Silicon nanowire (SiNW)-based solar

Silicon nanowire (SiNW)-based solar cells on glass substrates have been fabricated by wet electroless chemical etching (using silver nitrate and hydrofluoric acid) of 2.7 μm multicrystalline p+nn+ doped silicon layers thereby creating the nanowire structure. Low reflectance (90% at 500 nm) have been measured. The highest open-circuit voltage (Voc) and short-circuit current density (Jsc) for AM1.5 illumination were 450 mV and 40 mA/cm2, respectively at a maximum power conversion efficiency of 4.4%

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Nanowire ซิลิคอน (SiNW) -โดยใช้เซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นผิวแก้วได้ถูกประดิษฐ์ โดยไฟฟ้าเปียกกัดเคมี (ใช้ซิลเวอร์ไนเตรทและกรดไฮโดรฟลูออริก) ของ 2.7 ไมครอน multicrystalline p + nn + เจือซิลิคอนชั้นจึงสร้างโครง nanowire นี้ สะท้อนแสงต่ำ (< 10% ที่ 300−800 nm) และการดูดซึมแสงบรอดแบนด์ที่แข็งแกร่ง (> 90% 500 nm) ได้รับการวัด แรงดันสูงสุดของวงจรเปิด (Voc) และวงจรหนาแน่นปัจจุบัน (Jsc) สำหรับไฟ AM1.5 ได้ 450 mV และ 40 mA/cm2 ที่มีประสิทธิภาพการแปลงพลังงานสูงสุด 4.4% ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิลิคอนเส้นลวดนาโน (SiNW) -based เซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นผิวแก้วได้รับการประดิษฐ์โดยเปียกแกะสลักเคมีไฟฟ้า (ใช้ซิลเวอร์ไนเตรทและกรดไฮโดรฟลูออริก) 2.7 ไมโครเมตรมัลติ P + + NN เจือชั้นซิลิกอนจึงสร้างโครงสร้างเส้นลวดนาโน สะท้อนต่ำ (<10% ที่ 300-800 นาโนเมตร) และการดูดซึมที่แข็งแกร่งแสงความเร็วสูง (> 90% ที่ 500 นาโนเมตร) ได้รับการวัด สูงสุดเปิดวงจรไฟฟ้าแรง (VOC) และการลัดวงจรความหนาแน่นกระแส (JSC) เพื่อให้ความสว่าง AM1.5 450 mV และ 40 mA / cm2 ตามลำดับที่มีประสิทธิภาพการแปลงพลังงานสูงสุด 4.4%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ซิลิคอน nanowire ( sinw ) ซึ่งเซลล์แสงอาทิตย์บนพื้นผิวแก้วได้ถูกประดิษฐ์โดยเคมีเปียก กัดแบบไม่มีไฟฟ้า ( ใช้ไนเตรตเงินและกรดไฮโดรฟลูออริก ) 2.7 m P + nn + μ multicrystalline เจือซิลิกอน ชั้นจึงสร้างโครงสร้าง nanowire . การสะท้อนแสงต่ำ ( < 10% , 300 − 800 nm ) และแข็งแรงบรอดแบนด์การดูดกลืนแสง ( > 90% ที่ 500 nm ) จะถูกวัด เปิดวงจรแรงดันไฟฟ้าสูงสุด ( VOC ) และความหนาแน่นของกระแสลัดวงจร ( JSC ) สำหรับ am1.5 ส่องสว่างเป็น 450 MV และ 40 MA / cm2 ตามลำดับที่พลังงานสูงสุดประสิทธิภาพของการแปลง 4.4 %