• Oxide capacitance,Cox,is the capacitance per unit area
between the gate metal and the bulk surface.
• Gate-source voltage, VGS,is the voltage that applied
between gate and source to control the operation of the
transistor.
• Drain-source voltage,VDs,is thev oltage which is applied
between drain and source.
• Thres hold voltage,Vr,is the minimum voltage that will
induce inversion layer which tum onthe transistor.
• Drain-sourcecurrent, IDS, is the current that flow between drain and source through the inversion channel
conducted beneath the gate when transistor is turned on.
- ความจุ Cox เป็นออกไซด์ , ความจุต่อหน่วยพื้นที่
ระหว่างประตูโลหะและพื้นผิวขนาดใหญ่ .
- ประตูแหล่งแรงดัน วีจีเเป็นแรงดันที่ใช้
ระหว่างประตูและแหล่งข้อมูลเพื่อควบคุมการทำงานของ
-
ทรานซิสเตอร์ ระบายแหล่งแรงดันไฟฟ้า , VDS , thev oltage ซึ่งประยุกต์
ระหว่างท่อและแหล่ง .
- thres ถือแรงดันไฟฟ้า , VR , แรงดันต่ำสุดที่
ชักจูงชีวี ที่ตำไว้ ทรานซิสเตอร์ .
- ระบาย sourcecurrent , IDS , กระแสที่ไหลระหว่างแหล่งที่มาและการระบายผ่านช่องใต้ประตูทรานซิสเตอร์
ดำเนินการเมื่อมีการเปิด
การแปล กรุณารอสักครู่..
