มีอยู่ให้เป็นไปตามสมการ (1.16) และเพราะห่วง hysteresis ของฟิล์มบาง ferroelectric มีเหลี่ยมสำหรับ tetragonal กว่าองค์ประกอบ rhombohedral

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การใช้หน่วยความจำสำหรับเฟอร์โรอิเล็กทริกว่า องค์ประกอบ คนรวยส่วนใหญ่ Ti ใช้เนื่องจากขนาดใหญ่ของพวกเขาเองเป็นใช้ได้ ตามสมการ ( 1.16 ) และเนื่องจาก hysteresis ห่วงของฟิล์มบางเฟอร์โรอิเล็กทริกเป็น n สำหรับเตตระโกนอลมากกว่าองค์ประกอบมากกว่าปกติ .