Therefore, the variations derived f

Therefore, the variations derived for the PECVD part of the oxide deposition shown in this work need to be complemented by the SACVD variations. Theoretically, the dependence on the waferposition could become more or less pronounced, depending on the influence of the wafer position in the SACVD process. In additionto the variations due to the deposition processes themselves, variations of the etching profile across the wafer can have an impact on the layer profiles and on the performance of the TSVs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังนั้น รูปแบบที่สืบทอดมาสำหรับส่วน PECVD ของสะสมออกไซด์แสดงในงานนี้ได้อย่างครบครัน ด้วยรูปแบบ SACVD ตามหลักวิชา พึ่ง waferposition สามารถกลายเป็นน้อยออกเสียง ขึ้นอยู่กับอิทธิพลของตำแหน่งแผ่นเวเฟอร์ในการ SACVD ในกระบวนการเปลี่ยนแปลงเนื่องจากการสะสมตัวเอง additionto รูปแบบของโพรไฟล์กัดข้ามแผ่นเวเฟอร์สามารถมีผลกระทบ บนโพรไฟล์ชั้น และประสิทธิภาพของ TSVs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นรูปแบบที่ได้มาส่วน PECVD ของการสะสมออกไซด์แสดงในความต้องการนี​​้งานที่จะครบครันด้วยรูปแบบ SACVD ในทางทฤษฎีการพึ่งพา waferposition ที่อาจจะกลายเป็นมากขึ้นหรือน้อยเด่นชัดขึ้นอยู่กับอิทธิพลของตำแหน่งเวเฟอร์ในกระบวนการ SACVD ใน additionto รูปแบบการประมวลผลอันเนื่องมาจากการสะสมของตัวเองรูปแบบของรายละเอียดการแกะสลักข้ามเวเฟอร์สามารถมีผลกระทบต่อรูปแบบชั้นและประสิทธิภาพการทำงานของ TSVs ที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้น การเปลี่ยนแปลงที่ได้มาสำหรับ pecvd ส่วนหนึ่งของออกไซด์สะสมที่แสดงในงานนี้ต้องได้รับการเสริมด้วย sacvd รูปแบบ ทฤษฎีพึ่งพา waferposition อาจกลายเป็นเด่นชัดมากขึ้นหรือน้อยลง ขึ้นอยู่กับอิทธิพลของเวเฟอร์ ตำแหน่งในกระบวนการ sacvd . ใน additionto ในรูปแบบต่าง ๆ เนื่องจากการสะสมของกระบวนการเองการเปลี่ยนแปลงของภาพโปรไฟล์ในเวเฟอร์สามารถมีผลกระทบต่อชั้น สภาพและสมรรถนะของ tsvs .