SS8550 2W Output Amplifier of Porta

SS8550 2W Output Amplifier of Portable Radios in Class B Push-pull Operation. � Complimentary to SS8050 � Collector Current: IC=1.5A � Collector Power Dissipation: PC=2W (TC=25�C) TO-92 1 1. Emitter 2. Base 3. Collector PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Ratings Units VCBO Collector-Base Voltage -40 V VCEO Collector-Emitter Voltage -25 V VEBO Emitter-Base Voltage -6 V IC Collector Current -1.5 A PC Collector Power Dissipation 1 W TJ Junction Temperature 150 �C TSTG Storage Temperature -65 ~ 150 �C Electrical Characteristics Ta=25�C unless otherwise noted Symbol Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= -100�A, IE=0 -40 V BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= -2mA, IB=0 -25 V BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= -100�A, IC=0 -6 V ICBO Collector Cut-off Current VCB= -35V, IE=0 -100 nA IEBO Emitter Cut-off Current VEB= -6V, IC=0 -100

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

SS8550 2W เอาท์พุทของเครื่องขยายของวิทยุแบบพกพาในการดำเนินงานผลักดันดึงชั้น B ฟรีการ SS8050 เก็บปัจจุบัน: IC = 1.5 a กระจายพลังงานสะสม: PC = 2W (TC = 25 C) เพื่อ-92 1 1 ยิง 2 ฐานที่ 3 เก็บ PNP Epitaxial ซิลิคอนทรานซิสเตอร์สัมบูรณ์สูงสุดจัดอันดับ Ta = 25 C เว้นแต่จะระบุสัญลักษณ์พารามิเตอร์จัดอันดับหน่วย VCBO สะสมแรงดัน -40 V กระแสยิงเก็บแรงดัน -25 V VEBO ยิงแรงดัน -6 V IC Collector -1.5 A PC เก็บพลังงานกระจาย 1 W TJ แยกอุณหภูมิ 150 C TSTG เก็บอุณหภูมิปัจจุบัน-65 掳 ~ 150 C ไฟฟ้าลักษณะตา = 25 C เว้นแต่จะระบุสัญลักษณ์พารามิเตอร์ทดสอบเงื่อนไขขั้นต่ำทั่วไปสูงสุด หน่วย BVCBO ฐานรวบรวมการแบ่งแรงดันไฟฟ้า IC =-100 A, IE = 0 -40 V BVCEO ยิงเก็บแบ่งแรงดันไฟฟ้า IC = - 2mA, IB = 0 -25 V BVEBO ฐานยิงแบ่งแรงดันไฟฟ้า IE =-100 A, IC = 0 -6 V ICBO รวบรวมเกณฑ์ปัจจุบัน VCB = - 35V, IE = 0 -100 นา IEBO ยิงตัดปัจจุบัน VEB = - 6V, IC = 0 -100

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

SS8550 Amplifier 2W การส่งออกของวิทยุพกใน Class B ดำเนินการผลักดันดึง บริการฟรีแก่ SS8050 สะสมปัจจุบัน: IC = 1.5A สะสมพลังงานที่สูญเสีย: PC = 2W (TC = 25C​​) TO-92 1 1. Emitter 2. ฐาน 3. นักสะสม PNP epitaxial ซิลิคอนทรานซิสเตอร์สูงสุดสัมบูรณ์ตา = 25 C เว้นแต่จะตั้งข้อสังเกตสัญลักษณ์พารามิเตอร์ความนิยมของนักสะสมหน่วย VCBO-Base แรงดัน -40 V VCEO สะสมและอิมิเตอร์แรงดัน -25 V Vebo Emitter-Base แรงดัน -6 V IC สะสมกระแสอุณหภูมิ -1​​.5 พีซีสะสมพลังงานที่สูญเสีย 1 W T​​J สนธิ 150 C TSTG อุณหภูมิการเก็บรักษา -65 ~ 150 ลักษณะไฟฟ้า C Ta = 25C​​ เว้นแต่จะตั้งข้อสังเกตสัญลักษณ์พารามิเตอร์การทดสอบสภาพนาที Typ แม็กซ์ หน่วย BVCBO สะสม-Base แรงดันพังทลาย IC = -100A, IE = 0 พังทลาย -40 V BVCEO สะสมและอิมิเตอร์แรงดัน IC = -2mA, IB = 0 -25 V BVEBO Emitter-Base แรงดันพังทลาย IE = -100A, IC = 0 -6 V ICBO สะสมการตัด VCB ปัจจุบัน = -35V, IE = 0 -100 nA IEBO Emitter ตัด VEB ปัจจุบัน = -6V, IC = 0 -100

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เครื่องขยายเสียงแบบพกพา ss8550 นะคะออกวิทยุในคลาส B ผ่าตัดดึงดัน �ฟรี ss8050 สะสมปัจจุบัน� : IC = 1.5a �สะสมพลังความร้อน : PC = ms ( TC = 25 � C ) to-92 1 1 อีซี 2 ฐานที่ 3 สะสมซิลิคอนทรานซิสเตอร์ PNP epitaxial สัมบูรณ์สูงสุดอันดับตา = 25 � c นอกจากจะเห็นสัญลักษณ์ตัวแปรคะแนนสะสมหน่วย vcbo ฐานแรงดัน - 40 V vceo สะสมแรงดัน 25 อีซีอีซี - v vebo ฐานแรงดัน - 6 V IC สะสมปัจจุบัน - 1.5 การสะสมพลังงานพีซี 1 W เช่นชุมทางกระเป๋า 150 � C tstg อุณหภูมิ - 65 ~ 150 � C คุณลักษณะทางไฟฟ้า TA = 25 � c นอกจากจะเห็นสัญลักษณ์ตัวแปรเงื่อนไขการทดสอบนาทีประเภท . แม็กซ์ หน่วย bvcbo สะสมฐานแบ่งแรงดัน IC = 100 � , IE = 0 - 40 V bvceo เก็บมิเตอร์แรงดันเบรคดาวน์ IC = - 2ma , IB = 0 - 25 วีอีซี bvebo ฐานแบ่งแรงดัน IE = 100 � , IC = 0 - 6 V icbo สะสมตัด vcb = - 35v ในปัจจุบัน , IE = 0 - 100 iebo อิมิตเตอร์ตัดปัจจุบัน วี บี = 6V , IC = 0 - 100