In the experiment, we used (100) or

In the experiment, we used (100) oriented p type
single crystalline silicon wafers with a thickness of 625 ± 25 μm
and a resistivity of 12–18 Ω cm for lifetime and FTIR measurements.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการทดลอง เราใช้ชนิดวาง p (100)รับซิลิคอนผลึกเดี่ยวที่ มีความหนาของ μm ± 25 625และความต้านทานของ 12 – 18 Ωซม.สำหรับอายุการใช้งานและการวัด FTIR

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการทดลองเราใช้ (100)
ชนิดพีที่มุ่งเน้นซิลิคอนเวเฟอร์ผลึกเดี่ยวที่มีความหนา625 ± 25
ไมโครเมตรและความต้านทาน12-18 Ωซม. สำหรับอายุการใช้งานและการวัด FTIR

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในการทดลองที่เราใช้ ( 100 ) มุ่งเน้นประเภท P
ชนิดผลึกเดี่ยวซิลิคอนเวเฟอร์ที่มีความหนาของชั้น± 25 μ M
และความต้านทานของ 12 – 18 Ωซม. สำหรับอายุการใช้งานและการวัด FTIR .