Fig. 4 shows a photograph of a typi

Fig. 4 shows a photograph of a typical wafer after fabrication of the ultrasonic sensors. We were able to obtain these sensors with very high yield, with no cracking or peeling of the PZT films from the epitaxial SrRuO3/Pt/-Al2O3/Si layer structure. In contrast, many cracks appeared in the polycrystalline PZT thin films on the Pt/Ti/SiO2/Si, even though the sol–gel process was the same as that used for the epitaxial PZT film. Therefore,polycrystalline films could not be used for the sensing elements in this process. The wafers were diced to a few mm square and each die was mounted on a ceramic package. The top and bottom electrodes were connected to the package pads by Au wire bonding. The package output terminals were connected to a coaxial cable. In order to achieve electrical insulation, the
Au wires were coated in a silicon resin. The output terminals
of the package were also coated in the silicon resin and then
covered by a plastic film. The mechanical resonance frequency
of the thickness mode was estimated to be 491 MHz [14] by
using the density, elastic modulus and Poisson’s ratio values of
the PZT ceramic [15]. The resonance frequency is much higher
than that of commercially procurable ultrasonic transducers. In
the course of these measurements we did not attempt to achieve
impedance matching between the sensing element and the rest of
the system. Fig. 5 shows a photograph of the fabricated ultrasonic
sensor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูป 4 แสดงภาพถ่ายของเวเฟอร์ทั่วไปหลังจากผลิตของเซ็นเซอร์อัลตราโซนิก เราได้รับเซ็นเซอร์เหล่านี้ มีผลตอบแทนสูงมาก โดยไม่แตกหรือลอกของฟิล์ม PZT จากโครงสร้าง ชั้น/Al2O3/จู SrRuO3/Pt epitaxial ตรงกันข้าม รอยแตกหลายปรากฏในฟิล์มบาง PZT polycrystalline บน Pt/Ti/SiO2 เทียบศรี ถึงแม้ว่ากระบวนการโซลเจลเหมือนกับที่ใช้สำหรับภาพยนตร์ PZT epitaxial ดังนั้น ภาพยนตร์คไม่สามารถใช้สำหรับตรวจวัดองค์ประกอบในกระบวนการนี้ เวเฟอร์ถูกเตรียมการไปกี่มม.สแควร์ และแต่ละตายติดอยู่บนบรรจุภัณฑ์เซรามิก ขั้วไฟฟ้าด้านบนและด้านล่างถูกเชื่อมต่อกับแพคเกจ โดยยึดลวด Au แพคเกจพุถูกเชื่อมต่อกับคู่สาย เพื่อให้บรรลุฉนวนไฟฟ้า การสาย Au ถูกเคลือบยางซิลิโคน อาคารผู้โดยสารขาออกแพคเกจถูกยังเคลือบเรซิ่นซิลิโคนแล้วปกคลุม ด้วยฟิล์มพลาสติก ความถี่เรโซแนนซ์เชิงกลความหนาของ โหมดประมาณ 491 MHz [14] โดยจะใช้ความหนาแน่น โมดูลัสยืดหยุ่น และค่าอัตราส่วนของปัวซองของเซรามิก PZT [15] ความถี่เรโซแนนซ์จะสูงกว่าของหัววัดอัลตราโซนิกจำหน่ายเบ็ด ในแน่นอนของการวัดเหล่านี้เราก็ไม่ได้พยายามเพื่อให้บรรลุจับคู่ความต้านทานระหว่างองค์ประกอบการตรวจวัดและส่วนเหลือของระบบ รูป 5 แสดงภาพถ่ายของการประดิษฐ์อัลตราโซนิกเซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 4 แสดงให้เห็นภาพของเวเฟอร์ทั่วไปหลังจากที่การผลิตของเซ็นเซอร์อัลตราโซนิก เราก็สามารถที่จะได้รับการเซ็นเซอร์เหล่านี้มีอัตราผลตอบแทนที่สูงมากโดยไม่มีการแตกหรือลอกของภาพยนตร์ PZT จาก SrRuO3 epitaxial / ชั้นโครงสร้าง Pt / -Al2O3 / ศรี ในทางตรงกันข้ามหลายรอยแตกปรากฏอยู่ในฟิล์มบาง polycrystalline PZT ใน Pt / Ti / SiO2 / ศรีแม้ว่ากระบวนการโซลเจลเป็นเช่นเดียวกับที่ใช้ในภาพยนตร์ PZT epitaxial ดังนั้นภาพยนตร์ polycrystalline ไม่สามารถใช้สำหรับการตรวจวัดองค์ประกอบในกระบวนการนี้ เวเฟอร์ถูกหั่นไปไม่กี่ตารางมิลลิเมตรและแต่ละคนตายถูกติดตั้งอยู่บนแพคเกจเซรามิก ขั้วไฟฟ้าบนและด้านล่างที่เชื่อมต่อกับแผ่นแพคเกจโดยลวดพันธะ Au ขั้วเอาท์พุทแพคเกจเชื่อมต่อกับคู่สาย เพื่อให้บรรลุฉนวนไฟฟ้าที่
สาย Au ถูกเคลือบเรซินซิลิกอน ขั้วเอาท์พุท
ของแพคเกจยังเคลือบเรซินซิลิกอนและจากนั้น
ปกคลุมด้วยฟิล์มพลาสติก เสียงสะท้อนความถี่กล
โหมดความหนาก็จะประมาณ 491 MHz [14] โดย
ใช้ความหนาแน่นโมดูลัสยืดหยุ่นและปัวซองค่าอัตราส่วนของ
เซรามิก PZT ม [15] เสียงสะท้อนความถี่จะสูง
กว่าที่ของก้อนล้ำจัดหาในเชิงพาณิชย์ ใน
หลักสูตรของการวัดเหล่านี้ที่เราไม่ได้พยายามที่จะบรรลุ
การจับคู่ความต้านทานระหว่างตรวจวัดองค์ประกอบและส่วนที่เหลือของ
ระบบ มะเดื่อ. 5 แสดงให้เห็นภาพของล้ำประดิษฐ์
เซ็นเซอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 4 แสดงรูปถ่ายของเวเฟอร์โดยทั่วไปหลังจากการเซ็นเซอร์อัลตราโซนิก เราสามารถได้รับเซ็นเซอร์เหล่านี้ที่มีผลผลิตสูงมาก ไม่แตกหรือลอกของฟิล์มที่เตรียมจาก epitaxial srruo3 / PT / - Al2O3 / ศรี ชั้น โครงสร้าง ในทางตรงกันข้าม , รอยแตกหลายปรากฏในรูปผลึกที่เตรียมฟิล์มบางบน PT / Ti / SiO2 / ซื่อ แม้ว่ากระบวนการโซลเจลและเป็นเช่นเดียวกับที่ใช้สำหรับฟิล์ม PZT epitaxial . ดังนั้น , Polycrystalline ภาพยนตร์ไม่สามารถใช้สำหรับตรวจวัดองค์ประกอบในกระบวนการนี้ เวเฟอร์ถูกหั่นสี่เหลี่ยมลูกเต๋าไปไม่กี่มิลลิเมตรสแควร์และแต่ละตายถูกติดตั้งบนชุดเซรามิค ขั้วไฟฟ้าที่ด้านบนและด้านล่างเชื่อมต่อกับแพคเกจแผ่นโดย Au ลวด เชื่อม แพคเกจออกขั้วเชื่อมต่อกับสายเคเบิลโคแอ็กเซียล เพื่อให้บรรลุเป้าหมายในการเป็นฉนวนไฟฟ้า ,หรือสายไฟเคลือบในซิลิโคน เรซิ่น ผลผลิตเทอร์มินัลของแพคเกจยังเคลือบในซิลิคอนยางแล้วปกคลุมด้วยฟิล์มพลาสติก ความถี่เรโซแนนซ์ เครื่องจักรกลของโหมดความหนาประมาณจะเป็น MHz [ 14 ] โดยใช้ความหนาแน่นของค่าโมดูลัสยืดหยุ่นและค่าอัตราส่วนของปัวซงว่าเซรามิค [ 15 ] เสียงสะท้อนความถี่สูงมากกว่าในเชิงพาณิชย์ procurable ultrasonic transducers . ในหลักสูตรของการวัดเหล่านี้เราไม่ได้พยายามที่จะบรรลุอิมพีแดนซ์จับคู่ระหว่างการตรวจวัดองค์ประกอบและส่วนที่เหลือของระบบ รูปที่ 5 แสดงรูปถ่ายของประดิษฐ์อัลตราโซนิกเซ็นเซอร์