Thereby the topelectrode atoms can

Thereby the top
electrode atoms can seep through the crack to contact with the
bottom electrode during e-beam deposition, as shown in Fig. 2(d).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทำด้านบนอะตอมอิเล็กโทรดที่สามารถซึมผ่านรอยแตกจะติดต่อกับไฟฟ้าด้านล่างระหว่างคานอีสะสม มาก Fig. 2(d)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นด้านบนอะตอมอิเล็กสามารถซึมผ่านรอยแตกที่จะติดต่อกับขั้วด้านล่างในช่วงการสะสมE-คานดังแสดงในรูป 2 (ง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้นอะตอมขั้วด้านบน
สามารถซึมผ่านรอยแตกเพื่อติดต่อกับขั้วล่างในระหว่างการ
e-beam ดังแสดงในรูปที่ 2 ( D )