We have used the medium energy ion

We have used the medium energy ion scattering (MEIS) technique to assess the strain relaxation in
molecular-beam epitaxial (MBE) grown CdTe (211)/Ge (211) system. A previous X-ray diffraction study,
on 10 samples of the same heterostructure having thicknesses ranging from 25 nm to 10 lm has allowed
the measurement of the strain relaxation on a large scale. However, the X-ray diffraction measurements
cannot achieve a stress measurement in close proximity to the CdTe/Ge interface at the nanometer scale.
Due to the huge lattice misfit between the CdTe and Ge, a high degree of disorder is expected at the interface.
The MEIS in channeling mode is a good alternative in order to profile defects with a high depth resolution.
For a 21 nm thick CdTe layer, we observed, at the interface, a high density of Cd and/or Te atoms
moved from their expected crystallographic positions followed by a rapid recombination of defects.
Strain relaxation mechanisms in the vicinity of the interface are discussed

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราใช้ไอออนพลังงานปานกลางที่โปรย (MEIS) เทคนิคการผ่อนคลายความเครียดในโมเลกุลลำ epitaxial (MBE) ปลูกลลู (211) /Ge (211) ระบบ การศึกษาการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ที่ก่อนหน้าบน 10 ตัวอย่างของ heterostructure เดียวกันที่มีความหนาตั้งแต่ 25 nm เป็น 10 lm ได้การประเมินของการผ่อนคลายความเครียดในขนาดใหญ่ อย่างไรก็ตาม การวัดการเลี้ยวเบนรังสีเอ็กซ์ไม่สามารถบรรลุการประเมินความเครียดในอินเทอร์เฟซ ลลู/Ge ในระดับนาโนเมตรเนื่องจาก misfit ตาข่ายใหญ่ระหว่างลลูและ Ge ระดับสูงของความผิดปกติที่คาดในอินเตอร์เฟซMEIS ในโหมดเจ้าอารมณ์เป็นทางเลือกดีเพื่อให้โปรไฟล์ข้อบกพร่องด้วยความละเอียดสูงลึกสำหรับ 21 nm ลลูชั้นหนา เราสังเกต ที่ติดต่อ หนาแน่นอะตอมซีดีหรือ Teย้ายจากตำแหน่ง crystallographic คาดตาม ด้วยการรวมตัวกันอย่างรวดเร็วของข้อบกพร่องมีการกล่าวถึงกลไกผ่อนคลายความเครียดใกล้อินเทอร์เฟซ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราได้ใช้พลังงานกระเจิงกลางไอออน (Meis) เทคนิคในการประเมินการผ่อนคลายความเครียดใน
epitaxial โมเลกุลคาน (MBE) เติบโต CdTe (211) / จีอี (211) ระบบ การศึกษาการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์ก่อนหน้านี้
เมื่อวันที่ 10 ตัวอย่าง heterostructure เดียวกันมีความหนาตั้งแต่ 25 ถึง 10 นาโนเมตร LM ได้รับอนุญาตให้
วัดของการผ่อนคลายความเครียดในระดับที่มีขนาดใหญ่ อย่างไรก็ตามการวัดการเลี้ยวเบนรังสีเอกซ์
ไม่สามารถบรรลุการวัดความเครียดในบริเวณใกล้เคียงกับอินเตอร์เฟซ CdTe / จีอีในระดับนาโนเมตร.
เนื่องจากไม่เหมาะตาข่ายขนาดใหญ่ระหว่าง CdTe และจีอีระดับสูงของความผิดปกติคาดว่าจะมีอินเตอร์เฟซ
Meis ในโหมดเจ้าอารมณ์เป็นทางเลือกที่ดีในการที่รายละเอียดข้อบกพร่องที่มีความละเอียดเชิงลึกสูง.
สำหรับ 21 นาโนเมตรชั้น CdTe หนาเราสังเกตที่อินเตอร์เฟซที่มีความหนาแน่นสูงของซีดีและ / หรืออะตอม Te
ย้ายจาก crystallographic คาดว่าพวกเขา ตำแหน่งตามมาด้วยการรวมตัวกันอย่างรวดเร็วของข้อบกพร่อง.
สายพันธุ์กลไกการพักผ่อนในบริเวณใกล้เคียงของอินเตอร์เฟซที่จะกล่าวถึง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราได้ใช้สื่อพลังงานไอออนกระจาย ( เมส ) เทคนิคเพื่อประเมินความเครียด ผ่อนคลายในโมเลกุลลำแสง epitaxial ( MBE ) cdte โต ( 211 ) / GE ( 211 ) ระบบ ก่อนหน้านี้การเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ศึกษา10 ตัวอย่างของโครงสร้างของเดียวกันมีความหนาตั้งแต่ 25 nm 10 LM ได้อนุญาตการวัดความเครียดผ่อนคลายบนมาตราส่วนขนาดใหญ่ อย่างไรก็ตาม การวัดการเลี้ยวเบนของรังสีเอ็กซ์ไม่สามารถบรรลุความเครียด การวัด ในบริเวณใกล้เคียงกับ cdte / GE อินเตอร์เฟซในระดับนาโนเมตรเนื่องจากการขนาดใหญ่ตาข่ายเหมาะระหว่าง cdte และ GE , ระดับสูงของโรคคาดว่าในเฟสใน Meis ในการสับเปลี่ยนโหมดเป็นทางเลือกที่ดีเพื่อให้รายละเอียดข้อบกพร่องที่มีความละเอียดระดับความลึกสูงสำหรับ 21 nm หนา cdte layer ให้เราสังเกตที่อินเตอร์เฟซ , ความหนาแน่นสูงของซีดีและ / หรือไปยังอะตอมย้ายจากตำแหน่งตามคาดทางการอย่างรวดเร็วของข้อบกพร่องกลไกความเครียดผ่อนคลายในบริเวณใกล้เคียงของอินเตอร์เฟซที่กล่าวถึง