considerable attention. CIS has a d

considerable attention. CIS has a direct*1.5 eV band gap corresponding to a[800 nm emission wavelength (Jaffe and Zunger 1984). Although CIS is a good material for near-infrared quantum dots (QDs) and photovoltaic devices,applications of CIS NCs have likely been hindered by their limited quality. A number of ongoing research efforts are focused on
improving CIS NC quality (Bao et al. 2011; Chung
et al. 2012; Deng et al. 2012; Feng et al. 2011; Li et al.
2009, 2011; Wang et al. 2010, 2012; Xie et al. 2009;
Zhong et al. 2008; Zhang and Zhong 2011; Zhang et al.
2011).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สนใจ CIS ได้โดยตรง * 1.5 eV แถบช่องว่างที่สอดคล้องกับการ [800 nm ปล่อยความยาวคลื่น (Jaffe และ Zunger 1984) แม้ว่า CIS เป็นวัสดุที่ดีสำหรับจุดควอนตัมใกล้อินฟราเรด (QDs) และเซลล์แสงอาทิตย์อุปกรณ์ โปรแกรมของ CIS NCs มีอาจถูกขัดขวาง โดยคุณภาพของจำกัด จำนวนความพยายามในการวิจัยจะมุ่งเน้นปรับปรุงคุณภาพ CIS NC (เบ้า et al. 2011 ชุงร้อยเอ็ด 2012 เตงร้อยเอ็ด 2012 ฮร้อยเอ็ด 2011 Li et al2009, 2011 Wang et al. 2010, 2012 เจียร้อยเอ็ด 2009จงร้อยเอ็ด 2008 จางและจง 2554 Zhang et al2011)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความสนใจมาก CIS มีโดยตรง * 1.5 eV ช่องว่างแถบสอดคล้องกับ [800 ความยาวคลื่นปล่อยก๊าซเรือนกระจกนาโนเมตร (Jaffe และ Zunger 1984) แม้ว่า CIS เป็นวัสดุที่ดีสำหรับอินฟราเรดใกล้จุดควอนตัม (QDS) และอุปกรณ์ไฟฟ้าโซลาร์เซลล์, การประยุกต์ใช้ NCs CIS ได้รับการขัดขวางโดยแนวโน้มคุณภาพ จำกัด ของพวกเขา จำนวนของความพยายามวิจัยอย่างต่อเนื่องจะมุ่งเน้น
การปรับปรุงคุณภาพ CIS NC (Bao et al, 2011. จุง
et al, 2012;. เติ้ง et al, 2012;. ฮ et al, 2011. Li et al.
2009 2011; et al, วัง 2010 2012; Xie et al, 2009.
Zhong et al, 2008. Zhang Zhong และปี 2011 Zhang et al.
2011)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สนใจมาก CIS มีโดยตรง * 1.5 EV ช่องว่างแถบที่สอดคล้องกับ [ 800 ปล่อยความยาวคลื่น nm ( เจฟฟี่ และ zunger 1984 ) แม้ว่า CIS เป็นวัสดุที่ดีสำหรับอินฟราเรดใกล้จุดควอนตัม ( QDS ) และอุปกรณ์เซลล์แสงอาทิตย์ , การใช้งานของ CIS NCS อาจถูกขัดขวางโดยคุณภาพ จำกัด ของพวกเขา จำนวนของความพยายามในการวิจัยเน้นการปรับปรุงคุณภาพ NC CIS ( เปา et al . 2011 ; ชองet al . 2012 ; เติ้ง et al . 2012 ; ฟง et al . 2011 ; Li et al .2009 , 2011 ; Wang et al . 2010 , 2012 ; เซี่ย et al . 2009จง et al . 2008 และ 2011 ต๋ง ; จาง ; Zhang et al .2011 )